CN110752217A 发光显示装置及制造其的方法 （三星显示有限公司）

于显示元件层的第一子像素区域中的第一发光于显示元件层的第二子像素区域中的第二发光于显示元件层的第三子像素区域中的第三发光2第一子像素，所述第一子像素包括所述多个发光元件之第二子像素，所述第二子像素包括所述多个发光元件之第三子像素，所述第三子像素包括所述多个发光元件之第一颜色转换层，所述第一颜色转换层位于第二颜色转换层，所述第二颜色转换层位于所述第二子像素区域中的所述绝缘层之其中，所述第一颜色转换层和所述第二颜色转换层光散射层，所述光散射层位于所述第三子像316.根据权利要求15所述的发光显示装置，还包括位于所述衬底与所述显示元件层之和所述第三发光元件中的每个包括具有微米级通过在所述第一子像素区域、所述第二子像素区域第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件并通过形成配置为覆盖所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件的绝缘层来在所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所在所述显示元件层之上在所述第一子像素区域和所述第二子像素区域中分别形成第在所述第一颜色转换层和所述第二颜色转换层之上分别形成第一滤色器和第二滤色转换层包括通过喷墨印刷方法向由所述分隔壁限定的所述第一子像素区域和所述第二子20.根据权利要求18所述的方法，还包括在所述第三子像素区域中在所述显示元件层4[0002]本申请要求于2018年7月5日提交的第10-2018-0078393号韩国专利申请的优先权[0005]本公开的各种实施方式涉及能够提高光学效率并呈现鲜明色彩的发光显示装置5[0018]在实施方式中，分隔壁可具有其宽度在远离显示元件层的方向上减小的梯形截[0021]在实施方式中，发光显示装置还可包括位于衬底与显示元件层之间的像素电路向由分隔壁限定的第一子像素区域和第二子像素区域施加包括至少一种颜色的量子点的6[0032]图17A至图17E是顺序地示出根据本公开的实施方式的制造发光显示装置的方法 中所示的一个元件或特征相对于另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应理解的是，除了附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用中或在操作中的不上方和下方两种取向。装置可以以其它方式取向(例如，旋转90度或处于其它取向)并应相应地解释本文中所使用的空间相对描述语。复数形式。还应理解的是，当在本说明书中使用术语“包含(comprises)”、“包含7[0039]根据本文中描述的本发明实施方式的电子装置或电气装置和/或任何其它相关装使用诸如随机存取存储器(RAM)的标准存储器装置在计算装置中实施。计算机程序指令也用词典中定义的术语的术语应解释为具有与其在相关技术和/或本说明书的语境中的含义8[0046]在实施方式中，发光元件LD可具有与微米级尺寸或纳米级尺寸对应的小尺寸(例设计条件不仅可以与发光显示装置相关，而且可以与使用发光元件LD的各种发光装置相11可包括一个n型半导体层。在各种实施方式中，n型半导体层可包括例如InAlGaN、GaN、[0048]有源层12可位于第一导电半导体层11上并具有单个量子阱结构或多个量子阱结[0052]例如，如图1A中所示，发光元件LD还可包括位于第二导电半导体层13的一端(例[0054]虽然图1A中所示的发光元件LD包括不完全围绕圆柱形本体的侧表面的绝缘膜149[0056]在实施方式中，绝缘膜14可包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜14可包括选自由N4外，形成在每个发光元件LD上的绝缘膜14可以防止相邻的发光元件LD发生不期望的短路。[0061]图2是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光显示面板100的平面图。图2示域NDA可以以围绕显示区域DA(例如，位于显示区域DA周围)这样的方式位于发光显示面板底SUB可以是由玻璃或强化玻璃制成的刚性衬底，或者可以是通过由塑料或金属制成的薄[0065]将衬底SUB上的一区域限定为形成像素PXL的显示区域DA，并且将衬底SUB的其它[0066]像素PXL中的每个可包括至少一个发光元件LD(例如，图1中所示的至少一个棒式发光二极管)，至少一个发光元件LD通过相应的扫描信号和相应的数据信号进行驱动。