CN110707139B 一种显示基板及其制作方法、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）

2素的像素结构与位于第i+1行第j列的子像素的像素第i列子像素还与第i列电源线连接，第i列电源线位于相邻两列电源线关于位于相邻两列电源线之间的中其中，第二电源部用于连接第一电源部和第所述第三电源部的宽度小于所述第一电源部的子电源线中的第三电源部与位于同一列下一行子像素对应的子电源线中的第一电源部所述存储电容位于所述第二区域，所述第一区域和所述第三区域分别3所述第一绝缘层设置在所述半导体层和所述第一金属层之间，所述第二绝缘所述子像素连接的电源线通过所述第一过孔与所述第五晶体管五晶体管的第一极通过所述第二过孔与所述存储电容的第所述子像素连接的电源线在基底上的正投影覆盖所述第一过述存储电容的第二电极在基底上的正投影覆盖所述第二过孔在基底相邻两行像素中其中一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1相邻两行像素中另一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子中的第五晶体管的第一极与第i+2子像素中的第五晶体其中，位于第二金属层中的第i子像素中的存储电容的第二电极通过位于第三金属层4中的第i+1子像素中的第五晶体管的第一极和第i+2子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层中的第i+3子像素中的存储电其中，位于第二金属层的第i子像素的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i子像素中的第五晶体管的第一极和第i+1子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+2子像素中的第五晶体管的第一极和第i+3子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层的第i+3子像素的存储电容的第二电极四金属层和所述第五金属层之间的第五绝缘层和平坦层以及设置在第五金属层远离基底所述第五绝缘层设置在所述平坦层靠近基底的一侧；所述阴极数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素5线；第i列数据线中的所述第一子数据线和所述第二子数据线分别位于第i列子像素的两6三电源部与所述数据线平行设置，所述第二电源部与所述第一电源部之间的夹角大于90同一列下一行子像素对应的子电源线中的第一电[0022]可选地，所述第四绝缘层设置有暴露出部分所述第五晶体管的第一极的第一过述第五晶体管的第一极通过所述第二过孔与所述存储电容的第二[0026]所述子像素连接的电源线在基底上的正投影覆盖所述第一过孔在基底上的正投[0030]相邻两行像素中其中一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极直接接触，第i+1子像素的存储电容的第二电极和第i+27[0031]相邻两行像素中另一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极间隔设置，第i+1子像素的存储电容的第二电极与第i+2子[0035]其中，位于第二金属层中的第i子像素中的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+1子像素中的第五晶体管的第一极和第i+2子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层中的第i+3子像素中的存[0037]其中，位于第二金属层的第i子像素的存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i子像素中的第五晶体管的第一极和第i+1子像素中的第五晶体管的第一极与位于存储电容的第二电极通过位于第三金属层中的第i+2子像素中的第五晶体管的第一极和第i+3子像素中的第五晶体管的第一极与位于第二金属层的第i+3子像素的存储电容的第二第五绝缘层和平坦层以及设置在第五金属层远离基底一侧的发光器件的有机材料层和阴列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像8子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数9以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。[0082]本申请一些实施例提供一种显示基板，图1为本申请实施例提供的显示基板的结据线DO和第二子数据线DE；第i列数据线中的第一子数据线DOi和所述第二子数据线DEi分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者[0087]具体的，相邻两列子像素之间的全部数据线仅为第一子数据线或者第二子数据第二子数据线DEi+1位于第i+1列子像素靠近第i二晶体管T2的第二极与第六晶体管T6的第二极连接，第三晶体管T3的栅电极与存储电容C体管T7导通，初始信号线Vinit提供的初始信号对第六晶体管T6的第二极的信号和第一电向第三晶体管T3的第一极写入数据线D提供的数据信号，并使得第二晶体管T2的栅电极和第一子数据线和第二子数据线；第i列数据线中的第一子数据线和第二子数据线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线或者第二子连接第j列数据线中的第一子数据线DOj，则第i+1行第j列的子像素连接第j列数据线中的1行第j列的子像素连接第j列数据线中的第一子数据线[0108]其中，第i列电源线VDDi位于第i列数据线中的第一子数据线DOi和第二子数据线于同一行的相邻子像素的像素结构关于位于相邻子像素之间的两个子数据线的中心线CL心线CL与位于第j列电源线和第j+1列电源线之间的的第一子数据线和第二子数据线的中心线翻转之后的形状与第i+1行第j列的子像素对应源线中的第三电源部SS3与位于第i+1行第j列的子像素对应的子电源线中的第一电源部五晶体管的第一极51通过第二过孔V2与存储电容的第二的第三金属层的俯视图，图10为本申请实施例提供的显示基板中多个子像素的另一俯视[0146]如图9A和图9B所示，相邻两行像素中其中一行的每个像素中的第i子像素的存储二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极直接接触；相邻两行像素中另一行的每个像素中的第i子像素的存储电容的第二电极与第i+1子像素的存储电容的第二电极间隔设置，2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的+1子像素的存储电容的第二电极直接接触，第二行像素中第i+2子像素的存储电容的第二电极与第i+3子像素的存储电容的第二电极直所述子像素连接的数据线在基底上的正投影存在重二金属层中的第i子像素中的存储电容的第二电极C2通过位于第三金属层中的第i+1子像素中的第五晶体管的第一极51和第i+2子像素中的第五晶体管的第一极51与位于第二金属像素的存储电容的第二电极C2直接接触的状况下，第i子像素中的第五晶体管的第一极51像素的存储电容的第二电极C2通过位于第三金属层中的第i子像素中的第五晶体管的第一极51和第i+1子像素中的第五晶体管的第一极51与位于第二金属层的第i+1子像素的存储电容的第二电极C2连接，位于第二金属层的第i+2子像素的存储电容的第二电极C2通过位于第三金属层中的第i+2子像素中的第五晶体管的第一极51和第i+3子像素中的第五晶体管的第一极51与位于第二金属层的第i+3子像素的存储电容[0151]在实施方式二中，本申请实施例通过第二金属层和第三金属层共同完成横向跨方式二提供的显示基板与实施例方式一提供的显示基板相比，能够进一步地降低动态串和第五金属层70之间的第五绝缘层15和平坦层16以及设置在第五金属层70远离基底10一极通过暴露第六晶体管的第二极的过孔与第六晶体管的第线分别位于第i列子像素的两侧，相邻两列子像素之间的全部子数据线仅为第一子数据线供的显示基板的第二制作示意图，图14A为本申请实施例提供的显示基板的一个第三制作施例提供的显示基板的一个第四制作示意图，图15B为本申请实施例提供的显示基板的另始信号线Vinit和存储电容的第二电极C2的第二金属层，在第二金属层上形成沉积绝缘薄