2026年高考化学复习 选择题热点练5无机化工“微流程”及分析（含解析）

5,无机化工“微流程力及分析

1.（2024・湖南邵阳二模）利用废铝箔（主要成分为AI,含少量Mg、Fe等）制明矶［KA1（SOJ）212H2O］的一

种工艺流程如图：

适量K2SO4

稀硫酸NaOH溶液稀硫酸饱和溶液

废了ITI

铝福赢悭区礴词过运商赢卜磕而卜世

箔

下列说法错误的是（）

A.该工艺步骤①与步骤②顺序互换会更节约生产成本

B.②中发生的反应有:Al（OH）3+NaOH=-Na［AI（OH）4］

C.③中稀硫酸酸化的目的是符A1（OH）3转化成AP-

D.由④可知，室温下明矶的溶解度小于A12（SO4）3和K2s04的溶解度

2.（2024•吉林白山二模）以含钱废料［主要成分为Ga（CH3）3］为原料制备半导体材料GaN的工艺如图所

示。已知:Ga和A1的性质相似。下列叙述错误的是（）

盐酸

SOC12NH3

翳％簸-逊喙陋率GaN

尾气1尾气2

A.操作X不宜温度过高

B.用NH4C1固体可替代“脱水”中的SOC12

C.用酸性KMnCh溶液可检验“脱水”产生的气体含SO2

D.不能用如图装置吸收“合成”中尾气

3.（2024•辽宁沈阳一模）清华大学等重点高校为解决中国“芯”——半导体芯片问题，成立了“芯片学院”。

某小组拟在实验定制造硅，其流程如图。

石铁条过量盐酸

英点燃在CO2氛r[W|^dsi|

砂SiSi

引发围中除杂操作1

、MgOMgCh溶液

镁

Mg2SiHCI溶液MgCk溶液

粉

HC溶液

已知:Mg2Si+4HCl=_2Mgeh+SihUT。

下列说法中错误的是（）

A.点燃镁条引发反应的过程中，涉及两种品体类型的变化

B.CCh氛围是为了阻止Si被二次氧化和Silh自燃

C.操作2为用去离子水洗涤并烘T

D.lmol镁粉生成MgO和Mg：Si的混合物，转移2mol电子

4.（2024•陕西渭南质检I）以卜,是在实验室模拟“侯氏制碱法”生产流程的示意图:

NH4cl

0温度/t

下列说法错误的是（）

A.向饱和食盐水中先通入氨气的口的主要是提高CO?吸收量

B结合图示信息，可在较低温时采取降温结晶方式将氯化钠和氯化铁分离，以获取副产品铁态氮肥

C.燃烧滤渣时需要在瓷地期中进行

D.操作b用到的主要玻璃仪器有烧杯、漏斗、玻璃棒

5.（2024•吉林省吉林地区三模）二氧化褚常用作有机反应的催化剂以及制备半导体的原料。某大型化

工厂提纯二氧化错废料（主要含GeCh、AS2O3）的工艺如图，下列有关说法正确的是（）

NaOHH2O2

溶■液溶T液盐T酸高纯T水

田

高纯GeOzTEF-GeOz•〃凡0

已知:①GeCh与碱反应生成Na2GeCh;As2O3与碱反应生成NaAsO2；

②GeCL的熔点为~49.50c.沸点为85℃,极易发生水解。

A.Ge在周期表中位于第四周期第VIA族

B“鱼化”时，离子反应为ASO2+H2O2+2OH----AS01+2H2O

C.“操作1”是蒸溜「操作2”所用仪器主要为玻璃棒、漏斗、烧杯

D"操作1”加入的盐酸为7moi若改成1molL」可节省原料同时不影响产率

6.（2024•江苏盐城一模）室温下，用含少量Ca21的FeSCh溶液制备FeCCh的过程如图所示。已知：

Ksp（CaF2）=5.3xl（P,Ka（HF）=6.3x10±

Ka"H2co3)=45x10-7、Ka2(H2CO3)=4.7xl0-L列说法正确的是()

