CN119451257A 背照式图像传感器的制备方法及背照式图像传感器 （合肥晶合集成电路股份有限公司）

背照式图像传感器的制备方法及背照式图本发明提供一种背照式图像传感器的制备个所述沟槽的内壁及所述沟槽两侧的所述衬底本发明的制备方法可以有效改善离子损伤及光2在多个所述沟槽的内壁及所述沟槽两侧的所述衬底上形在所述衬底背离所述金属互连结构的一侧形在所述第一类型硅材料上外延形成第二类型硅材料；其中，将所述衬底设置所述金属互连结构的一侧与在所述衬底背离所述光电感应区的一侧形成层叠结构，所述层在所述层叠结构上形成具有格栅图案的光刻胶层，所述光刻栅结构。34[0003]CMOS图像传感器按照接收光线的位置又可分为前照式图像传感器（FrontSide[0005]为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供一种背照式图像传感器的制备方在多个所述沟槽的内壁及所述沟槽两侧的所述衬底上形在所述衬底背离所述金属互连结构的一侧形[0007]在本发明一实施例中，向形成有所述氮化物隔离层的所述沟槽内填充半导体材5[0008]在本发明一实施例中，向形成有所述氮化物隔离层的所述沟槽内填充半导体材[0009]在本发明一实施例中，对所述衬底背离所述金属互连结构的一侧进行减薄的步将所述衬底设置所述金属互连结构的一侧与所述半导体材料及去除所述沟槽两侧的所述衬底上的所述氮化6述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定[0023]传统的BSI制程中，大多采用高能量离子注入的方式形成光电感应区（Photo7利用氮化物隔离层优异的隔离性能可以有效改善光电感应区之S2、在多个所述沟槽101的内壁及所述沟槽101两侧的所述衬底100上形成氮化物S6、在所述衬底100背离所述金属互连结构130的一侧形成格栅结构150（参见图 其它III/V族化合物形成的半导体材料等；衬底100还可以为叠层结构，例如硅/锗/硅叠层等；衬底100还可以为绝缘体上硅（Silicon_On_Insulator，简称SOI）、绝缘体上锗三个区域，则衬底100上形成三个沟槽101。衬底100具有沿厚度方向相对设置的正面和反化层作为缓冲层可以改善衬底100与后续形成的垫氮化层之间的应力，垫氧化层例如为致层例如为氮化硅（SiN垫氮化层可以作为沟槽101刻蚀时的硬掩模，保护衬底100不受损伤。垫氮化层可以采用低压化学气相沉积法（LPCVD）、等离子体增强化学气相沉积法8100的暴露区域均沉积有氮化物，即沟槽101的底壁和侧壁及沟槽101两侧的衬底100的表子损伤，本申请采用外延的方式向沟槽101内填充不同类型的半导体材料形成光电感应区9[0035]由于采用外延方式填充半导体材料，其上表面不平整，并且沟槽101两侧的衬底覆盖光电感应区120。金属互连结构130用于将背照式图像传感器的各功能单元连接起来，连金属线例如可采用大马士革镶嵌工艺形成。金属互连结构130还可采用本领域其他合适[0039]具体过程如下：将衬底100设有金属互连结构130的一侧与承载晶圆200键合，其2第二格栅层位[0045]氮化物隔离层110设置在多个沟槽101的内壁上；氮化物隔离层110的材料例如可质层的材料例如为氧化硅或其他低介质材料层，互连金属线可以选用电阻较小的金属材2第二格栅层位于第一格栅层上，第二格发明有效克服了现有技术中的一些实际问题从而有很高的利用价值和