CN119451214A 半导体结构及其制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）

位于有源区上的栅极结构和在第一方向上位于投影在第一方向上跨越第一掺杂区与沟槽隔离2基底，包括衬底以及位于所述衬底内的沟槽隔离结构，所述沟槽隔第一接触结构，在所述基底上的正投影在第一方向上跨越所触层和接触插塞，所述外延层在第一方向上位于所述沟槽隔离结构与所述第一掺杂区之述接触插塞通过所述接触层与所述外延层和所述第一掺提供基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底内的沟槽隔离结于所述有源区上形成晶体管，所述晶体管包括位于所述有源3形成覆盖所述沟槽隔离结构以及所述第一掺杂区的介选择性刻蚀所述第一子接触孔暴露的所述沟槽隔离结构，形成于所述第一接触孔内形成接触插塞，所述接触插塞通过所于所述第一接触孔暴露的所述第一掺杂区的表面形于所述第一子接触孔内形成接触插塞，所述接触插塞通过所述于所述第一接触孔暴露的所述第一掺杂区的表面形于保留在所述第二子接触孔内的外延层的表面以及暴露的所述第一掺杂区的表面形于所述第一子接触孔内形成接触插塞，所述接触插塞通过所4刻蚀位于所述第二掺杂区上的所述介质材料5述第二方向和所述第一方向均平行于所述基6[0036]于保留在所述第二子接触孔内的外延层的表面以及暴露的所述第一掺杂区的表7[0048]图3a至图3f为另一实施例中提供的半导体结构的制备方法中获得中间结构示意[0049]图4a至图4g为再一实施例中提供的半导体结构的制备方法中获得中间结构示意8[0060]这里参考作为本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述发9[0070]沟槽隔离结构111自衬底上表面延伸至衬底内，并在衬底内限定出多个间隔设置[0078]在步骤S400中，可以使用干法刻蚀的方法刻蚀位于沟槽隔离结构111和第一掺杂[0079]第一子接触孔210自介质材料层上表面延伸至第一掺杂区122与沟槽隔离结构结构111。第一子接触孔210在基底110上的正投影为自介质层130上表面向衬底的垂直投第一子接触孔210暴露第一掺杂区122靠近沟槽隔离结构111的顶部，同时，第一子接触孔210暴露沟槽隔离结构111靠近第一掺刻蚀比的刻蚀方法去除第一子接触孔210暴露的沟槽隔离结构111，而保留第一子接触孔[0082]选择性刻蚀第一子接触孔210暴露的沟槽隔离结构111后，第二子接触孔220暴露触孔210底部向沟槽隔离结构111内延伸。作为示例，第二子接触孔220的深度范围为3nm_[0095]在第一次快速热退火处理中，金属层可以与第一掺杂区122中的半导体材料进行热退火处理反应的金属层，即使用湿法刻蚀的方法去除远离第一掺杂区122的金属层。如(接触层150)同时位于外延层160的顶面以及接[0097]在第二次快速热退火处理中，可以将过渡电接触层150转换为具有较低的电阻的具有接触层150能够降低第一掺杂区122与接触[0106]进而外延生长后，外延层160也可以填满第二子接触孔220并位于第一掺杂区122接触插塞142通过接触层150和晶体管的源区或漏区和第一掺杂区122中的半导体材料进行反应形位于第一子接触孔220底部与侧壁的第一掺杂区122的表面形成均接触层150，从而可以有效增加接触层150的面积，进而更加有效降低接触插塞142与第一掺杂区122之间的接触电[0120]在一个实施例中，位于同一沟槽隔离结构111在第一方向上的两侧的相邻两个有源区112中，彼此靠近的第一掺杂区122对应的第一接触孔结构140在沿第二方向延伸的直[0122]两个第一接触结构140在沿第二方向延伸的直线上的正投影可以是两个第一接触触结构140在沿第二方向延伸的直线上的正投影可以是两个第一接触结构140分别向直线[0123]由于第一接触结构140在第一方向上跨越第一掺杂区与沟槽隔离结构，因此缩短构140具有电压时，相邻的两个有源区112的彼此靠近第一接触结构140可能会发生耦合干[0128]在一个实施例中，基于同一有源区112形成有至少两个沿第一方向排列的两个晶触孔300暴露的第二掺杂区123的表面形成步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流[0143]基底110包括衬底以及位于衬底内的沟槽隔离结构111。沟槽隔离结构111的材料[0144]沟槽隔离结构111在衬底内限定出多个间隔设置的有源区112，有源区112沿第一[0145]晶体管120包括位于有源区112上的栅极结构121和在第一方向上位于栅极结构[0148]在第一方向上位于栅极结构121一侧的第一掺杂区122为晶体管120的源极和漏极中一者。当同一有源区112上形成一个晶体管120时，同一有源区112包括两个第一掺杂区122。此时，在第一方向上位于栅极结构121另一侧的第一掺杂区122为源极和漏极中另一[0152]第一接触结构140自介质层130上表面向内延伸贯穿介质层130至沟槽隔离结构[0153]第一接触结构140底壁在基底110上的正投影在第一方向上跨越第一掺杂区122与[0164]外延层160包括第一外延部与第二外延部，第一外延部在第一方向上位于沟槽隔而使得接触插塞142通过接触层150和外延层160与第一掺杂区122连接。外延层160与接触层150进一步降低了接触插塞142与第过接触层150与外延层160和第一掺杂区相邻两个有源区112中，彼此靠近的第一掺杂区122对应的第一接触孔结构140在沿第二方[0173]两个第一接触结构140在沿第二方向延伸的直线上的正投影可以是两个第一接触触结构140在沿第二方向延伸的直线上的正投影可以是两个第一接触结构140分别向直线[0178]在一个实施例中，基于同一有源区112形成有至少两个沿第一方向排列的两个晶体管时半导体结构还包括第二掺杂区123掺杂区123和第一掺杂区122依次排列。的长度为本实施例中相邻栅极结构121之间的距离相对于传统技术的相邻栅极结构之间的