CN109728039B 显示装置和用于制造显示装置的方法 （三星显示有限公司）

US2012256201A1,201US2017222188A1,2017.本发明涉及显示装置和制造显示装置的方布置在像素电路单元上，密封单元位于阻光层层与像素电路单元之间并且具有位于凹陷部与2发光层，所述发光层布置在所述像素电路单元上，以与由第二层，所述第二层布置在所述第一层与所述像素电路壁相对于所述第一层与所述第二层之间的界面驱动电路单元，所述驱动电路单元位于所述非显示区域中，并且连多个时钟线，所述多个时钟线布置在所述非显示区域3发光层，所述发光层布置在所述像素电路单元上，以与由第二层，所述第二层布置在所述第一层上，并且具有位于第三层，所述第三层布置在所述第二层上，并且具有位于4至少一个第一复合无机层，所述至少一个第一复合无机层的第一复合无机层中的一个中的所述第二无机层与包括在所述至少一个第一复合无机层包括在所述至少一个第一复合无机层中所述相邻的第一复合无机层中的所述一个中的所述第二无机层和包括在所述至少一个第一复合无机层中所述相邻的第一复合无机层相邻的第一复合无机层中的所述一个中的所述第二无机层和包括在所述至少一个第一复合无机层中所述相邻的第一复合无机层中的所述另一个中的所述相邻的第一复合无机层中的所述一个中的所述第二无机层和包括在所述至少一个第一复5合无机层中所述相邻的第一复合无机层中的所述另一个中的所述第二无机层具有相等的x2O3和SiOx中的至少一种。第一辅助无机层，所述第一辅助无机层位于所述至少一至少一个第二复合无机层，所述至少一个第二复合无机层定位机层和所述至少一个第二复合无机层的所述第二无机层具有彼此不所述至少一个第二复合无机层的所述第二无机层和所述至少一个第一复合无机层的机层和所述至少一个第二复合无机层的所述第二述第一无机层的折射率与包括在所述至少一个第二复合无机层中的所述第二无机层的折第二辅助无机层，所述第二辅助无机层位于所述至少一述至少一个第二复合无机层中的所述第二无机层6极朝向所述有机层的方向交替地排列，所述第一无机层和所述第二无机层具有彼此不同的折射率，并且彼此相7至少一个第一复合无机层，所述至少一个第一复合无机层8[0002]本申请要求于2017年10月30日提交的第10-2017-0142792号韩国专利申请以及于2018年1月30日提交的第10-2018-0011478号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有[0007]本发明示例性实施方式可涉及能够增强密封单元与衬底之间的联接力并且具有布置在像素电路单元上以与由阻光层限定的发光区域对应，并且密封单元位于阻光层上。9非显示区域中并且连接到像素电路单元的扫描置在有机层与公共电极之间。所述至少一个第一复合无机层包括第一无机层和第二无机中的一个中的第二无机层与包括在至少一个第一复合无机层中相邻的第一复合无机层中无机层中的一个中的第二无机层和包括在至少一个第一复合无机层中相邻的第一复合无机层中的另一个中的第一无机层可具有彼此不中的一个中的第二无机层与包括在至少一个第一复合无机层中相邻的第一复合无机层中中的一个中的第二无机层与包括在至少一个第一复合无机层中相邻的第一复合无机层中[0037]在示例性实施方式中，至少一个第一复合无机层可包括至少五个第一复合无机[0042]在示例性实施方式中，至少一个第二复合无机层可包括第一无机层和第二无机无机层和至少一个第一复合无机层的第二无机层可具有基本上与包括在至少一个第二复合无机层中的第二无机层的折射率之差可基本上等于或大于约[0053]在示例性实施方式中，第一无机层与第二无机层之间的界面可具有第一凹凸图[0061]图3为示出包括图1中所示的像素中的一个像素和与其连接的线的显示装置的详[0084]图26为示出根据本发明的复合无机多层的透射率根据太阳光的施加的变化的示[0085]图27为示出根据本发明的复合无机多层的透射率根据太阳光的施加的变化的示[0086]图28为示出根据本发明的复合无机多层的透射率根据太阳光的施加的变化的另[0087]图29为示出根据本发明的复合无机层中所包括的每个无机层的材料和折射率的[0088]图30为示出根据本发明的复合无机层的组合的示例性实施方式和根据本发明的[0090]图32A为示出布置在SiNx层上并且包括SiNx和SiOx的复合无机多层的透射率的表[0093]图33A为示出布置在SiNx层上并且包括TiO2和Al2O3的复合无机多层的透射率和厚[0096]图34A为示出包括TiO2层和具有比TiO2的折射率小的折射率的无机层的复合无机[0102]图37A至图37M为用于解释根据本发明的显示装置的制造工艺的示例性实施方式[0116]下文中，将参照图1至图42对根据本发明示例性实施方式的显示装置以及制造显[0122]扫描驱动器102和发射控制驱动器103可在衬底100上通过与形成像素PX的工艺基驱动器103的开关元件和像素PX的开关元件可通过光刻工艺形成在衬底1[0127]上述扫描线SL0至SLi+1中最靠近数据驱动器104的扫描线SL0被定义为第一虚拟扫描线SL0，并且上述扫描线SL0至SLi+1中最远离数据驱动器104的扫描线SLi+1被定义为第二虚拟扫描线SLi+1。