CN119451263A 一种太阳能电池硅片的氧化退火方法、硅片及电池 （一道新能源科技股份有限公司）_第1页
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文档简介

本发明实施例提供了一种太阳能电池硅片能够有效解决现有氧化退火工艺在硅片表面形2设定目标温度为670～690℃,在900～1060mbar的气压条件下通入10000～20000sccm在气压为900～1060mbar、温度650～670℃的条件下通入流量为10000～15000sccm的在炉管进舟后温度设定670～690℃,通入氮气5000～10000sccm，并在常压900~7.根据权利要求1～6任一所述的氧化退火将硅片回温至690℃,并在回温过程中通入9.一种太阳能电池硅片，其特征在于，采用如权利3面形成的氧化层对硅片表面亲水性改善效果不佳，导致原子层沉积(AtomicLayer[0006]本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种太阳能电池硅片的氧化退火方法、[0014]设定目标温度为670～690℃,在900～1060mbar的气压条件下通入10000~[0016]在气压为900～1060mbar、温度650～670℃的条件下通入流量为10000~[0018]在气压为900～1060mbar、温度650～670℃的条件下，通入流量为20000~4[0020]在炉管进舟后温度设定670～690℃,通入氮气5000～10000sccm，并在常压900~现有氧化退火工艺在硅片表面形成的氧化层对硅片表面亲水性改善效果不佳，导致ALD沉[0032]PERC电池或叠瓦电池等太阳能电池的工艺制造流程包括制绒处理、扩散掺杂处流程中硅片表面亲水性改善效果不佳，导致ALD沉积氧化铝时易出现边黑绕镀问题故硅片5[0039]设定目标温度为670～690℃,在900～1060mbar的气压条件下通入10000~[0040]其中，在炉管进舟后，加热控温系统自动控温至目标温度，同时向炉管内通入[0048]在气压为900～1060mbar、温度650～670℃的条件下通入流量为10000~[0051]在气压为900～1060mbar、温度为650～670℃的条件下，通入流量为20000~6为氧在硅基体中固溶度最低状态对应的温度，即控制氧在硅基体中固溶度最低状态氧化，量为10000～15000sccm的氮气并量为10000～15000sccm的氮气并量为10000～15000sccm的氮气并7[0078](1)、进舟：炉管进舟后温度设定680℃,通入流量7000sccm的氮气，并在常压[0080](3)、第一次低温退火：在气压为900mbar、温度660℃的条件下通入流量为[0081](4)、第一次有氧氧化：在气压为900mbar、温度660℃的条件下，通入流量为[0082](5)、第二次低温退火：在气压为900mbar、温度660℃的条件下通入流量为[0083](6)、第二次有氧氧化：在气压为900mbar、温度660℃的条件下，通入流量为[0084](7)、第三次低温退火：在气压为900mbar、温度660℃的条件下通入流量为[0085](8)、第三次有氧氧化：

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