NH,摘液氨水-NHJICO3溶液

Fcso,溶液T除钙I------—•"FcCOj

A.0.1mol-L-'NH4F溶液中:c(F-尸C(NH1)+C(NH3-H2O)

B」除钙”得到的上层清液中:002+)＜篝"

C.pH=1()的氨水-NH4HCO3溶液:c(CO介＜c(HC03)

D“沉铁”反应的离子方程式:Fe2++2HCO&—FeCO3l+CO2t+H2O

7.(2024•辽宁锦州质检)镒主要用于钢铁工业生产镒合金钢，[：业上由碳酸镒矿粉(主要成分为MnCO3,

另含FesOj、MgO、SiO2杂质)制备镒的匚艺流程如图所示。下列说法错误的是()

H2sO4溶液H2O2MnCO3MnF2溶液

碳酸钛a麻

矿粉节父—HOHSFMn

浸渣FC(OH)3MgF2电解液

A."浸渣''的土耍成分为SiO2

3+

B.“沉铁”时发生反应的离子方程式为3MnCO3+2Fe+3H2O=_3MM++2Fe(OH)3+3CO2T

C.“电解”过程中增大溶液中的c(H+),电解效率增大

D.该工艺流程中,H2s04溶液可循环使用

8.(2024•辽宁省实验中学高考适应性测试二)某工厂废液经简易处理后的沉淀泥浆中含有大量废铜丝

和少量V、Ti、Fe、Si元素的氯化物及复杂化合物，一种以该沉淀泥浆为原料回收铜与钮的工艺流

程如图所示。

NaOHH2sO4NH4C1

溶液溶液Na2c溶液

空段

沉淀

除

泥

相

浆

氯

已知:常温下Ksp[Fe(OH)3]=2.79x10叫

Ksp[Cu(OH)2]=2.2xlO。。,溶液中的离子浓度在10-5mol-L1时可以认为已经除尽。下列说法错误的是

()

A.泥浆在空气中堆放后由灰色变为疏松的绿色粉状，是因为铜被氧化、便于后续酸浸时铜进入溶液

B.流程中利用CS(OH)3C1+OH-2CU(OH)2+C「除氯,可以减少酸浸时含氯化合物的挥发

C.若浸出液中Cu2+的浓度为01moiL-1则酸浸时可调pH=5

D.焙烧加入Na2cCh的R的是使V元素转化成可溶性的钢酸盐

9.(2024•山东滨州二模)实验室分离苯甲酸乙酯、苯甲酸和环己烷的混合物，流程如下。

无水MgSO,

乙酶H2SO4

已知:苯甲酸乙酯的沸点为212.6。。“乙醛-环己烷-水共沸物”的沸点为62.1℃0卜.列说法错误的是

()

A.“操作b”为水蒸气蒸锦，“操作d”为重结晶

B.乙醛不可用丙酮代替

C.操作c需要用到的仪器主要有酒精灯、蒸发皿、玻璃棒

D.“水相II”主要成分有苯甲酸纳、碳酸氢钠和碳酸钠

5.无机化工“微流程力及分析

1.(2024•湖南邵阳二模)利用废铝箔(主要成分为A1,含少量Mg、Fe等)制明矶[KAKSO4"12比0]的一

种工艺流程如图:

适量K2s0,

稀硫酸NaOH溶液稀硫酸饱和溶液

③酸化④结晶明

研

下列说法错误的是()

A.该工艺步骤①与步骤②顺序互换会更节约生产成本

B.②中发生的反应有:Al(OH)3+NaOH-----Na[Al(OH)4]