另外，第一虚拟扫描线SL0与第二虚拟扫描线SLi+1之间的扫描线SL1至SLi从靠近数据驱动器104的扫描线开始顺序地被分别定义为第一扫描线SL1至第i扫[0128]扫描驱动器102根据从时序控制器（未示出）提供的扫描控制信号而产生扫描信从扫描驱动器102输出的第二虚拟扫描信号被施加到第二虚拟扫描线[0129]在一个帧周期期间，扫描驱动器102从第一扫描信号开始顺序地输出第一扫描信SL0至SLi+1从第一虚拟扫描线SL0开出的第一发射控制信号至第k发射控制信号分别施加到第一发射控制线EL1至第k发射控制[0131]数据驱动器104将第一数据电压至第j数据电压分别施加到第一数据线DL1至第j据信号和数据控制信号。另外，数据驱动器104根据数据控制信号对图像数据信号进行采上同步地将经锁存的图像数据信号施加到数据线DL1至D[0132]像素PX在衬底100上以矩阵的形式排列在显示区域100a中。像素PX发射具有彼此数据线DL1连接的多个像素PX之中，最靠近数据驱动器104的蓝色像素与接收具有不同的输据驱动器104第三远的绿色像素与接收以不同的输出时序施加的扫描信号的三个扫描线绿色像素独立地连接到第三扫描线SL3，并且上述的第三绿色像素独立地连接到第五扫描在于连接到第一像素的扫描线中的至少一个扫描线与连接到第二像素的扫描线中的至少接到相同发射控制线的像素中的每个像素连接到相同扫描线。在一个示例性实施方式中，二扫描线SL2和第三数据线DL3的红色像素。据DL2和第一扫描线SL1的绿色像素以及连接到第四数据线DL4和第一扫描线SL1的绿色像[0142]每个像素PX通常从电源105接收高电位驱动电压ELVDD、低电位驱动电压ELVSS和元件T6和第七开关元件T7中的每个可为N型关元件T1的源电极和漏电极中的另一个连接到第三元件T2的源电极和漏电极中的另一个连接到第二节点n2。第n扫描线SLn上施加有第n扫描开关元件T3的源电极和漏电极中的另一个连为电力供给线中的一个的高电位线VDL之间。第五开关元件T5的源电极和漏电极中的一个连接到高电位线VDL，并且第五开关元件T5的源电极和漏电极中的另一个连接到第二节点[0153]存储电容器Cst连接在高电位线VDL与第一节点n1之间。存储电容器Cst将施加到[0159]图3为示出包括图1中所示的像素中的一个像素和与其连接的线的显示装置的详x2xNyx2[0181]缓冲层120布置在衬底100的第四层114上。缓冲层120可布置在第四层114的整个[0182]缓冲层120用于防止不期望的元素的渗透并用于使其下方的表面平坦化，并且可2xNy[0186]第一源电极SE1、第二漏电极DE2和第五漏电极DE5彼此连接。在示例性实施方式[0187]第一漏电极DE1、第三源电极SE3和第六源电极SE6彼此连接。在示例性实施方式和第七栅电极GE7位于栅极绝缘层140与第一制线EL位于栅极绝缘层140与第一绝缘中栅电极GE2与半导体层321的第二沟道区CH2重叠，第三栅电极GE3与半导体层321的第三沟第七栅电极GE7与半导体层321的第七沟道区Cn扫描线SLn的与半导体层321重叠的部分可对应于第三栅电构包括具有彼此不同的物理属性的至少两个导电层。每个以及扫描线可通过基本上相同的工艺基本控制线EL和扫描线可通过基本上相同的工艺基本一绝缘中间层150的厚度可大于栅极绝缘层140的厚度。第一绝缘中间层150可包括与包括[0205]如图5中所示，电容器电极201布置在第一绝缘中间层150上。在示例性实施方式存储电容器Cst的第一电极，并且电容器电极201的与第一栅电极GE1重叠的部分对应于存线IL位于第一绝缘中间层150与第二绝可具有诸如圆形形状或三角形形状的各种形状轴方向上彼此相邻的像素的电容器电极201可被整体地提供为一体地提供的、单个一体的层160可包括与包括在上述的栅极绝缘层140中的材料基通过第七接触孔17连接到第五源电极SE5。