CN119451137A 沟槽电容器及其制造方法 （上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司）

本发明提供了一种沟槽电容器及其制造方第三沟槽向下引出连接衬底中的第一至第三金2提供衬底，所述衬底中形成有同层排布的第一至第在所述绝缘层中形成第一沟槽暴露所述第一金属线、第二在所述第一沟槽及其周边的绝缘层上形成单层电容及在所述第二沟槽及其周边的绝形成第一电极材料层覆盖所述绝缘层的表面、所述第一沟对所述第一电极材料层执行图形化工艺，保留所述第一区域、形成第一介质材料层覆盖所述绝缘层的表面、所述第一沟形成第一掩模覆盖所述第二区域的第一介质材料去除所述第二掩模，并保形地形成第二介质3去除所述第三掩模，并保形地形成第三电极形成第一电极材料层覆盖所述绝缘层的表面、所述第一沟对所述第一电极材料层执行图形化工艺，保留所述第一区域、形成第一介质材料层覆盖所述绝缘层的表面、所述第一沟形成第一掩模覆盖所述第二区域的第一介质材料去除所述第一掩模，并依次保形地形成第二去除所述第二掩模，并形成第三介质材料层执行各向异性干法蚀刻工艺，去除暴露的所述第三介质形成第三电极材料层保形地覆盖所述绝缘层的表面、所45.根据权利要求3或4所述的沟槽电容器的制造方法，7.根据权利要求3或4所述的沟槽电容器的制造方绝缘层，覆盖所述第一至第三金属线且所述绝缘双层电容，形成于所述第二沟槽中及其周边的绝单层电容，形成于所述第一沟槽中及其周边的绝缘5[0008]在所述第一沟槽及其周边的绝缘层上形成单层电容及在所述第二沟槽及其周边第二介质层及所述第三电极，所述第一电极利用所述第二沟槽与所述第二金属线电性连述第三区域的第一电极材料层，并以所述第二区域的第一电极材料层作为所述第一电极，6[0016]形成第二掩模覆盖所述第一区域、所述第二区域及两者之间的[0018]形成第三掩模覆盖所述第一区域、所述第二区域及两者之间的述第三区域的第一电极材料层，并以所述第二区域的第一电极材料层作为所述第一电极，7[0028]形成第二掩模覆盖所述第一区域、所述第二区域及两者之间的8[0045]综上所述，本发明在第一金属线上的绝缘层中形成暴露第一金属线的第一沟槽、在第二金属线上的绝缘层中形成暴露第二金属线的第二沟槽及在第三金属线上的绝缘层[0048]图2a～图2m为实施例一提供的沟槽电容器的制造方法的相应步骤对应的结构示[0049]图3a～图3k为实施例二提供的沟槽电容器的制造方法的相应步骤对应的结构示9[0059]S03：在所述第一沟槽及其周边的绝缘层上形成单层电容及在所述第二沟槽及其[0060]图2a～图2m为本实施提供的沟槽电容器的制造方法的相应步骤对应的结构示意第三金属线11～13及覆盖第一至第三金属[0063]衬底10中形成有器件层及与器件层电性连接的互连层，互连层位于器件层的上沟槽24暴露第二金属线12及若干间隔设置的第三沟槽25暴露第二金属线13。第一沟槽23、沟槽24及其周边的绝缘层22上形成双层电容，双层电容包括依次保形地形成的第一电极及第三区域CC的第一电极材料层26，并以第二区域BB的第一电极材料层26作为第一电极区域AA及第三区域CC保留第一电极材料层26可使第一区域AA和第三区域CC与第二区域BB第一介质材料层27的材质可为介电常数较高的介质材料，其介电常数可例如大于或等于电极29a利用第一沟槽23底部的第一电极材料层26与第一金属线11电性连接，以使后续在第一区域AA及第二区域BB所形成电容的第二电极29a均电性引出至第一金属线11。以采用33a构成的双层沟槽电容，并通过第一金属线11将单层沟槽电容和双层沟槽电容的第二电区域AA和第二区域BB之间的区域还形成由第二电极29a、第二介质层31a及第三电极33a构[0086]S03：在所述第一沟槽及其周边的绝缘层上形成单层电容及在所述第二沟槽及其在于实施例二的步骤S03中形成单层电容和双层电容的步骤有所差异，图3a～图3k为实施~图3k对所述沟槽电容器的制造方法进行详细说明。及第三区域CC的第一电极材料层26，并以第二区域BB的第一电极材料层26作为第一电极区域AA及第三区域CC保留第一电极材料层26可使第一区域AA和第三区域CC与第二区域BB第一介质材料层27的材质可为介电常数较高的介质材料，其介电常数可例如大于或等于还可使第三电极材料层33的厚度大于或等于第一电极材料层26(或第二电极材料层29)的33a构成的双层沟槽电容，并通过第一金属线11将单层沟槽电容和双层沟槽电容的第二电区域AA和第二区域BB之间的区域还形成由第二电极29a、第二介质层31a及第三电极33a构干(至少一个)第二沟槽24暴露第二金属线12及若干(至少一个)第三沟槽25暴露第三金属一沟槽23与第一金属线11电性连接，第三电极33a利用第三沟槽25与第三金属线13电性连第一沟槽23与第二沟槽24之间的区域(第一区域AA与第二区域BB之间的区域)上还可形成全覆盖第一电极26a(包括其表面和侧壁)且第二介质层31a完全覆盖第二电极29a(包括其供的制造方法而形成，其与前述沟槽电容器的差异在于，第二介质层31a仅覆盖第二电极[0105]综上所述，本发明在第一金属线上的绝缘层中形成暴露第一金属线的第一沟槽、在第二金属线上的绝缘层中形成暴露第二金属线的第二沟槽及在第三金属线上的绝缘层