红外光学晶体加工技师考试试卷及答案

红外光学晶体加工技师考试试卷及答案一、填空题（每题1分，共10分）1.硫化锌（ZnSe）的主要透过波段是______μm至______μm。2.红外晶体粗磨的主要目的是去除表面余量和______。3.FTIR常用于检测晶体的______性能。4.锗（Ge）晶体折射率随温度升高而______。5.晶体加工控制表面粗糙度的关键工序是______。6.红外晶体按化学键可分为离子晶体、共价晶体和______晶体。7.单晶炉生长晶体的常用方法有提拉法和______法。8.检测晶体平整度的常用仪器是______。9.红外晶体镀膜的主要目的是提高______。10.易潮解的红外晶体是______（举1例）。二、单项选择题（每题2分，共20分）1.中红外（3-5μm）常用晶体是？A.ZnSeB.SiO₂C.NaClD.Al₂O₃2.抛光表面划痕的主要原因是？A.抛光液过细B.压力过大C.时间过短D.垫太硬3.用于晶体生长的设备是？A.研磨机B.单晶炉C.镀膜机D.轮廓仪4.Ge的主要透过波段是？A.0.1-0.4μmB.2-11μmC.12-25μmD.全波段5.精磨后表面粗糙度Ra一般为？A.10-20nmB.1-5nmC.50-100nmD.0.1nm6.晶体常用清洗剂是？A.丙酮B.盐酸C.NaOHD.水7.CaF₂的主要透过波段是？A.0.13-10μmB.0.5-22μmC.2-11μmD.10-30μm8.红外减反膜常用材料是？A.SiO₂B.AuC.AgD.Al9.控制晶体厚度的关键工序是？A.切片B.粗磨C.精磨D.抛光10.易潮解的晶体是？A.ZnSeB.NaClC.GeD.Si三、多项选择题（每题2分，共20分）1.红外晶体应用领域包括？A.红外成像B.激光通信C.医疗诊断D.紫外探测2.晶体加工工序包括？A.切片B.粗磨C.精磨D.抛光3.影响透过率的因素有？A.纯度B.粗糙度C.温度D.镀膜质量4.晶体检测方法有？A.FTIR测透过率B.干涉仪测平整度C.轮廓仪测粗糙度D.X射线测结构5.晶体生长方法有？A.提拉法B.坩埚下降法C.区熔法D.气相沉积法6.共价型红外晶体是？A.GeB.SiC.ZnSeD.CaF₂7.抛光常用材料有？A.金刚石粉B.氧化铝粉C.氧化铈粉D.碳化硅粉8.需防潮的晶体是？A.NaClB.KBrC.MgF₂D.ZnSe9.影响粗糙度的因素有？A.抛光压力B.液浓度C.垫硬度D.时间10.晶体镀膜类型有？A.减反膜B.滤光膜C.反射膜D.增透膜四、判断题（每题2分，共20分）1.ZnSe透过率随温度升高降低。（）2.Ge属于离子晶体。（）3.精磨粗糙度比粗磨低。（）4.FTIR可测透过率和折射率。（）5.NaCl需密封保存。（）6.抛光液颗粒越细越好。（）7.Si透过波段在近红外。（）8.提拉法易得到大尺寸晶体。（）9.镀膜仅为提高透过率。（）10.Ra=1nm的表面可直接应用。（）五、简答题（每题5分，共20分）1.简述粗磨工序的目的及关键参数。答案：目的是去除切片余量、初步成型，去除切割损伤层。关键参数：①磨料（碳化硅/金刚石，匹配晶体硬度）；②转速（100-300r/min）；③压力（0.5-2kg/cm²，均匀施加）；④冷却（避免热应力开裂）；⑤进给速度（与转速匹配）。2.红外晶体透过率检测的方法及注意事项。答案：用FTIR检测。步骤：样品清洁→设置波段（0.5-25μm）→扫描测透过率。注意：①样品无油污/灰尘；②厚度均匀；③潮解晶体（NaCl）干燥环境检测；④扣除背景；⑤重复3次取平均；⑥大尺寸测不同区域。3.列举3种红外晶体及其透过波段、应用。答案：①ZnSe（0.5-22μm）：中/远红外成像窗口；②Ge（2-11μm）：热成像镜头；③CaF₂（0.13-10μm）：紫外-红外光谱仪窗口。4.抛光常见缺陷及解决方法。答案：①划痕：降压力、换细磨料、清洁抛光垫；②麻点：增液浓度、换软垫、延长时间；③平整度差：用高精度设备、校准盘平整度、调整样品位置。六、讨论题（每题5分，共10分）1.温度对红外晶体性能的影响及应对措施。答案：影响：①透过率：升温降低（晶格振动增强）；②折射率：升温降低（原子间距增大）；③机械性能：过热开裂。应对：加工中控制环境温度（20-25℃）、充分冷却；应用中选耐高温晶体（SiC）、设计热补偿结构；检测恒温进行。2.晶体加工的环保与安全注意事项。答案：环保：抛光液分类处理、有机溶剂密封、废料回收；安全：设备装防护、戴护具（眼镜/手套）、潮解晶体干燥操作、高温设备定期检查（防漏电/漏气）。答案汇总一、填空题1.0.5；222.损伤层3.透过率4.降低5.抛光6.混合键7.坩埚下降8.干涉仪9.透过率10.NaCl（或KBr）二、单项选择题1.A2.B3.B4.B5.A6.A7.A8.A