CN111863691B 除电方法和基片处理装置 （东京毅力科创株式会社）

电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直所述基片的电荷量达到成为0或者接近0的电荷加所述直流电压的绝对值直至达到所述电荷中2步骤(b)，一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对步骤(c)，在基于所述气体的放电开始之并基于此时在所述吸附电极中流动的感应电流来计在步骤(a)中，导入所述气体以使得所述处理容器内的压力成为在200～3步骤(b)，一边对所述静电吸盘的吸附电极施加直流电压一边增大该直流电压的绝对步骤(c)，在基于所述气体的放电开始之步骤(e1)，通过将用于使所述升降销上下所述参考信号的频率为1kHz以上10kH所述升降销的移动速度从0mm/s变化到4的背面的导热气体的压力等的监视结果来求取静电吸盘表面的残留电荷量的大小和正负5[0049]在载置台20的上侧设置有用于静电吸附晶片W的静电吸盘22。静电吸盘22为在电6[0050]在静电吸盘22的外周侧的上部以包围晶片W的外缘部的的方式载置圆环状的边缘[0052]对载置台20从第1高频电源32施加规定频率的等离子体生成用的高频电功率HF。另外，对载置台20从第2高频电源34施加比等离子体生成用的高频电功率HF的频率低的频率的偏置电压产生用的高频电功率LF。第1高频电源32经由第1匹配器33与载置台20电连频电功率HF施加到载置台20。第2高频电源34例如将13.56MHz的高频电功率LF施加到载置[0053]第1匹配器33使第1高频电源32的内部(或者输出)阻抗与负载阻抗匹配。第2匹配[0054]气体喷淋头40以借助覆盖其外缘部的遮挡环11来密封处理容器10的顶部的开口置台20(下部电极)相对的相对电极(上部电极)[0057]在基片处理装置1设置有控制装置整体的动作的控制部100。控制部100具有CPU可以在收纳于CD-ROM、DVD等移动式的计算机可读取的存储介质的状态下设置在规定的位7[0060]从气体供给源50对处理容器10内供给处理气体。从第1高频电源32对载置台20施晶片W脱离时对晶片W的残留电荷的除电不充分的情况下，会因升降销90而对晶片W产生破始辉光放电后控制HV电压，能够连续地控制对晶片W的电荷的供给和/或来自晶片W的电荷8态到如图3的下侧所示的(1)那样使HV电压增大时，如图3中的(b)所示晶片电位单调增加。图4是表示一实施方式的晶片的带电(残留电荷量)的正负和晶片电荷量的调节的一例的图。图4中的(a)和(b)表示与由于在静电吸盘22存在的残留电荷而晶片W带负电(－5μC)的情况下的HV电压相应的片电荷量和晶片电位。图4中的(c)和(d)表示与由于在静电吸盘22存在残留电荷而晶片W带正电(5μC)的情况下的H[0081]在晶片W发生残留吸附的情况，是在静电吸盘22的表面残留有电荷的状态。其结将晶片W与上部电极间的空间的静电电容C0设定为100[pF]，将静电吸盘22的静电电容C1设[0085]使HV电压V逐渐增加或者减少地循环改变的控制的一例在图5中表示。图5是表示9电电压。根据图6的实验结果，能够推断出实际对处理容器10内供给何种程度的流量的气[0095]本实施方式的除电方法包含以上说明的基于HV电压的控制的晶片电荷量的调节方式的晶片处理后的除电工序和脱离工序的执行循环的一体供给到处理容器10内，一边施加与处理晶片W时施加的HV电压正负相反且大小相同HV电中和区域可以为相对于电荷中和点P的电压在3(t)的测定时机为晶片W的等离子体处理结束之后且执行除电工序之前[0107]在上一次晶片处理后使升降销90上升时产生的力矩的测定值为预先设定的第1阈最大值如何变化，在对于进行步骤S5或者步骤S6的哪一个处理的下一次判断处理中使用。[0112]图9是表示一实施方式的包含除电方法(除电工序和脱离工序)的晶片处理的一例例如200mTorr～800mTorr的范围内的预先设定的压力，使得发生放电(步骤S20)。接着，[0123]如后所述，参考信号的振幅换算成距离后为1mm以下即可，优选换算成距离后为变化到5mm/sec，当开始推升晶片W时，与晶片W的位移相应的感应电流开始流动，最大约24的上部电极(气体喷淋头40)与吸附电极23这两个电极(双极)，能够测定两电极间的电的破裂或弹起以静电吸盘22表面的状态变化导致的晶片W的残留吸附为主要原因。针对防[0136]hz(t)=A+Aisin(ot-p)…(1)3是静电吸盘表面与吸附电极之间的被电介质充满的间隙的静电电容。/h1[0163]C3是静电吸盘表面与吸附电极之间的由电介质层充满的间隙的静电电容，εESC是[0184]本发明的基片处理装置也能够应用于AtomicLayerDeposition(ALD：原子层沉ElectronCyclotronResonancePlasma(ECR：电子回旋共振等离子体)、HeliconWave