CN119433471A 一种半导体设备的使用方法 （深圳市晶相技术有限公司）

201910895152.52019.09.20制杆带动第一载台与第二载台沿着预设路径移2载台设置在过渡腔体内，所述过渡腔体设置在生长腔体之前，所控制杆带动所述第一载台与所述第二载台沿着预设路径移动，所述控制杆带动所述第二载台沿着预设路径相反的方向移动，直至所在破真空处理前，所述控制杆带动所述第二载台移动，3.根据权利要求1所述的半导体设备的使用方法，其特征在于：所述相对温度为0.3_345[0061]需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘[0063]请参阅图1，本实施例提出一种半导体设备100，该半导体设备100包括生长腔体6元113用于驱动基座111上升或下降，驱动单元113可以采用诸如伺服电机或步进电机等的盒和选择性附加的MOCVD反应腔室(未显示)以供大量应用。长于基板上的氮化物材料相容的基板或根据生长于基板上的氮化物材料而被处理[0066]在一些实施例中，本发明的半导体设备可涉及用于形成高质量缓冲层和III_V族设置在基座111的中间部分上，从而基板112的一部分覆盖边缘区域并且与边缘区域间隔7二部分关于该加热线圈127的中心对称连接，其中第一部分从外至内依次包括第一弧边始对该基座111进行加热。本实施例通过这样的加热线圈127能够保证对基座111的加热均基座111上的温度。本实施例中通过测温装置可实时得知基座111各个位置上的温度情况，可以保证基座111上的温度处于均匀稳定的状态，同时还可以保证基座111上的基板112处靶材123具有至少一个表面部分是由将在设置在基座111上的基板112上溅射沉积的材料组82O3)和掺杂有II/IV/VI族元素以改良层兼容性和装置性能的含铝靶气(N2上下往复运动，第一电机114驱动传动杆115正向，或反向转动可使第二电机116作往复运轴117可带动内轴119进行旋转，同时第一电机114通过传动杆115带动第二电机116进行上选择打开和/或关闭第一电机114和/或第二电机材123和磁体122的相对运动，可使得磁体122所产生的磁场均匀地扫描过靶材123的溅射整二次电子的运动轨迹以增加二次电子与氩原子的碰撞次数，使得靶材123溅射面附近的9可以向内或向外凹进，多个第一磁性单元1221还可以同时为向内或向外凹进的弧形结构，多个第一磁性单元1221也可以包括不同的弧形结构。该磁体122可以我对称结构或者非对110b还设置多层反射板，例如内壁110b从内至外依次设置第一反射板111a及第二反射板1321，相邻两个限位条1321形成一卡槽1322，该卡箍132中一端的限位条1321设置在内壁111b的两端分别包括一弯折部(未显示)，第一反射板111a的两端的弯折部突出于卡槽在外壁110a及内壁110b的通孔130上设置有耐高温透明材料。由此工作人员可从生长腔体131设置在通孔130的前方，使得溅射离子无法在在外壁110a及内壁110b的通孔130上设置长腔体110的相对两侧上，第一进气口119a及第二进气口119b相互错开，通过第一进气口长腔体110的内壁或者进气管道200的另一端与生长腔体110的内壁具有一定的间隙。外套第二排气孔221的尺寸大于或等于第一排气孔211的尺寸，因此第一排气孔211与第二排气支管230或排气管240上设置一气流调节器，该气流调节器可用于调整进气进气管道200内的底部上设置有多个第一排气孔211，同时第二排气孔221的直径大于第一排气孔211的直镀膜的均匀性。第一进气口119a及第二进气口119b连接的进气管道200的直径可相同或不械手臂311可具有适以同时将两基板从一个腔室传送至另一个腔室的双基板装卸叶片。基[0095]请参阅图23，在本实施例中，该支架321的另一端通过底座3211固定在壳体320a内，该底座3211包括多个第一螺纹孔3211a及一个第二螺纹孔3211b，其中，第二螺纹孔3211b位于底座3211的中心位置上，多个第一螺纹孔3211a均匀设置在第二螺纹孔3211b的(TurboMolecularPump)将该过渡腔体320320以进入到真空状态后，控制杆324带动第一载台325及第二载台328沿着预设路径移动，基板装卸机械手臂将基板从过渡腔体320内传送至传送腔体，然后在由基板装卸机械手臂[0100]需要注意的是，在将基板放入过渡腔体320内时，首先通过排气口向该过渡腔体随后将基板从过渡腔体320传送至清洗腔体330中以进行[0105]请参阅图26，该升降旋转机构334包括带动台座电极3311上升或下降的升降机构以及带动台座电极3311旋转的旋转机构。其中，该升降机构包括升降电机3341及导向杆332同时还连接一升降旋转机构333，该升降旋转机构333的与升降旋转机构334的结构一基板支撑组件331的旋转速度可相同或存在一定的速度差，以使得等离子体均匀的清洗基[0107]请参阅图25，在本实施例中，该基板支撑组件331还连接至少一个射频偏压电源来修改基板的表面结构，以确保在基板与沉积的外基板表面。在一个实施例中，向设置在基板支撑组件331中的台座电极3311施加约_5伏特10_3Pa，向清洗腔体330混合通入用于清洗应用的前驱物气体，调整清洗腔体330的抽气速度，使得清洗腔体330的压强进入预定的工作压强范围，预定工作压强范围例如为1Pa_203的旋转发生变化，这样将会使得基板202上各个位置的刻蚀速率(清洗速率)更加均衡。更进一步地，衬套203和下电极201之间的距离是可调的，该距离可以在5～25cm范围内选[0115]请参阅图27_28，该清洗腔体还包括线圈组件204，该线圈组件204的表面呈现凸压源206。该射频偏压源206的射频频率可以是高频、中频或低频。例如，高频可以是[0118]请参阅图29，该预热腔体340包括一壳体340a，在该壳体340a的底部设有一支架照射到基板344的表面上来测出基板34位置在B点，温度为511.8℃,极差为29.6℃,A_I点的平均温度为499.4℃,温度偏差为基板在预热腔体340内完成相应的工艺后，传送腔体310内的基板装卸机械手臂311将基板泵(TurboMolecularPump)将该过渡腔体32控制杆324带动向上移动。然后传送腔体310内的基板装卸机械手臂311将基板从过渡腔体在制造界面313与过渡腔体320间传送，以及经由狭缝阀312在过渡腔体320及传送腔体310