C.③中稀硫酸酸化的目的是将AI(OH)3转化成A伊

D.由④可知，室温下明矶的溶解度小于AL(SO4)3和K2s04的溶解度

|¥^|c

匣四废铝箔(主要成分为Al,含少量Mg、Fe等)与稀硫酸反应，生成AP+、Mg?-、Fe?+,过滤除去不溶

于酸的杂质，再用NaOH溶液调节pH,将Mg2+、Fe?+转化为沉淀析出,AP+转化为[Al(OH)由过滤固体,

继续向滤液中加入适量稀硫酸得到A12(SO4)3溶液，最后加饱和K2s04溶液结晶得到溶解度更小的明

矶。由于Mg、Fe不与氢氧化钠溶液反应,步骤①与步骤②顺序互换后，通过操作a(过滤)即可得到

Na[Al(OH)4]溶液,再加稀硫酸可得到硫酸铝溶液、调换顺序后，酸碱的浪费更少，可节约生产成本,A正

确;②中AW转化为[A1(OH)4]•，发生的反应方程式为

:

Al2(SO4)3+6NaOH_2Al(OH)31+3Na2so4,AI(OH)3+NaOH^=Na[Al(OH)4],B正确;③中稀硫酸酸化

的目的是将［Al(OH)d-转化为A|3+,C错误;④是根据溶解度差异来制取明矶,即室温卜.明矶的溶解度小

于A12(SO4)3和K2s04的溶解度,D正确。

2.(2024•吉林白山二模)以含钱废料［主要成分为

Ga(CH3)3］为原料制备半导体材料GaN的工艺如图所示。已知:Ga和AI的性质相似。下列叙述偌误

的是()

盐酸

SOCI2NH3

俅

；：」脱iGaC13H空卜GaN

废的溶液;I

料

尾气1।尾气2

A.操作X不宜温度过高

B.用NH4C1固体可替代“脱水”中的SOCh

C.用酸性KMnCU溶液可检验“脱水”产生的气体含SO2

D.不能用如图装置吸收“合成”中尾气

答案:C

幽钱废料加盐酸酸溶后，生成GaCb,蒸发结晶得GaCb〃HQ,含结晶水，在SOCL的存在下进行脱

水得无水GaCb,无水GaCh与氨气反应得GaN。操作X是析出GaCh/dI2O的步骤,Ga3+易水解，温度

过高易生成Ga(OH)3,A项正确;亚硫酰氯(SOCL)与水反应生成SO?和HQJ脱水”中总反应为

6203〃比0+，£0023的。3+二021+2m07出0抑制62。3水解,氯化铁固体受热分解产生氯化

氢,也能抑制氯化钱水解，可以用氯化馁替代亚硫酰氯，达到相同目的，B项正确广脱水”中产生的气体

含SO?、HC1,二者都能还原酸性高镒酸钾溶液使其褪色，应用品红溶液检验SO2,C项错误;“合成”中

高温

反应为GaCb+NFh-GaN+3HCl,尾气含NFh和HC1,而NH、和HC1均易溶于水，直接通入水中易引

起倒吸，应考虑防倒吸措施,D项正确。

3.(2024•辽宁沈阳一模)清华大学等重点高校为解决中国“芯”——半导体芯片问题，成立广'芯片学院

某小组拟在实验室制造硅,其流程如图。

铁条

石

点燃

英

引发

砂

、

镁

粉

已知:Mg2Si+4HCl=_2MgCl2+SiH4To

下列说法中错误的是（）

A.点燃镁条引发反应的过程中，涉及两种晶体类型的变化

BCCh氛围是为了阻止Si被二次氧化和SiH4自燃

C.操作2为用去离子水洗涤并烘干

D.lmol镁粉生成MgO和Mg:Si的混合物，转移2mol电子

|^|A

点燃高温

H点燃铁条引发反应的过程中发生的反应为2Mg+SiCh-2MgO+Si,2Mg+Si-MgzSi,镁粉为

金属晶体、石英砂和硅为共价晶体、氧化镁和硅化镁为高•子晶体，涉及三种类型晶体变化,A错

误;CO?氛|制是为了阻止Si被二次氧化和SiH4自燃,B正确;操作2为用去离子水洗涤并烘干.C正确;1

mol镁粉生成MgO和Mg2Si的混合物,Mg由0价全部变为+2价，转移2mol电子,D正确。

4.（2024•陕西渭南质检I）以卜.是在实验室模拟“侯氏制碱法”生产流程的示意图：

气扁

NH气体X

3瓯

氨4W

饱和盐悬浊操作

bNa2COj

食盐水水液

a分离

・滤液一…

回收

NH4cl

o温度代.

