CN111650428B 磁传感芯片、闭环反馈电流传感器及其制备方法 （珠海多创科技有限公司）_第1页
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CN212568937U,2021.02.19US2012306491A1,2012.CN207908572U,2018.09.252馈线圈的螺旋线平面和所述磁传感单元的敏感方设置于所述外壳内的磁传感芯片，所述磁传感芯片为权利要求1至3设置于所述外壳内的信号处理电路，所述信号处理电述第一模数转换器与所述磁传感单元相连，通过所述数模转换器与所述磁平衡电路相连，6.如权利要求4或5所述的闭环反馈电流所述磁平衡电路包括依次连接的差分电压采样电路和推挽射极跟随器，所述温度补偿电路包括依次连接的温度采样电路和加法比例电路，所述3所述磁平衡电路包括与所述反馈线圈相连的推挽射极跟随器；所述4[0001]本发明属于传感测量技术领域，尤指涉及一种磁传感芯片及闭环反馈电流传感环反馈电流传感器包括基于磁调制的闭环反馈电流传感器和基于磁传感器的闭环反馈电5器以及微控制处理器；所述微控制处理器通过所述第一模数转换器与所述磁传感单元相敏电阻和所述反馈线圈输出的信号对检测结果进行补67[0042]如图3所示，本实施例在磁传感芯片1的基片上采用磁控溅射技术沉积有4组磁电的阻值随着自由层磁化方向与钉扎层磁化方向间夹角的变化而变化，从而实现磁场的检[0043]本实施例的热敏电阻为集成于磁传感芯片1基片上的钌电阻4，钌电阻4用于采集和磁电阻元件沉积于同一基片上，但分别位于基片(磁传感器芯片)上两个相互独立的区元素本身用于制备隧道结磁电阻元件，只需要在磁传感芯片中划分出独立的温度检测区[0044]反馈线圈1-2为采用MEMS工艺(MicrofabricationProcess)制备的均匀平面螺旋的全桥结构(磁传感单元1-1)的(正)上方。反馈线圈1-2的螺旋线平面和磁传感单元1-1的敏感方向相垂直(可通过改变TMR的材料或结构来改变磁传感单元的敏感方向)。反馈线圈[0045]如图2所示，磁传感芯片1中的磁传感单元1-1通过输出端本实施例的磁平衡电路2包括依次连接的差分电压采样电路2-1和推挽射极跟随器2-2，差分电压采样电路2-1用于采集磁传感单元1-1输出的差分电压信号VM。推挽射极跟随器2-28[0046]本实施例的温度补偿电路3包括依次连接的温度采样电路3-1和加法比例电路3-[0057]本实施例和实施例1不同的地方在于：本实施例将信号处理电路中带有积分环节从反馈线圈1-2采集的电流信号IS转换为电压信号VS，并通过第二模数转换器2-5将电压信度采样电路2-6通过第三模数转换器2-7将采集到的电压信号VT转换为数字信号后发送至9[0058]本发明的磁平衡电路及温度补偿电路与使用普通热敏电阻进行温度补偿的电流[0067]对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发

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