CN119742252A 一种半导体薄膜的蚀刻方法及蚀刻装置_第1页
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(12)发明专利申请(10)申请公布号CN119742252A(21)申请号202510245660.4(22)申请日2025.03.04(74)专利代理机构上海汉之律师事务所31378(54)发明名称(57)摘要采集多个被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与磁极的位置数据获取被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与磁极的位置数据的关系当半导体薄膜被蚀刻时，监测被蚀刻区域的半导体薄膜的厚度均匀性数据，并在被蚀刻区域的半导体薄膜的厚度均匀性数据超出阈值时，依据获取的被蚀刻的半导体薄膜的厚度均匀性数据与磁极的位置数据的关系调整磁极的位置23456附图说明789半导体薄膜的厚度0第一磁体的位置数据0Z=F(O)+F(x₁)+F(x₂)+FZ=1.592+0.5155x₁+0.0674x₂-0.01300x,²+0.01095x₂²-0.01[0067]请参阅图7所示，本申请的实施例提供的先进过程控制系统106还包括存储器第一第一磁极的位置数据对蚀刻机进行保养对半导体薄膜进行蚀刻，并在蚀刻半导体薄膜时，监测被蚀刻区域的半导体薄膜的厚度均匀性数据是否调整磁的半导体薄膜的阈值内

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