CN112186078B 制造发光器件封装件的方法及使用其制造显示面板的方法 （三星电子株式会社）

US2018166424A1,2018KR20180059249A,2018制造发光器件封装件的方法及使用其制造一种制造发光器件封装件的方法以及制造蚀刻穿过半导体叠层来在衬底中形成具有预定导体光发射器来形成填充沟槽并使半导体光发过模制件彼此分离并分别覆盖到半导体光发射2在具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底的第一表面上形成半导体通过在所述衬底的第一表面的方向上蚀刻贯穿所述半导体叠层而在所述衬底中形成通过涂覆柔性绝缘材料以覆盖所述多个半导体光发射器来形成填充所述沟槽并使所通过去除所述衬底来形成通过所述模制件彼此分离并分别覆盖到所述多个半导体光形成填充所述沟槽的第一模制件，所述第一模制件由包括聚对苯二酯和白色环氧模塑化合物的材料形成，并且作为分离所述多个波长转换器的分隔壁结构；形成覆盖所述第一模制件的第二模制件，所述第二模制件由包括聚酰亚胺的材料形所述第二模制件由熔点高于所述第一模制件的熔点的材在将所述半导体叠层分离为多个半导体光发射器之前通过在衬底上堆叠第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层并形成包括聚酰亚胺、聚对苯二甲酸环己烷二甲醇酯或环氧模塑化合物的材料的模制通过去除所述衬底来在所述多个半导体光发射器中的每一个上形成包括所述模制件3形成填充所述沟槽的第一模制件，所述第一模制件由包括聚对苯二酯和白色环氧模塑化合物的材料形成，并且作为分离所述多个波长转换器的分隔壁结构；形成覆盖所述第一模制件的第二模制件，所述第二模制件由包括聚酰亚胺的材料形多个半导体光发射器，其在第一衬底上具有第一导电准备在第二衬底上包括多个薄膜晶体管单元的第二衬底在工艺温度下将所述第一衬底结构接合到所述第二衬底结构，以将通过去除所述第一衬底来形成通过所述模制件分离并分别覆盖所述多个半导体光发其中，所述模制件包括填充将所述多个半导体光发射器分所述第一衬底和所述第二衬底具有彼此不同的所述多个半导体光发射器和所述多个波长转换器分别且包括所述多个子像素的一个像素具有等于或大于每英4所述多个第二导电半导体层共享所述第一导电所述第二模制件的熔点高于将所述第一衬底结构接合到所述第二衬底结构的工艺温5层和第二导电半导体层的电极焊盘以及包括覆盖所述多个半导体光发射器的柔性材料的6[0008]通过参照附图详细描述示例性实施例，对于本领域技术人员而言特征将显而易[0009]图1示出根据本公开的示例实施例的使用发光器件封装件的显示面板的示意性透[0015]图7示出根据本公开的示例实施例的使用发光器件封装件的显示面板的驱动电路[0018]图1示出根据本公开的示例实施例的具有发光器件封装件的显示面板的示意性平[0020]参照图2，第一衬底结构100可包括像素区域10和围绕像素区域10的模制区域215×15矩形形式形成阵列。在实施方式中，列和行的数量可被实现为合适的数量(例如，7SP2和第三子像素SP3中的每一个可具有约1μm的宽度(在第一方向上)W1和约3μm的长度(在[0024]参照图3和图4，一个像素P可包括垂直堆叠的第一衬底结构100和第二衬底结构[0026]第一衬底结构100可包括发光器件封装件LK1，其包括第一半导体光发射器LED1、第二半导体光发射器LED2和第三半导体光发射器LED3。发光器件封装件LK1可包括连接到第一电极焊盘170N和第二电极焊盘170P可由诸如金属的导电[0027]发光器件封装件LK1可包括第一半导体光发射器LED1、第二半导体光发射器LED28半导体光发射器LED3可具有相同的结构。绝缘层142可在第二导电半导体层133的下表面[0028]第一导电半导体层131和第二导电半导体层133可分别是n型半导体层和p型半导≤1)的氮化物半导体。