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CN207165563U,2018.03.30电容器阵列结构及其制造方法和包含它的极层以及粘附于所述上电极层和所述下电极层2通过蚀刻工艺，于所述第一支撑层和所述第一牺牲层通过蚀刻工艺，刻蚀所述第二牺牲层和所述第二支撑层，于所述第一所述第二电容孔与所述第一电容孔存在不同的形成第二下电极层于所述第二电容孔侧壁，所述第二下电极层与所述第一形成电容介质层覆盖所述第一下电极层和所述第二还包括在形成所述第二牺牲层和所述第二支撑层之前，在所述电所述电容凹陷区的深度与所述第一支撑层的厚所述电极连接层与所述第一下电极层和所述第二下电极层包括相同包括如权利要求1-5任一所述的制造方法形成3[0013]根据本发明另一实施方式，所述电极连接层与所述第一下电极层包括相同的材45组结构，内存数组结构包括有多个电容接触点2。内存数组结构还包括有晶体管字符线[0043]在衬底1的上表面依次形成第一牺牲层3和第一支撑层4。可以采用化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)或其他适合的方式形成第一牺牲层3和第一支撑层4。第一牺牲层3与第一支撑层4的材料不同，且在同一刻蚀制程中第一牺牲层3的刻蚀速率与硅化物中的一种或两种形成的化合物，如氮化钛(TitaniumNitride)，硅化钛(Titanium6连接层8的上表面与第一制成层4平齐。电极连接层8的作用是连接第一下电极层和第二下[0047]如图5所示，依次形成第二牺牲层9和第二支撑层10覆盖第一支撑层4和电极连接与第二支撑层10的刻蚀速率远远大于第二支撑层10的刻蚀速率，使得当第二牺牲层9被完一下电极层5的材料形成，例如可以由包括金属氮化物及金属硅化物中的一种或两种形成后，利用干蚀刻方法在第一支撑层4上形成导口13，导口13形状和大小可根据实际方法选[0051]如图9所示，利用ALD方法或其他方法沉积电容介质层14以覆盖第一下电极层5和xxxx中的一种或多种。789

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