CN111836464B 集成电路基板与集成电路基板制造方法 （日月光半导体(上海)有限公司）_第1页
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文档简介

一种集成电路基板。所述集成电路基板包2辅助定位结构及主要定位结构，其中所述主要定位结构作为标靶靶心以标记钻孔位偏移侦测结构，设置于所述辅助定位结构之上，并相对其中所述辅助定位结构与所述偏移侦测结构为蚀刻制成结构，并其中所述两条辅助线的线距是钻孔直径、所述两条辅助2.如权利要求1所述的集成电路基板，其特征在于，每一辅助线的线宽在0.075~辅助定位结构及主要定位结构，其中所述主要定位结构作为标靶靶心以标记钻孔位偏移侦测结构，设置于所述辅助定位结构之上，并相对其中所述辅助定位结构与所述偏移侦测结构为蚀刻制成结构，并其中所述两条辅助线的线距是钻孔直径、所述两条辅助对所述第一导电层进行蚀刻工艺以产生图案化导电层，所述图案化3对所述绝缘层及所述第二导电层对应所述辅助定位结构的所述中心位置进行钻孔作4[0005]依据本申请的一实施例，所述辅助定位结构与所述偏移侦测结构为蚀刻制成结一半的线宽以及蚀刻所述两条辅助线时在第二方向产生的侧蚀量的总和扣除在所述第二述偏移侦测结构设置于所述辅助定位结构之上，并相对所述辅助定位结构的中心对称设5[0020]以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特视本申请所属技术领域中具有通常知识者的6所述图案化导电层中的图案化结构将作为钻先通过X射线观察被绝缘层和第二导电层覆盖的图案化导电层以确认作为靶标的图案化结请提出一种集成电路基板与集成电路基板制造方法路基板1包括位于中间的基板(图未示)以及形成于所述基板上下两侧的导电层10。在某些[0027]如上所述，集成电路基板1还可包括形成于导电层10上下两侧的绝缘层以及形成于所述绝缘层上下两侧的另一导电层。图1仅描绘与本申请发明精神相关的部分以方便说[0029]图2是依据本申请一实施例之图案化结构11的俯视视图。由于图案化结构11与图置对称设置的辅助线231与辅助线232。辅助线231与辅助线232沿第一方向(x轴方向)延伸23时会产生侧向蚀刻。在某些实施例中，辅助线231与232的线距(即线中心到线中心的距离)设计为钻孔的直径、辅助线231与232各一半的线宽(即单一辅助线线宽)以及蚀刻辅助线231与232时在第二方向(y轴方向)产生的侧蚀量的总和扣除在第二方向(y轴方向)允许7[0040]图4是依据本申请一实施例之钻孔作业后图案化导电层32的俯视视图。如图4所测结构323与通孔35的重叠即可判断通孔35在第二方向(即y轴方向)上是否有偏移。以图4[0041]图5是依据本申请一实施例之集成电路基板制造方法50的流程图。在某些实施例[0047]本领域技术人员在阅读完上述实施例后应能轻易理解集成电路基板制造方法5089

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