第七接触孔17被限定为穿过第二绝缘中间层[0220]平坦化层180用于消除其下方的高度差，以提高待布置在其上的LED的发光效酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯个，并且发光层512与公共电极613之间还可布置有电子传输层（“ETL”）和电子注入层用于基本上最小化位于衬底100的显示区域100a中的层与位于衬底100的非显示区域100b[0228]发光层512布置在发光区域900中的像素电极PE上，并且公共电极613布置在阻光[0229]像素电极PE和公共电极613可被提供为透射电极、半透反射电极和反射电极中的在这种示例性实施方结构包括包含金属或金属合金的金属层和堆叠中，沿Z轴方向交替地层叠有一个或多个无机层和一个或多个有机层。在示例性实施方式[0234]下无机层751和上无机层752可包括与包括在上述的第二层112中的材料基本上相有定位成与延伸部750b对应的第二孔22，并且阻光层190中限定有定位成与延伸部750b对[0239]衬底100的凹陷部20可例如位于衬底100的第三层113中。凹陷部20位于像素电路实例，在Z轴方向上测量的凹陷部20与基础层110之间的距离小于在Z轴方向上测量的开关[0244]凹陷部20的相互面对的内壁W1和W2中的至少一个相对于第三层113与第四层114的内壁W1和W2中的至少一个与界面S1和S2之间的角度θ1和θ2为钝角。作为更具体的实例，限定在内壁W1与相邻于内壁W1的界面S1之间的角度θ1为钝角。[0247]第二孔22指的是连续地穿过包括在像素电路单元200中的绝缘层的孔。在示例性一中间层孔22-3具有沿Z轴方向逐渐增加的宽度（或者，直径第二中间层孔22-4具有沿Z轴方向逐渐增加的宽度（或者，直径并且平坦化孔22-5具有沿Z轴方向逐渐增加的宽度凹陷部20和插入到第一孔21中的延伸部750b的横截面也可具750与衬底100之间的联接力以及密封单元750与其下方的结构之间的根据本发明示例性实施方式，由于密封单元750与衬底100之间的联接力可通过密封单元被定义为一个联接凹陷部220时，联接凹陷部220和延伸部750b可位于衬底100的显示区域[0261]在图8中示出了多个像素，并且共同地连接到第m发射控制线ELm的四个像素分别[0262]图8的第二像素PX2与上述的图3的像素PX基本上相同。第一像素PX1、第三像素种示例性实施方式中，第一单位像素的第二像素PX2与相邻于其上侧的另外三个像素一同限定另一个单位像素，并且第一单位像素的第六像素PX6与相邻于其下侧的又另外三个像素一同限定又一个单位像素。在这种示例性实施方式中，显示装置包括pentile结构的像[0268]包括在发射具有基本上相同颜色光的像素中的像素电极可具有彼此基本上相等第七开关元件T7以及存储电容器Cst的详细描述将参照图PX3和第四像素PX4连接到相同的扫描线和相同的发射控制线。在一个示例性实施方式中，[0281]如图8中所示，显示区域100a中的联接凹陷部220可位于彼此相邻的高电位线VDL[0287]复合无机层可包括具有彼此不同的折射率的第一无机层1-01和第二无机层1-02[0291]复合无机层1000可包括第一无机层1-01和位于第一无机层1-01上的第二无机层[0292]第一无机层1-01可位于公共电极613与第二无机层1-02之间，并且第二无机层1-TiO2x括TiO2xx22O3[0298]第一无机层1-01的折射率与第二无机层1-02的2具有约2.288的折射率并且SiOx具有在约1.83因此包含这些材料的第一无机层1-01和第二无机层1-02可具有在约0.406至约0.455的范复合无机层1000。在示例性实施方式中，例如，复合无机层1000可包括第一复合无机层合无机层1001可位于公共电极613与第二复合无机层第二复合无机层1002可位于第一复合无机层1001与第三复合第三复合无机层1003可位于第二复合无机层1002与第四复合第四复合无机层1004可位于第三复合无机层1003与[0306]第一复合无机层1001可包括第一无机层1-01和位于第一无机层1-01上的第二无[0307]第二复合无机层1002可包括第三无机层2-03和位于第三无机层2-03上的第四无[0308]第三复合无机层1003可包括第五无机层3-05和位于第五无机层3-05上的第六无[0309]第四复合无机层1004可包括第七无机层4-07和位于第七无机层4-07上的第八无SiNx[0312]第一无机层1-01的折射率与第二无机层1-02的此包含这些材料的第一无机层1-01和第二无机层1-02可具有在约0.406至约0.455的范围[0313]在示例性实施方式中，第二无机层1-02的折射率可高于第一无机层1-01的折射[0315]第三无机层2-03可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同的[0317]第五无机层3-05可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同的[0319]第七无机层4-07可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同的复合无机层1000。