有源层132可具有其中量子阱层和量子势垒层彼此交替地堆叠的多[0029]绝缘层161可包括在发光器件封装件LK1的下部中，并且绝缘层161可围绕第一半[0033]模制件180可由具有低模量的材料形成，从而允许第一衬底结构100具有柔性特[0034]模制件180可具有或形成围绕第一波长转换器190R、第二波长转换器190G和第三9[0036]其中红色量子点QD1和绿色量子点QD2分散在粘结剂树脂中的液体感光树脂组合三波长转换器190B劣化)可在第一波长转换器190R、第二波长转换器190G和第三波长转换一衬底结构100与第二衬底结构300之间)。接合层200可包括绝缘接合层210和导电接合层可由与第一衬底结构100的模制件180具有相同的组成的材料形成。导电接合层220可促进第一衬底结构100的第一电极焊盘170N和第二电极焊盘170P接合到第二衬底结构300的接触件，并且可由与第一电极焊盘170N和第二电极焊盘170P具有相同的组成的导电材料形TFT单元可通过接合层200的导电接合层220分别连接到第一半导体光发射器LED1、第二半导体光发射器LED2和第三半导体光发射器LED3。多个TFT单元可包括通过向半导体衬底中[0041]图5示出根据本公开的示例实施例的具有发光器件封装件的显示面板的横截面LED11、第二半导体光发射器LED12和第三半导体光发射器LED13中的每一个可包括半导体二导电半导体层1133的下表面上，并且氧化铟锡(ITO)层1141可在绝缘层1142与第二导电模制件1180可围绕第三电极焊盘1190N和第四电极焊盘1190P[0043]当将图5的显示面板2与根据先前描述的示例实施例的显示面板1进行比较时，不导体光发射器LED2和第三半导体光发射器LED3中的每一电压ELVSS)连接到第一导电半导体层2131。图6的发光器件封装件可被修改以使得包括在单个半导体光发射器LED23中的半导体叠层2130具有共享第一导电半导体层2131的第一区LED23可使用稍后将描述的驱动电路来向第一区域LEDa和第二区域LEDb选择性地供电。例[0046]图7示出图6的发光器件封装件的驱动电路。形成单个子像素的两个区域LEDa和LEDb可分别由施加有电源电压ELVDD的单独的驱动电路DC1和DC2来驱动。两个区域LEDa和LEDb中的每一个可通过数据线Data接收数据信号，并且可通过扫描线Scan来进行开/关控2O422在接触孔H1和H2中形成第一电极150N和第二三半导体光发射器LED3的绝缘层161以及覆盖绝缘层161的反射[0053]参照图14，可在第一电极150N和第二电极150P上形成镀层以形成第一电极焊盘器LED2和第三半导体光发射器LED3彼此隔离。模制件180可由具有低模量的材料形成以具一半导体光发射器LED1、第二半导体光发射器LED2和第三半导体光发射器LED3的多个TFT低于衬底110上的掺杂浓度的浓度)掺杂有硼，以便帮助确保在分离衬底110以用于生长的第三半导体光发射器LED3分离，并且可提供当从顶部看时由分隔壁结构限定的凹槽H5R、[0056]将描述根据示例实施例的制造显示面板的工艺。图17至图21示出制造图5的显示[0057]参照图17，在第一电极1150N和第二电极1150P上形成镀层以形成第一电极焊盘[0058]参照图18，可形成第一模制件1161(覆盖第一电极焊盘1170N和第二电极焊盘[0059]参照图19，可在第一模制件1161上形成第二模制件1180(由包括PI的材料形成第一模制件可在其中在等于或高于350℃的温度下执行接合的后续工艺中熔融，因此会失[0061]参照图21，可将衬底1110与第一半导体光发射器LED11、第二半导体光发射器[0065]一个或多个实施例可提供一种具有柔性并且具有增加的像素密度的显示面板或