CN110380639B 一种压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法 （清华大学合肥公共安全研究院）

本发明公开了一种压电陶瓷功率驱动装置桥驱动电路，光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的输入端，MOS管驱动电路的输出端连2端连接MOS管驱动电路的输入端，所述MOS管驱动电路的输出端连接所述H桥驱动电路的输在控制信号的一个周期内将控制信号按时序划分为T1时段、T2时所述三极管Q2A的发射极与三极管Q1B的发射极连接，三极管Q1B的集电极接光电耦合器U13所述三极管Q1A的发射极与三极管Q2B的发射极连接，三极管Q2B的集电极接光电耦合器U2三极管Q5A的发射极与三极管Q5B的发射极连接，三极管Q5B的集电极接光电耦合器U3的第所述三极管Q6A的发射极与三极管Q6B的发射极连接，三极管Q6B的集电极接光电耦合器U48.根据权利要求1所述的一种压电陶瓷功率驱动装所述变压器T的次级线圈的同名端和异名端分别通过阻抗变换电路与压电陶瓷的输入端连9.根据权利要求1-8任一项所述的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法，其特征在4陶瓷工作电源升压(放电过程)至工作状态所需高压；二是在压电陶瓷微动工作过程(逆压[0005]本发明所要解决的技术问题在于现有技术的压电陶瓷功率驱动装置及其驱动方法易出现变压器偏磁现象以及无法满足特定场合下超声波高[0006]本发明是通过以下技术方案解决上述技术问题的：一种变压器T的次级线圈通过阻抗变换电路连接所述压电陶瓷。所述光电隔离电路隔离输入控5Q2A的基极与三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q2A的发射极与三极管Q1B的发射极连接，三极管Q1B的集电极接光电耦合器U1的第三引脚并接地；所述电阻R2的一端连接所述三极Q1A的基极与三极管Q2B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与三极管Q2B的发射极连接，三极管Q2B的集电极接光电耦合器U2的第三引脚并接地；所述电阻R3的一端连接所述三极电阻R7的一端连接光电耦合器U3的第四引脚，另一端连接三极管Q5A的集电极并接电源Q5A的基极与三极管Q5B的基极连接，所述三极管Q5A的发射极与三极管Q5B的发射极连接，三极管Q5B的集电极接光电耦合器U3的电阻R10的一端连接光电耦合器U4的第四引脚，另一端连接三极管Q6A的集电极并接电源管Q6A的基极与三极管Q6B的基极连接，所述三极管Q6A的发射极与三极管Q6B的发射极连6级线圈的异名端接MOS管Q3B的漏极，所述变压器T的次级线圈的同名端和异名端分别通过耗MOS管构成桥式输出的D类功放，H桥驱动电路输出交变电压驱动变压器，消除变压器偏交变电压驱动变压器，变压器T的初级线圈两端电压峰值增加一倍，实现高频率大功率驱[0022]图3为本发明实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的变压器次级线圈和阻抗[0024]图5为本发明实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法中控制信号时[0025]图6为本发明实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置的驱动方法中变压器初级路包括MOS管驱动电路和H桥驱动电路，所述光电隔离电路的输出端连接MOS管驱动电路的7Q2A的基极与三极管Q1B的基极连接，所述三极管Q2A的发射极与三极管Q1B的发射极连接，三极管Q1B的集电极接光电耦合器U1的第三引脚并接地；所述电阻R2的一端连接所述三极Q1A的基极与三极管Q2B的基极连接，所述三极管Q1A的发射极与三极管Q2B的发射极连接，三极管Q2B的集电极接光电耦合器U2的第三引脚并接地；所述电阻R3的一端连接所述三极电阻R7的一端连接光电耦合器U3的第四引脚，另一端连接三极管Q5A的集电极并接电源Q5A的基极与三极管Q5B的基极连接，所述三极管Q5A的发射极与三极管Q5B的发射极连接，三极管Q5B的集电极接光电耦合器U3的8电阻R10的一端连接光电耦合器U4的第四引脚，另一端连接三极管Q6A的集电极并接电源管Q6A的基极与三极管Q6B的基极连接，所述三极管Q6A的发射极与三极管Q6B的发射极连P的一端为变压器T的次级线圈的同名端TO1，电阻RP的另一端为变压器T的次级[0038]假设一个压电陶瓷串联谐振频率fs为70.4k解得感抗为24.3a，通过公式计算得到变压器T的次级线圈等效电感LP为96所示为本发明实施例提供的一种压电陶瓷功率驱动装置