CN111725244B 低温多晶氧化物阵列基板及其制作方法 （成都京东方显示科技有限公司）

本发明提供一种低温多晶氧化物阵列基板薄膜晶体管和第二薄膜晶体管沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层和第二遮光层上本发明提供的阵列基板在满足高分辨率要求的2所述第一薄膜晶体管包括位于所述第一遮光层上方的第一半导体图形述第一半导体图形两侧的第一源极和第一漏极以及间隔设置在所述第一半导体图形上方连接在所述第二半导体图形两侧的第二源极和第二漏极以及间隔设置在所述第二半导体还包括缓冲层和栅极绝缘层，所述缓冲层设在所述衬底基板上且所述栅极绝缘层设在所述缓冲层上且覆盖所述第一半导体图形和所述第二半导体图所述栅极绝缘层和所述缓冲层中设有贯通的第一接触孔和第二接触述衬底基板上的正投影位于所述第二遮光层的覆极和所述第二漏极分别通过所述第五接触孔和所述第六接触孔与所述第二半导体图形接8.一种低温多晶氧化物阵列基板的制作方法，用于制作权利要求1-7任一项所述的低3在所述第一遮光层和所述第二遮光层上方分别形成第一半导体图形和第二半导体图在所述第一半导体图形和所述第二半导体图形上方分别形成第在所述第一栅极和所述第二栅极上方同时形成与所述第一半导体图形两侧连接的第在所述衬底基板上沉积形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第一遮在所述缓冲层上沉积形成金属氧化物半导体层，所述对所述金属氧化物半导体层进行光刻工艺以使其形成在所述缓冲层上沉积形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所在所述栅极绝缘层和所述缓冲层中形成贯通的第一接对所述栅金属层进行光刻工艺以使其形成所述第一栅极和所述第所述第一栅极和所述第二栅极上方同时形成与所述第一半导体图形两侧连接的第一源极、在所述栅极绝缘层上沉积形成栅极保护层，所述栅极保护在所述栅极保护层和所述栅极绝缘层中形成贯通的第三接触4对所述源漏极金属层进行一次光刻工艺以使其形成所述第一源极、第所述第一栅极和所述第二栅极上方同时形成与所述第一半导体图形两侧连接的第一源极、第一漏极和与所述第二半导体图形两侧连接的第二源极和第二漏极之后，还包括如下步在所述钝化层中对应所述第二漏极的部位形对所述透明导电层进行光刻工艺以使其形成像素电极，所述像素5[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶氧化物阵列基板及其制作方[0002]薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简[0006]本发明的一方面提供一种低温多晶氧化物阵列基板，该阵列基板包括衬底基板、6六接触孔，第一源极和第一漏极分别通过第三接触孔和第四接触孔与第一半导体图形接7形两侧连接的第一源极、第一漏极和与第二半导体图形两侧连接的第二源极和第二漏极，迁移率的特性使其驱动周边电路，利用金属氧化物TFT关态电流小的特性使其驱动像素电[0045]LTPO(LowTemperaturePolycrystallineOxide，低温多晶氧化物)薄膜晶体管阵列基板通过在一个子像素内集成低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，简称：8[0048]图2为本发明实施例一提供的在栅极绝缘层和缓冲层中形成第一接触孔和第二接[0049]图3为本发明实施例二提供的低温多晶氧化物阵列基板的制作方法的流程示意[0050]图4为本发明实施例二提供的在衬底基板上形成间隔的第一遮光层和第二遮光层[0051]图5为本发明实施例二提供的在第一遮光层和第二遮光层上分别形成第一半导体[0055]图9为本发明实施例二提供的在第一半导体图形和第二半导体图形上方分别形成[0057]图11为本发明实施例二提供的在栅极绝缘层上形成第一栅极和第二栅极的结构[0062]图16为本发明实施例二提供的在栅极保护层上形成钝化层和像素电极的结构示9[0067]近年来薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystal和氧化物(Oxide)TFT这两种器件，LTPO面板技术结合了LTPSTFT工艺驱动能力强和Oxide[0074]图1为本发明实施例一提供的低温多晶氧化物阵列基板的结构示意图。如图1所沿阵列基板的层叠方向分别设置在第一遮光层21和第二遮[0076]如图1所示，阵列基板中包括衬底基板1，衬底基板1作为阵列基板的基础承载结有机基板，例如衬底基板1由聚酰亚胺(Polyimide，简称：PI)或聚对苯二甲酸乙二醇酯[0077]阵列基板在衬底基板1上形成用于显示图像的像素区域，该像素区域内分布有多通过数据线和扫描线将阵列基板上的像素区域分隔为呈矩阵式排布的多个子像素。