在示例性实施方式中，例如，复合无机层1000可包括第一复合无机层和第四复合无机层1004分别与图12中所示的第一复合无机层1001、第二复合无机层1002、第三复合无机层1003和第四复合无机层1004基本上相同。然而，图13的第四复合无机层1004位于第三复合无机层1003与第五复合第五复合无机层1005可位于第四复合无机层1004与[0324]第五复合无机层1005可包括第九无机层5-09和位于第九无机层5-09上的第十无[0326]第九无机层5-09可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同的复合无机层1000。在示例性实施方式中，例如，复合无机层1000可包括第一复合无机层和第四复合无机层1004分别与图12中所示的第一复合无机层1001、第二复合无机层1002、第三复合无机层1003和第四复合无机层1004基本上相同。然而，图14的第四复合无机层1004位于第三复合无机层1003与第五复合第六复合无机层1006可位于第五复合无机层1005与第七复合第七复合无机层1007可位于第六复合无机层1006与第八复合第八复合无机层1008可位于第七复合无机层1007与[0334]第六复合无机层1006可包括第十一无机层6-11和位于第十一无机层6-11上的第[0335]第七复合无机层1007可包括第十三无机层7-13和位于第十三无机层7-13上的第[0336]第八复合无机层1008可包括第十五无机层8-15和位于第十五无机层8-15上的第与第十六无机层8-16之间，并且第十六无机层8-16可位于第十五无机层8-15与下无机层[0338]第十一无机层6-11可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同[0340]第十三无机层7-13可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同[0342]第十五无机层8-15可包括与包括在上述的第一无机层1-01中的材料基本上相同[0344]如图15中所示，密封单元750可包括有机层755、上无机层752和多个复合无机层复合无机层1000。在示例性实施方式中，例如，复合无机层1000可包括第一复合无机层合无机层1011可位于上无机层752与第二复合无机层第二复合无机层1022可位于第一复合无机层1011与第三复合第三复合无机层1033可位于第二复合无机层1022与第四复合[0353]第一复合无机层1011可包括第一无机层11-01和位于第一无机层11-01上的第二机层11-02之间，并且第二无机层11-02可位于第一无机层11-01与第二复合无机层1022之[0354]第二复合无机层1022可包括第三无机层22-03和位于第三无机层22-03上的第四四无机层22-04之间，并且第四无机层22-04可位于第三无机层22-03与第三复合无机层[0355]第三复合无机层1033可包括第五无机层33-05和位于第五无机层33-05上的第六六无机层33-06之间，并且第六无机层33-06可位于第五无机层33-05与第四复合无机层[0356]第四复合无机层1044可包括第七无机层44-07和位于第七无机层44-07上的第八[0358]在示例性实施方式中，例如，第一无机层11-01和第二无机层11-02可包括诸如TiO2x[0359]例如，第一无机层11-01的折射率与第二无机层12具有约2.288的折射率并且SiOx具有在约1.833至约1.882的范围内的折射率，因此包含这些材料的第一无机层11-01和第二无机层11-02可具有在约0.406[0362]第三无机层22-03可包括与包括在上述的第一无机层11-01中的材料基本上相同[0364]第五无机层33-05可包括与包括在上述的第一无机层11-01中的材料基本上相同[0366]第七无机层44-07可包