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一种活体碳质半导体材料的原位构建方法本发明公开了一种活体碳质半导体材料的原位构建方法及其在光催化降解污染物中的应明方法所构建的活体碳质半导体材料可进行光2步骤2：将步骤1培养至对数生长后期的异化金属还原菌重步骤1中，将_80℃保存的异化金属还原菌进行平板划线，进行48h好氧培养后挑选单所述异化金属还原菌为S.oneidensisMR_1野生步骤2中，所述碳材料在培养体系中的浓度在10_500mg9.权利要求1_8中任一项制备方法制备得到的活体碳质半导体材料在光催化降解污染将活体碳质半导体材料转入含有污染物的液体无机盐培养基中，在氩K2HPO42O3[0002]废水中污染物如硝酸盐、磺胺类抗生素或甲基类染料的去除通常采用包括沉淀、[0011]步骤2中，所述重金属离子在培42HPO42O45降解效率低。同时，已报道的硫化物/碳材料组装是利用化学合成的材料与微生物直接混酸钠的时间在6_12h能在细菌胞外形成紧密相连的CdSNPs；大于15h则形成的CdSNPs易分[0031]图1为实施例1中活体碳质半导体材料CdS/RGO/SW在不同前驱体浓度条件反应后[0034]图4为实施例1中活体碳质半导体材料CdS/RGO/SW扫描电镜SEM（A）及相应的[0038]图8为实施例3活体碳质半导体材料CdS/RGO/SW和对照材料CdS/RGO在2h光照或6域的技术人员对所描述的具体实施案例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式代替，只要不偏离发明的构思或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范用化学合成法合成了CdS/RGO，发现化学法合成的CdS/RGO与本发明生物法合成的CdS/RGO[0041]本发明使用市购的异化金属还原菌S.oneidensisMR_1野生型[0042]以下就本发明所提供的一种活体碳质半导体材料的原位构建方法及其在光催化浓度硫代硫酸钠的LB培养基中，厌氧培养6h后再加入相应浓度的Cd(II)_EDTA和氧化石墨SW材料以6000rpm转速离心收集并水洗3次，最后将离心下来的固体通过真空冷冻干燥进7100%每种浓度下将活体碳质半导体材料浸泡20min。最后将脱水的活体碳质半导体材料8照组别为纯黑暗或灭活的碳质半导体材料。对表3不同污染物种类及浓度组别进行转接培催化促进效果明显，即光照CdS/RGO/SW的降解速率是黑暗CdS/RGO/SW的8.6倍、光照CdS/215mL乙二醇混匀溶液搅拌混匀后在160℃条件下进行12h水热反应。随后多次洗9中化学合成的CdS/RGO与培养至对数后期的希瓦式菌按照实施例1相同的浓度比例混合[0064]图8显示化学合成法和生物原位构建活体碳质半导体材料CdS/RGO/SW对各类污染

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