CN110517993B 具有高散热性的板级扇出封装结构及其制备方法 （广东佛智芯微电子技术研究有限公司）

南海软件科技园内佛高科技智库中心JP2010073943A,2010具有高散热性的板级扇出封装结构及其制本发明公开一种具有高散热性的板级扇出向的一侧面邻近第一封装层的第一侧面；散热2载板，所述载板包括第一封装层和封装于所述第一封装传输层和再布线层，位于所述第二封装层远离所述载板的一侧，所述阻焊层，所述阻焊层位于所述第二封装层远离所述载板所述第一封装层和所述第二封装层的热膨胀系得权利要求1或2所述的高散热性的板级扇出封层的非焊盘区以及使所述再布线层的焊盘区外3S32c、通过真空溅射在所述介电层和所述通孔内形层覆盖所述再布线层的非焊盘区以及使所述再布线层的焊盘区外4更快速地传递到封装外部的主要方法是使用导热率更高的材料和优化封结构的钢性显著降低，封装体内的材料热膨胀系数（CTE，CoefficientThermal式来减缓翘曲问题，例如Manz设备采用双滚轮输送稳定器的水平传送方式来减缓翘曲问[0006]本发明的目的之二在于提供一种具有高散热性的板级扇[0013]作为具有高散热性的板级扇出封装结构的一种优选方案，所述导热框架采用Cu、5使所述芯片的I/O接口外露的通孔，所述种子层延伸至所述通孔内与所述I/O接口电性连所述散热胶将所述芯片贴于所述载板邻近所述导热框布线层的非焊盘区以及使所述再布线层的焊盘区外露于6阻焊层覆盖所述再布线层的非焊盘区以及使所述再布线层的焊盘芯片工作时产生的热量通过散热胶传递至导热框架上，通过导热框架将芯片的热量导出，第一封装层与第二封装层的热膨胀系数相匹配的特性可有效改善芯片封装时出现的翘曲利用。[0054]图10是本发明实施例所述的铜金属层磁控溅射于钛金属层后的中间产品的剖视7可以是两个部件内部的连通或两个部件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而[0077]载板，所述载板包括第一封装层11和封装于所述第一封装层8[0082]其中，所述导热框架12沿其厚度方向的一侧面邻近所述第一封装层11的第一侧作时产生的热量通过散热胶2传递至导热框架12上，通过导热框架12将芯片3的热量导出，12的高强度以及第一封装层11与第二封装层4的热膨胀系数相匹配的特性可有效改善芯片又实现了载板的再利用。[0092]阻焊层7，所述阻焊层7位于所述第二封装层4远离所述载板的一侧并覆盖所述再布线层6的非焊盘区和所述传输层5外露于所述再布线层9电层51上的种子层，所述介电层51沿其厚度方向具有使所述芯片3的I/O接口外露的通孔，所述种子层延伸至所述通孔内与所述I/O接口电性连接。介电层51为ABF（Ajinomoto[0100]进一步地，所述种子层包括位于所述第二封装层4远离所述载板一侧的钛金属层[0102]可选地，第一封装层11和第二封装层4的材料包括聚酰亚胺、硅胶和EMC（Epoxy[0103]如图1至16所示，本发明的实施例还提供一种具有高散热性的板级扇出封装结构所述再布线层6的非焊盘区以及使所述再布线层6的焊盘区外露于所切割成单个芯片的封装体即实现具有高散热性的板[0132]本发明在数百毫米尺寸范围下，可以同时在多个芯片背面设置永久性的散热胶2