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文档简介
离区中设置有位于衬底上与发光功能层同一侧的至少一个隔离柱,隔离柱围绕开孔区一圈设衬底的下表面一侧,隔离柱周围设置有第一凹2所述隔离区中设置有位于所述衬底上与所述发光功能层所述第一隔离部和所述第三隔离部的材料相同,所述第二隔离部与所述第一隔离部、所述第二隔离部和所述第三隔离3在衬底上且位于隔离区,通过干法刻蚀工艺形成至少对所述隔离柱过渡结构进行湿法刻蚀工艺,形成隔离在形成有所述隔离柱的衬底上,形成位于所述像在待形成的所述隔离柱过渡结构周围形成第一15.根据权利要求13所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在衬底上且位于隔离在所述衬底上依次形成覆盖所述隔离区的第一隔所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第三隔4形成层间绝缘层,所述层间绝缘层包括第一过孔和第在所述层间绝缘层上依次形成所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第三隔离膜,对所述第一隔离膜、所述第二隔离膜和所述第利用半色调掩模版对所述平坦层薄膜进行刻蚀,形成覆盖所述像素区的平坦层图案,5体材料和发光材料在电流驱动下而达到发光并实现显示的技术。OLED相比LCD(Liquid[0007]所述隔离区中设置有位于所述衬底上与所述发光功能层同一侧的至少一个隔离[0009]可选的,上述的显示面板还包括设置于所述隔离柱远离所述衬底一侧的保护图6[0035]在形成有所述隔离柱的衬底上,形成位于所述像素区和所述隔离区的发光功能7[0039]在所述衬底上依次形成覆盖所述隔离区的第一隔离膜、第二隔离膜和第三隔离第三隔离膜的材料相同,所述第二隔离膜与所述第一隔离膜和所述第三隔离膜的材料不8层也会延伸至开孔区中,为了防止水汽和氧气从开孔区向位于像素区中的发光功能层蔓[0071]图7为本发明实施例提供的一种像素界定结构、柱状隔垫物层和发光功能层的结[0075]图11a为本发明实施例提供的一种第一隔离膜、第二隔离膜和第三隔离膜的制备[0076]图11b为本发明实施例提供的一种源极、漏极和隔离柱过渡结构的制备过程示意[0078]图11d为本发明实施例提供的一种平坦层图案、保护图案以及垫高部的制备过程9[0084]全面屏是指具有超高屏占比的一类显示屏,理想的全面屏的屏占比为100即,[0087]隔离区103中设置有位于衬底13上与发光功能层1014同一侧的至少一个隔离柱1031,隔离柱1031围绕开孔区102一圈设置,且隔离柱1031的纵截面呈工字形;在隔离柱电子注入层(electioninjectionlayer,简称EIL)1017、空穴传输层(hole[0094]在隔离区103中设置有至少一个隔离柱1031,隔离柱1031围绕开孔区102一圈设各侧面相对于第一隔离部1032和第三隔离部区102一圈设置,且隔离柱1031的纵截面呈工字形;在隔离柱1031靠近衬底13的下表面一从开孔区102向位于像素区101中的发光功能层1014蔓延,因此在位于开孔区102和像素区蚀前后不会发生变化,因而隔离柱1031与保护图案1035整体仍然呈工字形,发光功能层[0108]通过设置相同材料的第一隔离部1032和第三隔离部1034,以及与第一隔离部[0111]示例的,第一隔离部1032和第三隔离部1034的材料可以为Ti(钛),第二隔离部第一隔离部1032的厚度大于第三隔离部1034的厚度。由于栅极141或源极142和漏极143的[0116]可选的,如图2a、图2b和图2c所示,薄膜晶体管14还包括有源层144和栅绝缘层[0118]示例的,在隔离柱1031中的第一隔离部1032和第三隔离部1034的[0122]平坦层图案160用于平坦薄膜晶体管14中的源极142和漏极143的表面,便于后续于平坦层图案160的厚度,可以便于后续制备发光功能层1014以及位于发光功能层1014上[0127]第一无机封装层19和第二无机封装层21用于防止从显示面板1正面进入的水汽和如氮化硅和/或氧化硅。有机层20用于防止第一无机封装层19的中无机物颗粒影响第二无离柱1031和第二挡墙1037之间;相对第一挡墙1036,第二挡墙1037下表面设置有垫高部挡墙1036用于拦截有机层20的材料向靠近开孔区102的一侧流动。第二挡墙1037用于进一[0146]图9以形成两个隔离柱过渡结构104进行示意,每个隔离柱过渡结构104均围绕开各侧面相对于第一隔离部1032和第三隔离部的过程中不会影响保护图案1035的结构,因此可以利用保护图案1035与隔离柱1031整体,够保证在同种刻蚀液中,将整体呈矩形的隔离柱过渡结构104刻蚀为纵截面呈工字形的隔[0167]图11b中以第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案与源极142和漏极143同[0168]第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案中的至少一者,与栅极141或源极[0172]S105、如图11a所示,在层间绝缘层15上依次形成第一隔离膜1041、第二隔离膜[0175]上述制备方法形成的薄膜晶体管14为顶栅型薄膜晶体管,且隔离柱过渡结构104[0181]上述的半色调掩膜版利用了光栅的部分透光性,可以将光阻型[0182]保护图案1035的厚度小于平坦层图案160的厚度,可以避免保护图案1035与隔离柱1031形成尖端不利于后续制备发光功能层1014以及位于发光功能层1014上侧的其它膜[0186]在形成阳极1012的衬底13上形成像素界定结构18,并同步在隔离区103形成第一[0187]上述的垫高部161用于支撑后续制备的第二挡墙1037,垫高部161和平坦层图案[0195]本发明的实施例还提供一种显示面板1,该显示面板1为利用上述的显示面板1的
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