CN112271179B 有源区结构以及形成有源区结构的方法 （福建省晋华集成电路有限公司）

本公开提供一种有源区结构以及形成有源所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件2其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方靠近所述第一封闭边界的所述第一器件单元与所在所述有源层上方形成牺牲层，并对所述牺牲层进行图案化处对所述间隔物之间进行填充，形成包覆所述牺牲层图案的填充层，去对所述分隔图案单元和所述填充图案单元进行图案化处理，以得到图述预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、3其中，所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相所述分隔图案单元延伸至所述第一边界图案所述第一有源线的两端均延伸至所述第一封闭靠近所述第一封闭边界的所述第一器件单元与所在所述牺牲层图案和所述填充层图案上方形通过掩膜版对所述光致抗蚀剂层进行图案化处理，以在所述牺牲层图于所述分隔图案单元上方的若干间隔设置的第一器件图案单元和位于所述填充图案单元以所述光致抗蚀剂图案为掩膜，对所述分隔图案单元和所述填充图案单元进行刻蚀，有源层进行刻蚀，以在所述有源层上形成沿所述预设方向的若干间隔设置的第一有源线、45了现有技术中有源器件单元与其边界的应力不均造成的器件损害以及器件有源区和外围一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交，所述第二有源线不与所述第一封闭边界接6源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设7图案单元上的第三边界图案单元、覆盖于在所述第二边界图案单元上的第四边界图案单[0043]与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效8[0050]图5-17是本公开一示例性实施例示出的一种形成有源区结构的方法的相关步骤[0051]图18是本公开一示例性实施例示出的另一种形成有源区结构的方法的相关步骤9[0058]这里参考作为本公开的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述本[0065]若干沿预设方向的第一有源线间隔设置于有源层102上，第一有源线包括若干间[0066]若干沿预设方向的第二有源线间隔设置于有源层102上(即第二有源线的方向与[0069]与第一封闭边界1023相交的所有第一器件单元1021(靠近第一封闭边界1023的所有第一器件单元1021)的长度各不相同，这种结构可以使得器件单元与其边界的应力更加件单元1021和第二器件单元1022之间)通过第一浅沟槽103(ShallowTrenchIsolation，[0079]若干沿预设方向的第一有源线间隔设置于有源层102上，第一有源线包括若干间[0080]若干沿预设方向的第二有源线间隔设置于有源层102上(即第二有源线的方向与端均延伸至第一封闭边界1023范围外，但第一有源线的两端不与第二封闭边界1024接触。[0083]与第一封闭边界1023相交的所有第一器件单元1021(靠近第一封闭边界1023的所有第一器件单元1021)的长度各不相同，这种结构可以使得器件单元与其边界的应力更加图4和图5-图17来描述本公开实施例提出的形成有源区结构的方法一个示例性方法的详细[0098]S102b：通过第一掩膜版(图中未示出)对第一光致抗蚀剂层(图中未示出)进行图[0106]氧化物层可以相对于牺牲层具有蚀刻选择性，因此可以具有比牺牲层图案105更小于或等于牺牲层图案105和间隔物106的厚度。填充层107将间隔物106之间的间隙填充[0110]填充层107的材料可以与牺牲层的材料一致。分隔图案单元1051的线宽与填充图器件图案单元(图中未示出)和位于填充图案单元1081上方的若干间隔设置的第二器件图图案单元1051和填充图案单元1081；其中，第三器件图案单元1053与第四器件图案单元1052相交，与第一边界图案单元1052相交的所有第三器件图案单元1053(靠近第一边界图案单元1052的所有第三器件图案单元1053)的长度各不相同，这种结构可以使得后续形成图案化处理后的分隔图案单元1051和填充图案单元1081为刻蚀掩膜，对有源层102进行刻[0120]第一封闭边界1023不与第二封闭边界1024接触，每个器件单元之间(包括第一器[0125]本公开提供一种形成有源区结构的方法，第二封闭边界1024与器件单元同时形实施例示出的另一种形成有源区结构的方法的相关步骤元1051的两端均与第一边界图案单元1052相交且分隔图案单元1051延伸至第一边界图案[0131]本公开提供一种形成有源区结构的方法，第二封闭边界1024与器件单元同时形发明所公开的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，