物理(精排版)河北石家庄市2026届普通高中毕业年级高三年级教学质量检测（二）(石家庄高三二模)(4.22-4.24)

石家庄市2026届高中毕业年级教学质量检测（二）物理参考答案一、单项选择题：本题共7小题，每小题4分，共28分。在每小题给出的四个选项中，只有一项符合题目要求。1234567ADBBCDC二、多项选择题：本题共3小题，每小题6分，共18分。在每小题给出的四个选项中，有两个或两个以上选项符合题目要求。全部选对的得6分，选对但不全的得3分，有选错的得0分。89BDADACD三、非选择题：共54分。（1）150（2分）6（2分，填写6.0、0~6同样给分2）①最小（2分）②乘积（2分）12.（8分）（1）越大（2分3）0.4（2分4）5.0（2分5）偏大（2分）13.（8分）【解析】（12分）对活塞进行受力分析得：p1S=p0S+mg（1分）解得：下部气体的压强p1=1.1x105Pa（1分）（23分）假设升温过程中活塞未上升到腔体顶部，则气体做等压膨胀，根据盖-吕萨克定律得：（2分）Δh＜h_h1=10cm，假设成立。（33分）活塞上升过程中，外界对封闭气体做功：W=_p1SΔh（1分）解得：W=_11J根据热力学第一定律:ΔU=W+Q（1分）说明：其他解法正确可相应给分。14.（14分15分）物块B沿斜面向上做匀减速直线运动，设加速度大小为a1，根据牛顿第二定律得：mBgsinθ+μmBgcosθ=mBa1（1分）解得：a1=10m/s2物块B经过时间t1与传送带共速，此过程发生的位移为xB1，根据运动学公式得：xBt1（1分）解得：xB1=2.25m物块B继续沿斜面向上做匀减速直线运动，设加速度大小为a2，根据牛顿运动定律得：mBgsinθ_μmBgcosθ=mBa2解得：a2=2m/s2物块B经过时间t2速度减为0，此过程发生的位移为xB2，根据运动学公式得：v0=a2t2xBt2（1分）则，物块B沿传送带上滑的最大位移为：xB=xB1+xB2（24分）物块A沿斜面向下做匀加速直线运动，设加速度大小为aA，由牛顿第二定律得：mAgsinθ_μmAgcosθ=mAaA解得：aA=2m/s2由位移公式可得：A向下运动的位移：xAaA（1分）解得：xAm传送带向上运动的位移：x0=v0(t1+t2)（1分）解得：x0=3m物块A与传送带因摩擦产生的热量Q=μmAgcosθ(x0+xA)（1分）（35分）碰撞前A的速度：vA1=aA(t1+t2)（1分）解得:vA1=3m/s，B的速度为0A、B碰撞过程动量守恒，机械能守恒，所以mAvA1=mAvA2+mBvB2（1分）解得：vB2=2m/s对B由动量定理得：_Ft=mBvB2（1分）_解得:F=4000N（1分）说明：其他解法正确可相应给分。15.（16分13分）设电子经加速进入磁场时的速度大小为v0，根据动能定理得:eUmv（1分）电子进入磁场后，洛伦兹力提供向心力做匀速圆周运动，如图，由牛顿第二定律得：电子经磁场偏转后再匀速垂直打在沉积靶的上表面的左端点，到达x轴上，如图甲所示，满足：2R=3d联立解得：U（1分）（27分）当U时，根据动能定理得：eUmv2（1分）解得：v=5dB电子在磁场中做匀速圆周运动，设轨迹半径为r，由牛顿第二定律得：解得：r=5d轨迹圆所对应的圆心角为37°,由图乙所示，当电子打在沉积靶左侧时，由图中几何关系可得：x即当电子在电场中运动的水平位移Δx=d，电子打在沉积靶左侧（1分）电子在所加匀强电场中做斜抛运动，其加速度大小将斜抛运动进行分解及对称性，可得：Δx=vcos联立可得：E（1分）由图乙所示，当电子打在沉积靶右侧时，由图中几何关系可得：x即当电子在电场中运动的水平位移Δx=3d，电子打在沉积靶右侧（1分）电子在所加匀强电场中做斜抛运动，其加速度大小a将斜抛运动进行分解及对称性，可得：Δx=vcos370x联立可得：E（1分）为使电子仍能打在沉积靶的上表面，电场强度E应满足的条件：mm（36分）当U时，根据（2）问可知电子在在y>d区域匀强磁场中做匀速圆周运动，半径r=5d，电子在y<0区域匀强磁场中做半径为r1的匀速圆周运动，电子的速度为v1，满足：Bev（1分）若电子打在沉积靶下表面的中点，电子水平方向的侧移量为4d，由图中几何关系可得：Ekmv分）联立可得：当n=1时，r1=3d，电子动能Ek（1分