括与包括在上述的第一无机层11-01中的材料基本上相同[0369]如图17中所示，密封单元750可包括下无机层751、有机层755和多个复合无机层和第四下复合无机层1004分别与上述的图12的第一复合无机层1001、第二复合无机层和第四上复合无机层1044分别与上述的图16的第一复合无机层1011、第二复合无机层实施方式中，例如，复合无机层1000可包括第一下复合无机层1001、第二下复合无机层[0378]与图18的密封单元750不同，图19的密封单元750不包括下无机层751和上无机层[0379]图19的有机层755、第一下复合无机层1001至第四下复合无机层1004和第一上复合无机层1011至第四上复合无机层1044分别与图18的有机层755、第一下复合无机层1001至第四下复合无机层1004和第一上复合无机层1011至第四上复合无机层1044基本上相同。图19的第一上复合无机层1011可位于有机层[0381]如图20中所示，密封单元750可包括有机层755、下无机层751和多个复合无机层复合无机层1002、第三下复合无机层1003、第四下复合无机层1004、第一上复合无机层[0383]图20的有机层755、下无机层751、第一下复合无机层1001至第四下复合无机层[0385]如图21中所示，密封单元750可包括有机层755、上无机层752和多个复合无机层复合无机层1002、第三下复合无机层1003、第四下复合无机层1004、第一上复合无机层[0387]图21的有机层755、上无机层752、第一下复合无机层1001至第四下复合无机层1004和第一上复合无机层1011至第[0388]然而，图21的第四下复合无机层1004可位于第三下复合无机层1003与有机层755单元可具有包括一个复合无机层的复合无机单层结构或者包括多个复合无机层的复合无复合无机层中的一个中的无机层与包括在复合无机层中的相邻复合无机层中的另一个中[0395]辅助无机层2000定位成靠近复合无机层1000中最靠近有机层755的一个复合无机[0396]辅助无机层2000可具有与包括在与其相邻的第四复合无机层1004中的任何无机[0400]辅助无机层4000定位成靠近复合无机层1000中最靠近有机层755的一个复合无机[0401]辅助无机层4000可具有与包括在与其相邻的第一复合无机层1011中的任何无机复合无机层1000。在示例性实施方式中，例如，复合无机层1000可包括第一复合无机层可包括覆盖层6000a和金属层600表面11和22中的第二无机层1-02的表面被定义为第二表面22时，第一表面11包括凹部11a11的凸部11b插入到第二表面22的凹部22a中，并且第二表面22的凸部22b插入到第一表面[0414]第二界面S2包括第二无机层1-02和下无机层751的相互面对的表面33和44。当相部33b插入到第四表面44的凹部44a中，并且第四表面44的凸部44b插入到第三表面33的凹[0416]包括在第一界面S1中的凸部11b或22b的排列方向与包括在第二界面S2中的凸部[0419]图26为示出根据本发明示例性实施方式的复合无机多层的透射率根据太阳光的[0422]第一曲线C1至第七曲线C7示出了每种复合无机多层的根据太阳光的波长的透射[0423]第一复合无机多层具有交替地堆叠有两个TiO2无机层和两个ATiO2无机层和八个Al2O3无机层的[0425]图27为示出根据本发明示例性实施方式的复合无机多层的透射率根据太阳光的[0430]图28为示出根据本发明另一示例性实施方式的复合无机多层的透射率根据太阳机层的复合无机多层的透射率。具体地，基准曲线C0表示复合无机多层的透射率的模加太阳光长达相对长的时间之后具有优异的U[0435]图29为示出根据本发明示例性实施方式的复合无机层中所包括的每个无机层的2作为高[0438]图30为示出根据本发明示例性实施方式的复合无机层的组合和根据本发明示例[0445]如图30中所示，第一组合①在约405nm和约450nm波长范围内的透射率分别为约和约74.35%，第三组合③在约405nm和约450nm波长范围内的透射率分别为约8.60%和约第五组合⑤在约405nm和约450nm波长范围内的透射率分别为约7.41%和约78.10%，六组合⑥在约405nm和约450nm波长范围内的透射率分别为约7.25%和约[0450]图32A为示出布置在SiNx层上并且包括SiNx和SiOx的复合无机多层的透射率的表x的折射[0453]图32B和图32C中的第一曲线C1至第九曲线至C9示出了每种复合无机多层的根据SiNx无机层和十个SiOx无机层的结[0457]如图32A中所示，第四复合无机多层在约405nm和约450nm波长范围内的透射率分层和第九复合无机多层中的一个的密封单元可具有优异的UV[0459]图33A为示出布置在SiNx层上并且包括TiO2和Al2O3的复合无机多层的透射率和厚[0462]第一曲线C1至第七曲线C7示出了每种复合无机多层的根据太阳光的波长的透射替地堆叠有三个TiO2无机层和三个Al2O3无机层的结构，第三复合无机多层具有在SiNx层TiO2无机层和六个Al2O3无机层的结构，第六复合无机多层具有在SiNx层（例如，上无机层构。