CN111398773B 可测试的微器件排列结构及其制作方法、测试方法 （厦门乾照半导体科技有限公司）

本申请提供一种可测试的微器件排列结构微LED芯片上第一电极和第二电极位于背离衬底电极电性连接的扩展电极，扩展电极的面积较2位于所述衬底上呈阵列排布的多个微LED芯片，每个所位于所述第一电极和所述第二电极背离所述衬底一侧的扩展平坦化层和阻挡层，所述平坦化层位于所述衬底表面，所述和所述微LED芯片上，且所述阻挡层暴露出所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电一个所述扩展电极同时连接2-4个微LED芯片的电极，且所述呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接同一呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第其中，第i列中的第三微LED芯片的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片和第四微LED第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片的第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯片的第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯片的呈阵列排布的多个微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第其中，第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极3的第六微LED芯片和位于其下方的第七微L第i列中的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第六微LED芯片和位于其上方的第七微LED芯片的第一电极7.一种可测试的微器件排列结构制作方法，在所述衬底上制作形成呈阵列排布的多个微LED芯极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的所述扩展电极用于与所述第一电极和/或所述第二电极其中，所述扩展电极的面积大于一个所述第一电极和一个所述第二电极的面积之和，沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第一探针施加在一个微LED芯片的第一电极沿所述列方向，移动所述第一探针至另一个扩展电极上，再沿所述列方向，移动所述第二探针至再一个扩展电极上，所述再依次重复移动所述第一探针至另一个扩展电极上沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第三探针施加在一个第三微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第四探针施加在所述第三微LED芯片的第二电极连接的扩4沿所述列方向，移动所述第三探针至位于所述第三微LED芯片继续沿所述列方向，移动所述第四探针至位于所述第四微LED芯片下方的将所述第三探针施加在下一个第三微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述5MiniLED和MicroLED微器件进行和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微6[0020]所述第二微LED芯片的第二电极和位于其下方的第一微LED芯片的第二电极连接[0025]第i列中的第三微LED芯片和第四微LED芯片的第二电极和第i+1列的第三微LED芯[0026]第i列中的第四微LED芯片和第五微LED芯片的第一电极与第i-1列的第五微LED芯[0027]第i列中的第五微LED芯片的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片和第五微LED芯[0030]其中，第i列中的第六微LED芯片和位于其下方的第七微LED芯片的第一电极和第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬[0036]形成多个扩展电极，其中，所述扩展电极位于所述微LED芯片背离所述衬底的一7[0043]沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第一探针施加在一个微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第二探针施加在所述微LED芯片的第二电极连接的扩展电[0050]沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第三探针施加在一个第三微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第四探针施加在所述第三微LED芯片的第二电极连接[0053]继续沿所述列方向，移动所述第四探针至位于所述第四微LED芯片下方的第五微LED芯片的第二电极连接的扩展电极上，所述第四探针所在的扩展电极与所述第三探针所8[0062]图8-图11为本发明实施例提供的图1所示可测试的微器件光电性能测试过程示意[0065]图14为本发明实施例提供的一种可测试的微器件排列结构的其中一个步骤对应[0066]正如背景技术部分所述，现有技术中的自动测试机上的探针对微LED芯片进行光9和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离所述衬底的一积大于与其连接的微LED芯片的电极面积之和，以使得采用探针电连接两个扩展电极对微底201上呈阵列排布的多个微LED芯片202，每个微LED芯片包括第一电极2031和第二电极电极2031和第二电极2032背离衬底201一侧的扩展电极(207和208所示)，扩展电极用于与亚胺)类材料等。通过光刻，形成通孔，暴露出微LED芯片202的第一电极2031和第二电极一电极和一个微LED芯片的第二电极，或者同时连接两个微LED芯片的第一电极和一个微一个扩展电极同时连接两个微LED芯片的电极，呈阵列排布的多个微LED芯片为重复排布，每个微LED芯片的位置以及与其他微LED芯片的连接关系，本实施例中以图3中的B列微LED[0085]请参见图3，同一列中包括依次重复设置的第一微LED芯片2021和第二微LED芯片第二微LED芯片2022之间包括一个第一微LED芯片2021。而同一行中，均为第一微LED芯片[0086]本实施例中扩展电极包括在同一列中，同时与相邻的第一微LED芯片2021和第二微LED芯片2022的第一电极相连的第一扩展电极207，以及同时与相邻的第二微LED芯片极208与B列的第j+1行的第二微LED芯片2022和第j+2行的第一微LED芯片2021的第二电极扎在与该第一扩展电极相连的金属电极共同的微LED芯片的另一个金属电极相连的第二扩技术中逐一测试微LED芯片时，需要同时移动两个探针的方式，对于测试一个晶圆上的微请继续参见图7，第i列中的第三微LED芯片2023的第一电极和第i-1列的第三微LED芯片2023和第四微LED芯片2024的第二电极和第i+1列的第三微LED芯片2023的第一电极连接同1列的第五微LED芯片2025的第二电极连接同一个扩展电极208；第i列中的第五微LED芯片2025的第二电极与第i+1列的第四微LED芯片2024和第五微LED芯片2025的第一电极连接同微LED芯片每一列中包括：依次重复设置的第六微LED芯片2026和第七微LED芯片2027；其列的第六微LED芯片2026和位于其下方的第七微LED芯片2027的第二电极连接同一个扩展电极207；第i列中的第六微LED芯片2026和位于其上方的第七微LED芯片的第二电极2027，与第i+1列中的第六微LED芯片2026和位于其上方的第七微LED芯片2027的第一电极连接同[0098]与一个扩展电极连接两个微LED芯片的电极类似的，区别是将相邻两列的扩展电包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极均位于所述微LED芯片结构背离[0110]需要说明的是，在衬底上形成呈阵列排布的多个微LED芯片可以采用现有技术中[0113]基于相同的发明构思，本发明还提供一种可测试的微器基于上面扩展电极同时连接2个或者4个第一电极或第二电极的可测试的微器件排列结构，[0115]沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第一探针施加在一个微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第二探针施加在所述微LED芯片的第二电极连接的扩展电实施例中不再详细说明。可以直接参考前面实施例中扩展电极连接两个微LED芯片电极的[0124]沿所述微器件排列结构的列方向，将所述第三探针施加在一个第三微LED芯片的第一电极连接的扩展电极上，将所述第四探针施加在所述第三微LED芯片的第二电极连接[0127]继续沿所述列方向，移动所述第四探针至位于所述第四微LED芯片下方的第五微LED芯片的第二电极连接的扩展电极上，所述第四探针所在的扩展电极与所述第三探针所同时移动第三探针和第四探针，使得两个探针同时移动到另一个第三微LED芯片、第四微连接到第五微LED芯片的第一电极和第二电极所在的扩展电极上开始，然后顺序检测第四[0133]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发