例如，化的第一半导体图形31和第二半导体图形41分别将第一源极32和第二源极42的信号传递膜晶体管3和第二薄膜晶体管4可控制相应的子2O32O32SnO424的金属氧化物TFT可以用于驱动像素电极9，金属氧化物TFT可以满足子像素的驱动需求，素内分区域设置多晶硅TFT和金属氧化物TFT分别作为第一薄膜晶体管3和第二薄膜晶体管底基板1照射至第一半导体图形31和第二半导体图形41，进而在第一半导体图形31和第二半导体图形41上产生光生载流子而影响第一薄膜晶体管3和第二薄膜晶体管4的关态电流发出的光线影响第一薄膜晶体管3和第二薄膜晶层22对应设置在第二半导体图形41下方，通过第一遮光层21和第二遮光层22的遮光作用，线影响第一半导体图形31和第二半导体图形41的半导体特性，提升第一薄膜晶体管3和第[0093]为了保证第一半导体图形31和第二半导体图形41完全不受背光源发出的光线的遮光层21的覆盖范围内，第二半导体图形41在衬底基板1上的正投影可以位于第二遮光层[0094]如图1所示，本实施例中，第一遮光层21的表面积大于第一半导体图形31的表面光层22的表面积大于第二半导体图形41的表面积，且第二半导体图形41在衬底基板1上的正投影位于第二遮光层22的覆盖范围内。这样第一遮光层21可完全遮盖第一半导体图形图形41的各部位均不会受到背光源的照射，以进一步提升第一薄膜晶体管3和第二薄膜晶体图形41设在缓冲层5上；栅极绝缘层6设在缓冲层5上且覆盖第一半导体图形31和第二半第一半导体图形31和第二半导体图形41具有更好的基板外部或来自衬底基板1的水汽，防止水汽进入到第一半导体图形31和第二半导体图形防第一半导体图形31(第二半导体图形41)中的氧原子和第一源极32(第二源极42)或第一缓冲层52的氧化硅层的厚度可以为20半导体图形41)可以将第一源极32(第二源极42)中的信号传递至第一漏极33(第二漏极一半导体图形31(第二半导体图形41)的半[0104]通过设置依次层叠的第一氧化硅层61和第二氧化硅层62作为栅极绝缘层6，第一置第一氧化硅层61和第二氧化硅层62两层氧化硅层，可以保证栅极绝缘层6将扩散的金属体图形31(第二半导体图形41)中产生感应电荷来控制第一薄膜晶体管3(第二薄膜晶体管4)的开关状态，而由于第一栅极34(第二栅极44)下方还间隔设置有第一遮光层21(第二遮第一栅极34(第二栅极44)电连接，使第一遮光层21(第二遮光层22)与第一栅极34(第二栅极44)处于相同电位，进而避免第一遮光层21(第二遮光层22)影响第一薄膜晶体管3(第二[0110]图2为本发明实施例一提供的在栅极绝缘层和缓冲层中形成第一接触孔和第二接极44)和第一遮光层21(第二遮光层22)的部位开设贯通的第一接触孔a(第二接触孔b)，第(第二接触孔b)与第一遮光层21(第二遮光层22)接触，进而第一栅极34(第二栅极44)与第可隔开第一源极32(第二源极42)、第一漏极33(第二漏极43)与第一栅极34(第二栅极44)，[0114]通过在栅极保护层7和栅极绝缘层6中对应第一半导体图形31(第二半导体图形41)两侧的部位分别设置第三接触孔c(第五接触孔e)和第四接触孔d(第六接触孔f)，这样在栅极保护层7上形成第一源极32(第二源极42)和第一漏极33(第二漏极43)时，第一源极32(第二源极42)和第一漏极33(第二漏极43)可通过第三接触孔c(第五接触孔e)和第四接触孔d(第六接触孔f)与第一半导体图形31(第二半导体[0118]像素电极9设置在钝化层8上，在钝化层8中对应第二漏极43的部位开设有贯通钝[0119]本实施例提供的阵列基板通过在衬底基板上设置第一薄膜晶体管和第二薄膜晶属氧化物TFT关态电流小的特性使其驱动像素电极，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管共设置第一遮光层和第二遮光层，可以避免光线照射至第一半导体图形和第二半导体图形，[0121]图3为本发明实施例二提供的低温多晶氧化物阵列基板的制作方法的流程示意[0124]图4为本发明实施例二提供的在衬底基板上形成间隔的第一遮光层和第二遮光层方法在衬底基板1上沉积厚度约为300～1500埃的遮光层，形成遮光层的材料可以选用Cr、[0129]图5为本发明实施例二提供的在第一遮光层和第二遮光层上分别形成第一半导体图形和第二半导体图形的流程示意图；图6为本发明实施例二提供的在衬底基板上形成缓冲层的结构示意图；图7为本发明实施例二提供的在缓冲层上形成第一半导体图形的结构衬底基板1上连续沉积厚度为2000～15000埃的硅层上沉积厚度为200～2000埃的氧化硅层作为第二缓冲层52，沉积氧化硅层采用的反应铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，简称：IGZO)构成，或者由Ln-IZO、ITZO、2O32O3SnO42[0143]图9为本发明实施例二提供的在第一半导体图形和第二半导体图形上方分别形成[0146]如图10所示，在缓冲层5上形成第一半导体图形31和第二半导体图形41后，通过[0147]首先在缓冲层5上采用低速、低温沉积厚度约为300～1500图2所示，通过在栅极绝缘层6和缓冲层5中对应第一遮光层21和第二遮光层22的部位分别第一接触孔a和第二接触孔b与第一遮光层21和第流程示意图；图13为本发明实施例二提供的在栅极绝缘层上形成栅极保护层的结构示意缘层6中对应第一半导体图形31两侧的部位分别形成第三接触孔c和第四接触孔d、对应第二半导体图形41两侧的部位分别形成第五接触孔[0164]图16为本发明实施例二提供的