例区域DA可具有各种公知的合适的像素排列[0069]图3A至图3C是各自示出根据本公开的实施方式的子像素SPX的电路图，以例如示[0071]参照图3A，根据本公开的实施方式的子像素SPX可包括发射单元EMU和像素电路[0072]在实施方式中，发射单元EMU可包括在第一电源VDD与第二电源VSS之间彼此并联[0073]虽然在图3A中示出了形成发射单元EMU的发光元件LD在第一电源VDD与第二电源源VSS之间在正向方向上彼此联接，并且其它发光元件LD可在第一电源VDD与第二电源VSS[0074]在实施方式中，形成每个发射单元EMU的发光元件LD的第一端可经由第一电极共[0075]每个发射单元EMU可发射具有与经由相应的像素电路PXC提供至其的驱动电流对[0076]像素电路PXC可联接至相应的子像素SPX的扫描线(例如，第i扫描线Si)和数据线SPX的像素电路PXC可联接至显示区域DA的第i扫描线Si和第j数据线Dj。像素电路PXC可包[0080]存储电容器Cst的一个电极联接至第一电源VDD，并且存储电容器Cst的另一电极联接至第一节点N1。存储电容器Cst可以充有与在每个帧周期期间提供至第一节点N1的数可以由可具有各种合适结构的公知的像素电路形成和/或通过各种合适的驱动方案操作。[0084]参照图3C，像素电路PXC不仅可以联接至相应水平线的扫描线(例如，第i扫描线像素SPX的像素电路PXC还可联接至第i-1扫描线Si-1和/或第i+1扫描线Si+1。在实施方式[0085]第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5联接至第一电源VDD，并且第一晶体一节点N1。第一晶体管T1可响应于第一节点N1的电压来控制要提供至发射单元EMU的驱动[0086]第二晶体管T2联接在第j数据线Dj与第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极联接至相应的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si提供栅极导通电压的扫描信号的栅电极联接至相应的第i扫描线Si。当从第i扫描线Si提供栅极导通电压的扫描信号时，[0089]第五晶体管T5联接在第一电源VDD与第一晶体管T1之间。第五晶体管T5的栅电极[0092]存储电容器Cst联接在第一电源VDD与第一节点N1之间。存储电容器Cst可存储既与在每个帧周期期间被施加至第一节点N1的数据信号对应又与第一晶体管T1的阈值电压第一晶体管T1至第七晶体管T7中的至少一个可改变成N型晶体管，但是电路配置和施加的路PXC可以由可具有各种合适结构的公知的像素电路形成和/或通过各种合适的驱动方案[0095]图4至图6是各自示出根据本公开的实施方式的发光显示面板(图2的发光显示面成第一子像素SPX1，在第二子像素区域SPA2中形成第二子像素SPX2，在第三子像素区域[0097]每个子像素区域SPA可包括第一像素电极ELT1、第二像素电极ELT2以及在第一像极ELT1可一体地联接至第一连接电极CNL1(或者与第一连接电极CNL1一体地形成)。例如，极ELT1和第一连接电极CNL1可彼此分离地形成并经由例如至少一个接触孔或通孔彼此电极CNL1可以在与第一方向DR1交叉的第二方向[0102]在实施方式中，第二像素电极ELT2可联接至第二电源VSS。例如，第二像素电极[0104]在实施方式中，第二像素电极ELT2和第二连接电极CNL2可以彼此一体地联接(或LD2可位于第二子像素SPX2的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间。至少一个第三在每个子像素区域SPA中，多个发光元件LD可以在第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2[0108]发光元件LD电联接在相应的子像素SPX的第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2[0110]类似地，发光元件LD的第二端可经由至少一个接触电极(例如，第二接触电极有无机晶体结构并且具有超小尺寸(例如，与微米级尺寸或纳米级尺寸对应)的材料制成。示的具有与微米级尺寸或纳米级尺寸对应的尺寸之间形成电场，由此使发光元件LD在第一像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间自对准。可以可靠地联接在第一像素电极ELT1与第二[0114]每个子像素区域SPA中的发光元件LD可以聚集，从而形成相应的子像素SPX的光像素电极ELT1与第二像素电极ELT2之间在正向方向上联接的发光元件LD可发射具有与驱在平面图中，每个子像素区域SPA的发射区域中的至少一个发光元件LD可以在相应的子像光元件LD1可以在第一子像素区域SPA1中被第一分隔壁PW1包围(或被第一分隔壁PW1围的发射区域中的至少一个第三发光元件LD3可以在第三子像素区域SPA3中被第三分隔壁少一个有机层由基于光刻胶的有机材料形成，至少一个无机层由诸如SiNx或SiOx的无机材的第一发光元件LD1的至少一部分之上，第二光转换图案LCP2可定位在第二子像素区域SPA2的第二发光元件LD2的至少一部分之上，并且第三光转换图案LCP3可定位在第三子像素区域SPA3的第三发光元件LD3的至少一部分之上。