CN110660688B 具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法 （英飞凌科技股份有限公司）

US2018122777A1,2018.具有在包封材料中的凹部的半导体装置和本公开的实施例涉及具有在包封材料中的片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每2牺牲材料，被布置在所述半导体芯片的所述第二主表面上方；其中，在到所述第二主表面上的正交投影中，所述凹部的基在去除所述牺牲材料之后，去除所述蚀刻停止层，其中所述半在去除所述牺牲材料之前，在嵌入所述包封材料层中的所述半主表面和所述半导体芯片的所述第一主表面位于在所述半导体芯片的所述第一主表面和所述包封材料层的所述主表面上方形成再布在将所述盖布置在所述凹部上方之后，将利用所述包封材料层3其中所述半导体芯片的所有侧壁都被所述包封材料层包封并与所述包封材料层接触；和其中，在所述包封材料层中的所述凹部布置在所述半导体芯片的所述第二主表面上其中在到所述第二主表面上的正交投影中，在所述包封材料其中通过在所述包封材料层中的所述凹部和所述盖，在半导形成在所述半导体芯片的所述第二主表面的半导体材料其中，通过在所述包封材料层中的所述凹部和所述盖，其中所述半导体芯片的所有侧壁都被所述包封材料层包封并与所述包封材料层接触；和其中，在所述包封材料层中的所述凹部布置在所述半导体芯片的所述第二主表面上其中在垂直于半导体芯片的第一主表面的投影中，在所述基面布置在所述半导体芯片的区域和/或所述包封材料层的区域上方，高频信号在所述区4其中在所述包封材料层中的所述凹部中的所述材料具有的在所述包封材料层中形成的开口，并且所述开口被设计为提供述电接触元件的高频接口或与所述高频接口电连接的高频导线中的至少一其中所述半导体芯片的所有侧壁都被所述蚀刻停止材料覆盖并与所述蚀刻停止材料其中在垂直于所述半导体芯片的第一主表面的投影中，在所其中，通过在所述包封材料层中的所述凹部和所述盖，其中通过在所述包封材料层中的所述凹部和所述盖，在半导5少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片中的每个的上方形直于半导体芯片的第一主表面的投影中，凹部的基面布置在半导体芯片的和/或包封材料体芯片的相对置的主表面上方的材料，其中在垂直于半导体芯片的第一主表面的投影中，材料与半导体芯片的和/或包封材料的至少一个高频区域并不重叠，高频信号在该高频区67由于所描述的实施方式的部件可以在不同取向上体芯片4的相对置的第二主表面8上方的牺涉及一种为了其操作而需要空腔或凹部的传感器芯片。传感器芯片尤其可以包括MEMS810可以是任何合适的可蚀刻材料。牺牲材料10可以包括与半导体芯片4的半导体材料相同封半导体组件2时，至少半导体组件2的侧壁或半导体芯片4的侧壁以及牺牲材料10的侧壁模塑料(moldingcompound)可以设计用于应用在模塑过程发范畴中，例如：模压成型这个或这些半导体组件2嵌入液态玻璃材料中，之后玻璃材料可以被再次冷却到其玻璃化9暴露出位于牺牲材料10下面的可选蚀刻停止层(未示出)或半导体芯片4的相对置的主表面料12的表面构成。所产生的凹部14的几何形状可以特别地取决于牺牲材料10的几何形状，在远离牺牲材料的一侧，因此用于去除牺牲材料的蚀刻处理不会影响半导体芯片4的有源以扩展到结合根据本公开的其他装置和方法[0050]半导体装置200还可以包括一个盖(未示出)，其中，由凹部14和盖形成封闭的空[0054]在图3A中，多个半导体芯片4可以在载体20上彼此间隔开地布置。在图3A的示例热氧化来沉积。在这方面应该指出的是，如果在半导体芯片4粘贴到载体20上之前进行氧半导体芯片4之间的连接可以通过阳极键合(例如，玻璃-硅连接)或直接键合(direct分离的半导体组件2具有带有一部分牺牲材料10以及一部分层26和28的表面6和包封材料12的主表面36可以特别是位于一个共同的平图中。然后可以在半导体芯上平行于半导体芯片4的有源主表面6延伸。导体路径40可以满足再布线或再分配的功能，以便将设置在再布线层38上的电触点44与半导体芯片4的电子结构22(如电触点)电耦合。空腔18在此可以布置在相应半导体芯片4的相对置的主表面8上方。在到相对置的主表面8一示例中，包括多个半导体芯片4的半导体晶片可以布置在载体20上并且随后被分离成多后减薄Dicing-Before-Grind是全等的。基面彼此间的轻微偏差可以通过蚀刻停止层26残留在半导体芯片4的侧壁处的[0080]半导体装置600可以包括半导体芯片4，半导体芯片具有第一主表面6和与第一主表面6相对置的第二主表面8。半导体芯片4可以被包封材料12包封。通过包封材料12和盖材料46固定在包封材料12处。半导体芯片4的电子结构22(例如电触点或半导体芯片4的天线)可以经由再布线层38与外部电接触元件48电连接。蚀刻停止层26的剩余部分可以存在[0082]半导体装置700可以例如类似于图3O的半导体装置300并且具有相应的组件。此半导体材料和能由半导体芯片4的电子结构产生或接收的电磁辐少一个半导体组件中的每个还包括布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上方的牺牲[0086]半导体装置900可以具有半导体芯片4，半导体芯片具有第一主表面6和与第一主[0087]半导体装置900可具有电接触元件48，其可以被布置在半导体芯片4和/或包封材以至少部分地布置在半导体芯片4的下主表面上方。电接触元件48可以具有另外的接口(参照Z轴)中，凹部14的基面可以布置在半导体芯片4和/或包封材料12的一个或多个所述别是并排设置的)TX和RX信道之间的耦合。由此实现的在不同半导体装置的并排设置的TX和RX信道之间的隔离在图13中示出并被讨论。TX或RX信道可以包括TX或RX高频接口48A和覆盖。半导体装置1100可以因此可以一方面通过在并排设置的TX和RX信道之间的隔离提体装置，其包括厚度约为200微米的半导体芯片和厚度约为275微米的包封材料盖套。条柱芯片和包封材料中的大凹部或大空腔(例如参见图9)。可以布置在高频导线和/或高频接口中的至少一个上方。因为位于开口64中的空气的介电至少部分地布置在半导体芯片4的顶侧上。半导体装置1500此外可以具有布置在半导体芯防止或至少减少半导体芯片4和/或包封材料12的特别是并排设置的高频区域之间的耦合。在到半导体芯片4的主表面上的投影中，没有材料66的区域布置在半导体芯片4和/或包封[0115]在图19的俯视图中，材料66可以具有沿着半导体装置1900的边缘的矩形框架结材料12包封。布置在半导体芯片4的底侧上的芯片接口(未示出)可以经由再布线层(未示[0121]图22的俯视图示出了半导体装置2200，其可以特别类似于图21的半导体装置置在这些布置在该边缘区域中的高频接口和/布置在半导体装置2300的高频导线或高频信道上方(参见对此在图14中的TX和RX信道的布导体芯片4的边缘区域中布置在半导体装置2400的高频接口中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片中的每个半导体芯片上方形成包封材料的主表面和至少一个半导体芯片的第一主中至少一个半导体封装中的每个半导体封装包括导体芯片的和/或所述包封材料的至少一个高频区域并不重叠，高频信号在所述高频区域效于所公开的结构时也如此，其中该结构执行本公开的在此示出的示例性实施方式的功