CN112382651B 显示面板及其制备方法、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）

基板上的正投影与透明抑制图案在衬底基板上没有设置第一电极，避免第一电极对光线的遮2多个透明抑制图案，设于所述衬底基板的一侧，并位于至第一电极，设于所述发光层的远离所述衬底基板的一侧，所述显示面板还包括阵列排布的像素单元，所述像素单元包括一个第一邻至少两个所述像素单元之间设置有一个所述透明抑制或者，所述显示面板还包括阵列排布的像素单元，所述个所述第三发光图案之间设置有所述透明抑制像素定义层，设于所述平坦化层的远离所述衬底基板的所述透明抑制图案设置在连通的所述第一过孔和所述第三过孔内，39.一种显示面板的制备方法，用于制备权利要求在所述衬底基板的一侧形成发光层，所述发光层包括多个发光在所述第一区，且在所述衬底基板的一侧形成多个透明抑制图案，在所述发光层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极，并在在所述平坦化层的远离所述衬底基板的一侧形成像素定义层，所述发光图案形成在所述第三过孔内，所述透明抑制图案形成在连4来。屏下摄像方案对屏下摄像显示区的显示屏的透光率提出一定要求，OLED(Organic5[0024]分布在相邻两行两列的两个第一发光图案和两个第二发光图案形成一个虚拟四6设置有多个通孔，通孔在衬底基板上的正投影与透明抑制图案在衬底基板上的正投影重7像显示区141的像素密度，使屏下摄像显示区141的像素密度小于或等于正常显示区142的8[0071]在衬底基板1的相对另一侧设置有有机膜层2，即在衬底基板1设置摄像头的相对4可以包括多个阵列排布的薄膜晶体管，薄膜晶体管作为开关组件用于控制各个子像素的坦化层5的远离衬底基板1的一侧设置有第二电极7，第二电极7的面积较小只设置在像素过孔61在衬底基板1上的正投影与薄膜晶体管和各种走线在衬底基板1上的正投影互不交9[0085]具体地，透明抑制图案10可以包括中间区域以及连接于中间区域的四个边缘区[0088]分布在相邻两行两列的两个第一发光图案和两个第二发光图案形成一个虚拟四[0092]在图4和图5所示的示例实施方式中，屏下摄像显示区141的透光率可以达到红色发光图案81的中心点和蓝色发光图案82的中心点的连[0096]小虚拟正方形的边长为四个像素间距(pixelpitch)的大小。每个虚拟小正方形901在衬底基板1上的正投影与透明抑制图案10在衬底基板1上的正投影重合，即在透明抑制图案10的远离衬底基板1的一侧没有设置第一电极9而是形成了通孔901，以增加屏下摄述多个发光图案在所述衬底基板1上的正投[0115]提供一衬底基板1，衬底基板1具有屏下摄像显示区141以及围绕屏下摄像显示区[0116]在衬底基板1的一侧形成有机膜层2，该有机膜层2为柔性膜层以作为阵列基板的衬底(后续工艺中可以将衬底基板1剥离以留下有机膜层2层作为柔性衬底)。在有机膜层2子(如过量的H+等)对后续形成的半导体图案(多晶硅有源层)的影响；还可以在阻挡层3的并对平坦化层5进行刻蚀形成第一过孔51和第二过孔52，第一过孔51仅形成在屏下摄像显[0122]再使用图10所示的具有开口13的精细金属掩膜板12对屏下摄像显示区141的非发在屏下摄像显示区141的透明抑制图案10之上没有形成阴极9，提高了屏下摄像显示区141和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的