每个光转换图案LCP可包括颜色转换[0123]图7至图9是各自示出了根据本公开的实施方式的子像素SPX的结构的剖视图。例第一子像素SPX1的与图6的线I-I'对应的截面的图7至图9来对每个子像素SPX的结构进行层DPL和光转换图案层LCPL可形成在发光显示第一子像素SPX1的像素电路PXC的电路元件，显示元件层DPL包括至少一个发光元件LD(例多个第三发光元件LD3，第三光转换图案LCP3位于包括第三发光元件LD3的显示元件层DPL元件层DPL可形成在衬底SUB的已在其上形成像素电路层PCL的一个表面上。光转换图案层LCPL可形成在衬底SUB的已在其上形成显示元件层D像素电路层PCL可包括形成在子像素区域SPA中的每个中以形成相应子像素SPX的像素电路子像素SPX的发光元件LD的单个晶体管T(例如，图3A和图3B的第一晶体管T1或图3C的第六不限于图7至图9中所示的实施方式的结构。例如，每个晶体管T可具有多种公知的截面结四绝缘层INS4可以连续地堆叠在衬底SUB与显示元件层DPL之间。像素电路层PCL还可包括SCL一体地形成的第一电极ET1和/或[0136]栅电极GE可位于半导体层SCL上，并且第一绝缘层INS1插置在栅电极GE与半导体[0137]第一电极ET1和第二电极ET2可位于半导体层SCL上，并且至少第二电极ET2可位于第三绝缘层INS3与第四绝缘层INS4之间。第一电极ET1和第二电极ET2可电联接至半导体层SCL。例如，第一电极ET1和第二电极ET2可分别经由穿过第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3的相应接触孔与半导体层SC[0138]在实施方式中，第一电极ET1和第二电极ET2中的任一个可经由穿过第四绝缘层INS4的至少一个接触孔(例如，第一接触孔CH1)电联接至位于第四绝缘层INS4上的第一像[0139]在实施方式中，存储电容器Cst可包括在彼此间隔开的位置处位于不同层上的第INS2与第三绝缘层INS3之间。第二电容器电极CSE2可位于形成晶体管T的至少一个导电层[0140]虽然为了描述，第一电容器电极CSE1和第二电容器电极CSE2中的每个已在图7至[0141]在实施方式中，显示元件层DPL可以在每个子像素区域SPA中在像素电路层PCL之第二连接电极CNL2可以位于设置有第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2的每个子像素区域路层PCL和/或第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2的衬底SUB上位于彼此间隔开一定距离[0149]第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可分别具有与第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2的形状对应的形状。例如，每个第一像素电极ELT1可具有与相应的第一线堤层[0150]在实施方式中，第一线堤层BNK1和第二线堤层BNK2可以不位于每个子像素区域ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可具有[0152]在实施方式中，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2中的每个可包括反射电化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO))和导电聚合物(诸如[0154]各自具有以上所提及的结构的第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2使得从每个发光元件LD的相对端(即，第一端EP1和第二端EP2)发射的光能够在显示图像的方向上元件LD的第一端EP1和第二端EP2发射的光可以被第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2层BNK2上的第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2可以用作反射构件以提高从每个发光极ELT2等的每个子像素区域SPA上。在实施方式中，第一绝缘图案INP1可位于像素电路层PCL与发光元件LD之间。第一绝缘图案INP1可用于支承发光元件LD并防止发光元件LD从其[0157]在实施方式中，可以在设置有第一绝缘图案INP1的每个子像素区域SPA上设置并[0159]发光元件LD中的每个的形状和/或结构不限于图7至图9中所示的形状和/或结区域SPA上。在实施方式中，每个第三绝缘图案INP3可设置成覆盖相应的第一接触电极电极(例如，第一像素电极ELT1和第二像素电极ELT2以及第一接触电极CNE1和第二接触电素区域SPA上的光转换图案LCP。