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2020.11.27PCT/IB2019/0006692019.05.29WO2019/229532EN2019.12.05US2015016769A1,2015.01.15US2018101082A1,2018.04.12US7603016B1,2009.10.13以及波导(203)，所述波导在所述掩埋氧化物层上方。所述波导(203)包括含硅Si区和含锗锡掺杂区(207)分别连接到第一电极(210a)和第二电极(210b)，使得所述波导(203)能够作为光电2波导，所述波导在所述掩埋氧化物层上方，并且所述波导是位于第其中所述波导包括含硅Si区和含锗锡GeSn区，这两者都位于所其中在从所述硅衬底延伸到所述波导的高度方向上，所述含锗锡G并且其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别连接到第一电2.如权利要求1所述的硅基光电探测器，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于3.如权利要求2所述的硅基光电探测器，其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别4.如权利要求3所述的硅基光电探测器，其中所述第一电极和所述第二电极分别在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的在相应的平板部分内的部分中接触所述第一掺杂区和6.如权利要求1所述的硅基光电探测器，所述硅基光电探测器具有至少1.55μm的操作的导向方向且平行于所述衬底的表面的方向上测量的宽度为所述波导的在同一方向上测所述波导相邻的表面到所述波导的最远离所述掩埋氧化物层的表面测量的至少2.5μm且不具有从所述掩埋氧化物层的最上表面到相应的平板部分的最远离所述掩埋氧化物层的表3提供硅衬底、在所述硅衬底上方的掩埋氧化物层以及在所述掩埋氧化物层上方的波在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间蚀刻所述波导的将锗锡沉积到所述空腔中，以提供与所述波导的含硅区相邻的所述波4[0003]此外，将光电探测器或光电二极管集成在光子电路内是方便的(这与将它们结合二电极可分别在所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的在相应的平板部分内的部分中接触5[0017]所述含锗锡区的在垂直于所述波导的导向方向且平行于所述衬底的表面的方向上测量的宽度可为所述波导区的在同一方向上测量的宽度的至少40%且[0019]所述波导可具有从所述掩埋氧化物层的与所述波导相邻的表面到所述波导的最[0020]所述波导可具有从所述波导与所述掩埋氧化物层等距的第一侧和第二侧测量的[0021]所述第一平板部分和所述第二平板部分可具有从所述掩埋氧化物层的最上表面到所述相应的平板部分的最远离所述掩埋氧化物层的表面测量的至少0.2μm且不超过0.6μ6[0041]最后，如图2E所示，提供分别接触第一掺杂区206和第二掺杂区207的第一电极[0042]步骤2A至2E产生如图3所示的根据本发明的实施方案的器件300。衬底201由硅形[0043]含锗锡区209具有约1μm的最大宽度(在垂直于波导的导向方向且垂直于从衬底导的最上表面测量的约3μm的高度。平板区204a和204b具有从掩埋氧化物层的最上表面到7

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