CN119739013A 一种双面套刻精度对准及保护背孔被过刻蚀风险控制方法

(12)发明专利申请(54)发明名称(57)摘要若干背面对准标记，基于光刻装置中的品圆正面对准系统确定所述正面对准标记的位置信息，以获取的正面对准标记的位置信息，建立晶圆正面坐标系第二层正面套刻图案在晶圆正面坐标系的坐标信息步骤3:基于第二层正面套刻图案在品圆正面坐标系的坐标信息和第一层正面套刻图案的坐标信息，选取两层正面套刻图案中若干个对应的特征点开记录特征点坐标，基于得到的特征点坐标，计算两层正面套刻图案的局部偏移误差系数和全局误差系数，根据局部偏移误差系数和全局误差系数确定综合正面套刻误差步骤4:基于综合正而套刻误差对光刻装置中的晶团正面对准系统进行误差校正，翻转所述样本品圆，在样本品国背面套刻第一层背面套蚓图案，采用与正面对准系统相网的处理方法，得到背面奏刻误差，基于背面套刻误差对光刻装置中的品圆背面对准系统进行误差权正，最终根据第一层臂面套刻图案与第一层正面套刻图案的双面误差，完成双面套刻误差校正步腺5:获取误差校正后，李刻围案的表面特征参数，蓦于得到的表面特征参数，计算得到光刻胶厚度分布国子和光刻胶边缘粗糙度因子，根据光刻胶厚度分布因子和光刻胶边绿粗糙度因子对光刻深度进行修正，得到光刻各点的深度精确值，完成过刻蚀风险控制，所述表面特征参数包括光刻边埠粗糙度和光刻胶的平均岸度2个特征点，记录每个特征点的坐标信息，记为(xf²,yf²),34567ZH(i)=W₁*E1oca(i)+W₂*√89标系。foal(i)=√(xf1-x+2)²+(yfZH(i)=W1*E¹ocal(i)+W₂*[0049]其中光刻胶局部厚度和光刻胶的平均厚度的获取方式包括：椭偏仪步骤1:在样本晶圆正面形成第一层正面套刻图案和对准标记图案，所述对准标记的图案包括若干正面对准标记和若干背面对准标记，基于光刻装置中的晶圆正面对准系统确定所述正面对准标记的位置信息，以获取的正面对准标记的位置信息，建立晶圆正面坐标系步骤2:基于建立的晶圆正面坐标系，确定第一层正面套刻图案的坐标信息，根据得到的第一层正面套刻图案的坐标信息，在样本晶圆正面形成第二层正面套刻图案，提取第二层正面套刻图案在晶圆正面坐标系的坐标信息步骤3:基于第二层正面套刻图案在晶圆正面坐标系的坐标信息和第一层正面套刻图案的坐标信息，选取两层正面套刻图案中若干个对应的特征点并记录特征点坐标，基于得到的特征点坐标，计算两层正面套刻图案的局部偏移误差系数和全局误差系数，根据局部偏移误差系数和全局误差系数确定综合正面套刻误差步骤4:基于综合正面套刻误差对光刻装置中的晶圆正面对准系统进行误差校正，翻转所述样本晶圆，在样本晶圆背面套刻第一层背面套刻图案，采用与正面对准系统相同的处理方法，得到背面套刻误差，基于背面套刻误差对光刻装置中的晶圆背面对准系统进行误差校正，最终根据第一层背面套刻图案与第一层正面套刻图案的双面误差，完成双面套刻误差校正步骤5:获取误差校正后，套刻图案的表面特征参数，基于得到的表面特征参数，计算得到光刻胶厚度分布因子和光刻胶边缘粗糙度因子，根据光刻胶厚度分布因子和光刻胶边缘粗糙度因子对光刻深度进行修正，得到光刻各点的深度精确值，完成过刻蚀风险控制，所述表面特征参数包括光刻边缘粗糙度