《硅集成电路工艺》集成电路工艺期末试卷A

年月日学院课程考试试题（A卷）

考试用

（学年度第1学期）

课程名称：《硅集成电路工艺基础》

试卷类型：（A、B、C）考试专业、年级：微电子0701-03集成电路0701-03

题号—二三六七八九总分

然四五

-

-得分

尤-

-

米-

-阅卷人

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-将填空题、判断题、选择题的答案都写到答即纸上。

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-一.填空题。（20分，每空1分）

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-1.发生漂移却畸变的根本原因：硅的和腐蚀速率的0

-

-

2-2.在低阻材料上生长高阻外延层的工艺为o

笈

莪-3.杂质在二氧化硅中的存在形式有和。

-

-

-4.在集成电路工艺中，通常把作为光刻水平的标志。

-

-5.杂质的扩散机构有和

-0

-

-6.晶面构造可以用三个特征来描述：、

-

-和O

-

-

-7.注入离子在靶内的能量损失分为和两个过程。

-

-

亲8.到达角越黏滞系数越—，表面迁移能力越强，保形覆盖越好。

-

垠-

与9.金属化引线中的电迁移现象是一种在大电流密度作用下的°

黑

也

；

10.刻蚀技术有和O

11.薄膜生长技术最基本的两种方法是和o

二.判断题。（10分，每题1分）

1.Ag在W丝上熔化后易脱落，说明它湿润性好。（）

2.把离子在注入时，其损伤是以核阻止为主导，（）

3.杂质在硅中的扩散运动只有通过空位机制才能实现。（）

说明：I、除填空题、图解及特要求外一般不留答题空间.

息印份(附答题纸页)

4.MOS集成电路因为采用(100)面的硅做衬底，铝尖楔现象更为突出。()

5.二氧化硅之所以能起到掩蔽作用，是因为它能阻止其它杂质的进入。()

6.扩散系数是与杂质浓度无关的常数。()

7.维持自持放电过程的主要机制是非弹性碰撞。()

8.正胶的分辨率比负胶高。()

9.相同能量注入离子，离子越轻，横向效应越显著。()

10.在干氧氧化时,氧化增强的效果按(100).(110)、(111)的顺序递减。()

三.选择题。(20分，每题2分)

1.一般情况下，双极器件选取的圆片材料的品向是。

A.(110)B.(Ill)C.(100)

2.当靠近界面处的硅中杂质浓度高于靠近界面处二氧化硅中浓度时。，其o

A.m>1B.m<lC.m=l

3.溅射选在o

A.汤生放电区B.辉光放电区C.反常辉光放电区D.电弧放电区

4.在氧化过程中，下列哪种物质主要依靠空位机制完成扩散运动。

A.硼B.磷C.睇D.碑

5.外延时，在低温区，生长速率对温度变化非常敏感，生长速率由控制。

A.扩散速度B.气相质量输运C.表面化学反应

6.根据菲克第一定律，当浓度梯度变小时，扩散将o

A.增强B.减缓C.不变

7.硅的热氧化发生在o

A.Si内B.SiO2内C.Si/SiO2界面

8.当扩散系数很小时，生长速率由决定。

A.扩散速度B.化学反应速度C.氧化速度

9.在一定温度下，快速的水汽氧化比慢速的干氧氧化所引起的再分布程度增大，即水汽氧化

CS/Cb值比干氧氧化0

A.小B.大C.不变

10.注入离子的能量可分为三个区域，低能区是以占主要地位。

A.核阻止本领B.电子阻止本领C.核阻止和电子阻止本领

2.装订试卷，考生答卷时不得拆开或在框外留写标记，否则按零分计。

四、名词解释（每题3分，共12分）

1.发射区推进效应

2.分凝现象

3.自掺杂效应

4.热退火

中五、问答题：（共38分）

和

1.解释硼在氧化气氛中扩散存在明显增强，而睇却被阻止现象的机理？（8分）

2.简述光刻工艺的基本原理及流程？（8分）

3.简述D-G模型及热氧化的两种极限情况？（10分）

4.画一个双阱工艺制作的工序流程图并用文字简要说明。（12分