[0465]参照图33A，第二复合无机多层在约405nm和约450nm波长范围内的透射率分别为[0468]图34A为示出包括TiO2层和具有比TiO2的折射率小的折射率的无机层的复合无机[0470]如图34A中所示，根据本发明示例性实施方式的第一复合无机多层①包括包含[0471]如图34A中所示，根据本发明示例性实施方式的第二复合无机多层②包括包含[0472]如图34A中所示，根据本发明示例性实施方式的第三复合无机多层③包括包含[0473]如图34A中所示，根据本发明示例性实施方式的第四复合无机多层④包括包含[0474]如图34A中所示，根据本发明示例性实施方式的第五复合无机多层⑤包括包含[0475]如图34A中所示，根据本发明示例性实施方式的第六复合无机多层⑥包括包含[0476]上述的第一复合无机多层①至第六复合无机多层⑥可各自包括相同数量的复合可包括七个复合无机层。作为具体实例，第一复合无机多层①可具有交替地堆叠有七个合无机层L4的TiO2无机层可具有约403Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0485]在示例性实施方式中，第一密封单元①的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751下方，并且第一密封单元①的第一复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下Al2O3无机层可具有约1470Å的厚度，第二复合无机层L2的TiO2无机层可具有约87Å的厚合无机层L4的TiO2无机层可具有约202Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0490]在示例性实施方式中，第二密封单元②的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751下方，并且第二密封单元②的第二复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下无机层L7可位于Al2O3辅助无机层与公共电极613之间。另外，在复合无机层中的每个中的合无机层L4的TiO2无机层可具有约403Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0495]在示例性实施方式中，第三密封单元③的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751之下，并且第三密封单元③的第三复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下Al2O3无机层可具有约1470Å的厚度，第二复合无机层L2的TiO2无机层可具有约87Å的厚合无机层L4的TiO2无机层可具有约202Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0500]在示例性实施方式中，第四密封单元④的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751下方，并且第四密封单元④的第四复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下无机层L7可位于Al2O3辅助无机层与公共电极613之间。