例如，光转换图案层LCPL可包括位于设置有第五绝缘层外，光转换图案层LCPL可可选地包括位于设置有第五绝缘层INS5的每个第三子像素区域[0166]在实施方式中，每个光转换图案LCP可包括至少一个颜色转换层或至少一个光散素SPX1为红色子像素并且设置在第一子像素SPX1中的第一发光元件LD1为用于发射除红色区域DA中的像素PXL的截面结构可以彼此基本相同或相似。因此，将参照示出任一个像素[0171]在实施方式中，像素电路层PCL可包括形成每个子像素SPX的像素电路PXC的至少[0173]在一些实施方式中，根据本公开的发光显示装置可以不包括像素电路层PCL。例冲层BFL和/或至少一个绝缘层。例如，显示元件层DPL可直接形成在衬底SUB和/或缓冲层[0174]显示元件层DPL可位于衬底SUB的其上已形成有像素电路层PCL的一个表面上。显示元件层DPL可以在每个像素区域PXA中包[0175]例如，显示元件层DPL可包括位于每个第一子像素区域SPA1中的至少一个第一发转换图案层LCPL可包括位于第五绝缘层INS5之上的分隔壁PW[0179]在实施方式中，分隔壁PW可以具有比颜色转换层CCL和/或光散射层LSL的高度大情况下，即使在未设置单独的黑色矩阵时，也可防止在相邻的子像素SPX之间发生颜色混元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3全部可以由发射蓝光的蓝色发光二极管形[0184]在这种情况下，第一光转换图案LCP1、第二光转换图案LCP2和第三光转换图案转换层CCL1和第一滤色器CF1，并且可以可选地包括位于第一颜色转换层CCL1与第一滤色器CF1之间的第一覆盖层CPL1。类似地，每个第二光转换图案LCP2可包括第二颜色转换层缘层INS5上并且被分隔壁PW包围。第一颜色转换层CCL1可包括用于将从第一发光元件LD1发射的具有特定波长和/或颜色的光转换成具有其它波长和/或颜色的光的光转换颗粒(例[0186]例如，在第一发光元件LD1为蓝色发光元件并且第一子像素SPX1为红色子像素的层CCL1可包括具有与第一子像素SPX1的颜色对[0188]在实施方式中，第一覆盖层CPL1可位于第一颜色转换层CCL1与第一滤色器CF1之并且可以由透明材料形成以最小化(或减少)从第一发光元件LD1发射的光的损失。第一覆CPL3可由彼此分离的单独的图案形成或者可将从第二发光元件LD2发射的具有特定波长和/或颜色的光转换成具有其它波长和/或颜色[0191]例如，在第二发光元件LD2为蓝色发光元件并且第二子像素SPX2是绿色子像素的层CCL2可包括具有与第二子像素SPX2的颜色对[0192]第一量子点和第二量子点(或红色量子点QDr和绿色量子点QDg)中的每个可以从[0196]第一量子点和第二量子点可具有约45nm或更小的发射波长谱的半峰像素区域SPA3中的第一发光元件LD1、第二发光元件LD2和第三发光元件LD3可具有相同的[0200]在实施方式中，第二覆盖层CPL2可位于第二颜色转换层CCL2与第二滤色器CF2之并且可以由透明材料形成以减少或最小化从第二发光元件LD2发射的光的损失。第二覆盖[0201]在实施方式中，光散射层LSL可以在每个第三子像素区域SPA3中可选地层叠在第有效地利用从第三发光元件LD3发射的光。光散射层LSL可包括至少一种散射颗粒SCT。例布在诸如透明树脂的基质材料(例如，预定的基质材料)中的多个散射颗粒SCT。在本公开粒SCT可以可选地包括在第一颜色转换层CCL1和/或透明材料形成以最小化或减少从第三发光元件LD3发射的光的损失。第三覆盖层CPL3可防第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以分别为红色滤形成一体的覆盖层CPL'。[0217]图17A至图17E是顺序地示出根据本公开的实施方式的制造发光显示装置的方法域SPA3的衬底SUB。在实施方式中，可以可选地在衬底SUB的一个表面上形成像素电路层显示元件层DPL的操作可包括分别在第一子像素区域SPA1、第二子像素区域SPA2和第三子[0220]参照图17C，在衬底SUB的其上已形成有显示元件层DPL的一个表面上形成分隔壁隔壁PW的表面上形成另外的反射层RFL来形[0221]参照图17D，可以在衬底SUB的其上已形成有显示元件层DPL和分隔壁PW的一个表在第一子像素区域SPA1和第二子像素区域SPA2中形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转示元件层DPL上在第三子像素区域SPA转换层CCL1的操作、形成第二颜色转换层CCL2的操作和形成光散射层LSL的操作的顺序不转换层CCL2可形成为包括红色量子点QDr和绿色量子点QDg的组合的一体的颜色转换层[0225]在实施方式中，形成第一颜色转换层CCL1和第二颜色转换层CCL2(或一体的颜色转换层CCL')的操作可包括通过喷墨印刷方法向限定在分隔壁PW内侧的第一子像素区域