CN111326621B 一种倒装Micro LED全彩量子点芯片、其制备方法和用途 （深圳雷曼光电科技股份有限公司）

一种倒装MicroLED全彩量子点芯片、其制本发明涉及一种倒装MicroLED全彩量子点芯片、其制备方法和用途。本发明提供的倒装发明通过在所述倒装MicroLED全彩量子点芯片2所述第一蓝光外延层、第二蓝光外延层和第三蓝光外所述倒装MicroLED全彩量子点芯片中，第一N电极从远离衬底的芯片表光N型氮化镓层，第四P电极从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中的蓝光P型氮2.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子3.如权利要求1所述的倒装MicroLED全4.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子点芯片，键合材料层和第二透明键合材料层的组成为：氧化硅6.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子7.如权利要求1所述的倒装MicroLED全8.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子点芯9.如权利要求1所述的倒装MicroLED全彩量子点芯片，其特征在于，所述倒装Micro10.一种如权利要求1-9之一所述倒装MicroLED全彩量子点芯片的制备方法，其特征(2)将所述LED晶圆进行进行刻蚀，从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中，3制备蓝光P型氮化镓层；然后在所述第一蓝光外延层上依次制备第一氧化铟锡层和红光量(2)在所述红光量子点层上依次制备第一透明键合材料层和第二蓝光外延层，所述第(3)在所述绿光量子点层上依次制备第二透明键合材料层和第三蓝光外延层，所述第所述倒装MicroLED全彩量子点芯片用于超高清显示屏和/或MicroLED显示4在封装步骤中掺入荧光粉，荧光粉受激发后发出的光与LED发光芯片的蓝光混合后成为其[0006]CN106783830B公开了一种红绿蓝三色芯片LED及背光模组，所述红绿蓝三色芯片[0007]CN107123643A公开了一种蓝绿双芯片搭配红色荧光粉的高色域LED灯珠及其背光述绿光芯片通过红色荧光粉与封装胶之间的相互混合并烘烤固化后封装在所述LED支架的5LED全彩量子点芯片包括衬底和依次设置于所述衬底表面的第一蓝光外延层、第一氧化铟量子材料可使芯片的显示效果不受电流的波动而受到屏的点间距，方便使用巨量转移技术批量转移三色芯片；同时，本发明通过在所述倒装[0017]本发明中对于倒装MicroLED全彩量子点芯片结构中各层的厚度不做具体限定，本领域技术人员可根据实际经验进行选择，示例性的如：第一蓝光外延层的厚度为50~6[0033]本发明的目的之二在于提供一种如目的之一所述倒装MicroLED全彩量子点芯片7[0041]本发明所述第一透明键合材料层和第二透明键合材料层的具体制备过程不做具[0042]作为优选技术方案，本发明所述一种倒装MicroLED全彩量子点芯片的制备方法表面制备蓝光P型氮化镓层；然后在所述第一蓝光外延层上依次制备第一氧化铟锡层和红[0044](2)在所述红光量子点层上依次制备第一透明键合材料层和第二蓝光外延层，所述第二蓝光外延层上依次制备第二氧化铟锡层和绿光[0045](3)在所述绿光量子点层上依次制备第二透明键合材料层和第三蓝光外延层，所[0049]本发明的目的之三在于提供一种如目的之一所述倒装MicroLED全彩量子点芯片8[0051](1)本发明提供的倒装MicroLED全彩量子点芯片(MicroLED芯片)，可以在单个附加量子材料可使芯片的显示效果不受电流的[0059]本实施例中所述衬底1为厚度100μm的蓝宝石衬底；第一蓝光外延层2含有设置于[0060]本实施例中第一N电极14从远离衬底的芯片表面贯穿至第一蓝光外延层中的蓝光9[00