另外，在复合无机层中的每个中的合无机层L4的TiO2无机层可具有约403Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0505]在示例性实施方式中，第五密封单元⑤的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751之下，并且第五密封单元⑤的第五复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下Al2O3无机层可具有约1040Å的厚度，第二复合无机层L2的TiO2无机层可具有约206Å的厚合无机层L4的TiO2无机层可具有约253Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0510]在示例性实施方式中，第六密封单元⑥的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751下方，并且第六密封单元⑥的第六复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下无机层L7可位于Al2O3辅助无机层与公共电极613之间。另外，在复合无机层中的每个中的[0511]第七密封单元⑦可包括Al2O3辅助无机层和布置在Al2O3辅助无机层上的第七复合无机多层。在示例性实施方式中，第七密封单元⑦的Al2O3辅助无机层可布置在有机层755Å的厚度，第一复合无机层L1的TiO2无机层可具有约164Å的厚度，第一复合无机层L1的Al2O3无机层可具有约709Å的厚度，第二复合无机层L2的TiO2无机层可具有约250Å的厚合无机层L4的TiO2无机层可具有约403Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0515]在示例性实施方式中，第七密封单元⑦的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751下方，并且第七密封单元⑦的第七复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下[0516]第八密封单元⑧可包括Al2O3辅助无机层和布置在Al2O3辅助无机层上的第八复合无机多层。在示例性实施方式中，第八密封单元⑧的Al2O3辅助无机层可布置在有机层755Å的厚度，第一复合无机层L1的TiO2无机层可具有约35Å的厚度，第一复合无机层L1的Al2O3无机层可具有约1040Å的厚度，第二复合无机层L2的TiO2无机层可具有约206Å的厚合无机层L4的TiO2无机层可具有约253Å的厚度，第四复合无机层L4的Al2O3无机层可具有[0520]在示例性实施方式中，第八密封单元⑧的Al2O3辅助无机层可位于或下无机层751下方，并且第八密封单元⑧的第八复合无机多层可位于Al2O3辅助无机层下无机层L7可位于Al2O3辅助无机层与公共电极613之间。另外，在复合无机层中的每个中的[0521]在示例性实施方式中，根据本发明各种实施方式的密封单元750也可应用于柔性[0528]图37A至图37M为用于解释根据本发明示例性实施方式的显示装置的制造工艺的[0534]在示例性实施方式中，例如，可通过使用蚀刻气体的干蚀刻方法去除平坦化层致抗蚀剂图案PR掩蔽除了缓冲层120的一部分以外[0541]在示例性实施方式中，图37E和图37F中所示的工艺可与去除位于图1中所示的显定位有数据驱动器104的部分在朝向显示装置5555的后表面旋转时相对于弯曲部77弯曲。2有机材料的第三层113。孔21的宽度。当第三层113的凹陷部20的宽度由于氧蚀刻时间足够长而大于第一孔21的宽[0553]如图37L中所示，通过图37J至图37L制造的密封单元750包括盖部750a和延伸部20。换言之，由激光束LL选择性地去除第三层113的表面的由光致抗蚀剂图案PR暴露的部在第三层113中发生底切现象的程度时，第三层113的凹陷部20可具有比第四层114的第一[0561]图39为根据本发明另一示例性实施方式的沿图3的[0563]为此，像素电路单元200和阻光层190中在与密封单元750的延伸部750b对应的部[0564]像素电路单元200的凹陷部40可例如位于像素电路单元200的第一绝缘中间层150像素电路单元200的第二孔42可位于像素电路单元200的[0567]如图39和图40中所示，凹陷部40具有沿从第一绝缘中间层150朝向第二绝缘中间[0568]凹陷部40的相互面对的内壁W11和W22中的至少一个相对于第一绝缘中间层150与部40和第一孔41中的延伸部750b的横截面也可具被定义为一个联接凹陷部440时，联接凹陷部440和延伸部750b可位于衬底100的显示区域[0579]显示区域100a中的延伸部750b和联接凹陷部440可位于彼此相邻的高电位线VDL[0587]图41中所示的凹陷部20的结构可由上述的激光束LL制成[0591]图42中所示的凹陷部40的结构可由上述的激光束LL制成