CN119433687A 晶棒轴向电阻率控制方法、装置、设备及产品 （晶科能源股份有限公司）

品能够确保在拉晶过程中提高单晶硅中轴向掺杂2根据锑磷共掺杂单晶炉内蒸发常数与余料重量的关联关系，预测锑拉晶等径过程的第一锑蒸发量，根据所述第一锑蒸发量控制所述等径过程的锑磷掺杂比根据所述蒸发常数与引放时长的关联关系，预测所述锑磷共掺杂根据目标复投蒸发计算模型，预测所述锑磷共掺杂单晶炉内复投阶段的第三锑蒸发采用相关性分析算法确定所述复投阶段中与锑蒸发量关联度小于阈根据所述无关变量确定所述复投阶段中与所述锑蒸发量关联的目采用线性拟合算法确定所述锑蒸发量与所述目标变量之间的函数根据所述锑扩散常数，模拟计算拉晶起始处电阻率为目标值情况下，根据所述实测电阻率分布曲线，采用相关分析法确定所述等径过程获取所述引放过程的锑蒸发常数随所述单晶炉内7.根据权利要求6所述的晶棒轴向电阻率控制方法，其特征在于，确定所述锑蒸发常3等径过程控制模块，用于根据锑磷共掺杂单晶炉内蒸发常数与余料重量的关联关系，复投阶段控制模块，用于根据目标复投蒸发计算模型，预测复投阶段的第三锑蒸发量，并根据所述第三锑蒸发量控制所述复投阶段的锑磷掺杂比例，9.一种晶棒轴向电阻率控制设备，包括存储行时实现权利要求1至7中任一项所述的方4[0009]根据目标复投蒸发计算模型，预测锑磷共掺杂单晶炉内复投阶段的第三锑蒸发[0010]上述实施例中的晶棒轴向电阻率控制方法，由于直拉硅单晶制作工艺中包括加5分凝引起的晶棒轴向电阻率模拟分布曲线，根据模拟分布曲线确定实测电阻率分布曲线，6蒸发常数与余料重量的关联关系，预测锑磷共掺杂单晶炉内拉晶等径过程的第一锑蒸发7[0040]上述实施例中的晶棒轴向电阻率控制装置，由于直拉硅单晶制作工艺中包括加单晶炉内拉晶等径过程的第一锑蒸发量，根据第一锑蒸发量控制等径过程的锑磷掺杂比算机程序被处理器执行时实现任一本公开实施例中处理器执行时实现任一本公开实施例中所述的方[0049]图4为本公开一实施例中在得到图3b中所示曲线的情况下，获取的蒸发常数随晶8[0052]图7为本公开一实施例中获取的直拉引放过程中锑蒸发常数随引放时长的变化曲[0059]锑磷共掺单晶的分凝原理主要涉及到掺杂元素在晶体生长过程中的浓度分布变9度和器件性能具有关键作用。[0076]在本公开的一些实施例中，多次实验以确定锑在熔硅中扩散常数的过程主要包m横轴晶体长度的单位为mm。晶的轴向电阻率受炉压变化影响很小。由于锑的蒸发效应大于锑的分凝效应，将炉压从率曲线及实测电阻率曲线，使得图3b中所示的模拟电阻率曲线与实测电阻率曲线的拟合[0092]在获取图3b中所示的模拟电阻率曲线及实测电阻率曲线的过程中，获取不同晶减少。相关系数的绝对值越接近1或_1，表示相关性越强。显著性水平通常设置为0.[0101]Ev=0.000301638354296996_2.847079761568•10_11W+2.374013120331233•10_拟计算拉晶起始处电阻率为目标值情况下，锑分凝引起的晶棒轴向电阻率模拟分布曲线，[0127]步骤S52：采用相关性分析算法确定复投阶段中与锑蒸发量关联度小于阈值的无[0140]请参考表3，结合锑蒸发常数与单晶炉内余料重量的第一关联关系、第一计算方而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或复投阶段的第三锑蒸发量，并根据所述第三锑蒸发量控制所述复投阶段的锑磷掺杂比例，[0146]在一些实施例中，晶棒轴向电阻率控制装置还包括复投装置还包括第二关联关系获取模块，用于获取锑蒸发常数随单晶炉内引放时长的变化曲其他拉晶状态的温度基本恒定，因此在获取锑蒸发常数随单晶炉内引放时长的变化曲线机程序被处理器执行时实现任一本公开实施例中晶棒轴向电阻率控制方法