下列说法错误的是（）

A.向饱和食盐水中先通入氨气的口的主要是提高CO?吸收量

B.结合图示信息，可在较低温时采取降温结晶方式将氯化钠和氯化铉分离，以获取副产品镀态氮肥

C.燃烧滤渣时需要在瓷川烟中进行

D.操作b用到的主要玻璃仪器有烧杯、漏斗、玻璃棒

|¥^|c

丽|氨气的溶解度极大，先通入氨气形成弱碱性环境提而二氧化碳的吸收量,A正确;氯化铁的溶解

度受温度影响较大，氯化钠的溶解度受温度变化影响较小,可在较低温时采取降温结晶方式将氯化钠

和氯化铁分离，以获取副产品钱态氮肥,B正确;碳酸钠在高温条件下和陶瓷中的二钝化硅发生反应腐

蚀密小堪,因此燃烧滤渣不能在盗地期中进行,C错误;操作b为过滤，用到的主要玻璃仪器有烧杯、漏

斗、玻璃棒,D正确。

5.（2024•吉林省吉林地区三模）二氧化锚常用作有机反应的催化剂以及制备半导体的原料。某大型化

工厂提纯二氧化错废料住要含GcO?、AS2O3）的工艺如图，下列有关说法正确的是（）

NaOHH2O2

溶■液溶T血盐T酸高纯T水

高纯GeOzTSJFGeOz•〃凡0

已知:①GeCh与碱反应生成Na2GeCh;As2O3与碱反应生成NaAsCh；

②GeCL的熔点为-49.5。。沸点为85。。极易发生水解。

A.Ge在周期表中位于第四周期第VIA族

B.“氧化”时，离子反应为AS02+H202+20H---As0j-+2H20

C.“操作1”是蒸储，“操作2”所用仪器主要为玻璃棒、漏斗、烧杯

D.“操作1”加入的盐酸为7moi•[/,若改成1molL」可节省原料同时不影响产率

|¥^|B

画|废料碱浸后生成Na2GeO3sNaAsCh,加入过氧化氢溶液氧化除肺，加入盐酸蒸恨得到GeCL,加

入纯水GeCL水解，经过蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、洗涤、干燥，过滤得到GeO2〃H2。,烘干得到

Ge02oGe在周期表中位于第四周期第IVA族,A错误;“氧化”时,+3价伸转化为+5价伸，离子反应为

ASO2+H2O2+2OH---AsO抖2H20,B正确;“操作I”是蒸僦“操作2”为蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、

洗涤、干燥，所用仪器主要为蒸发皿、铁架台（带铁圈）、酒精灯、玻璃棒、漏斗、烧杯,C错误;GeCL

极易发生水解,若改成1mol-L1的盐酸，可能造成GeCL水解产率降低.D错误。

6.（2024・江苏盐城一模）室温下，用含少量Ca?，的FeS04溶液制备FeCCh的过程如图所示。已知:

K"CaF2)=5.3x10l)X(HF)=6.3x1。力

g(H2c03尸4.5乂10-7、5⑴2c03)=4.7x10L下列说法正确的是()

NH,摘液氨水-NH，HCO3溶液

FcSO,溶液T除钙I-----—""FcCOj

A.0.1mol-L-1NH4F溶液中:c(F尸c(NH：)+c(NH3H2O)

B“除钙”得到的上层清液中:c(Ca2+)〈篝了

C.pH=10的氨水-NHjHCCh溶液:c、(CO»<c(HCO，

D.“沉铁”反应的离子方程式:FC2++2HCO&—FeCO3l+CO2t+H2O

[g^|c

函I含少量Ca2,的FeSO」溶液中，加入NH4F溶液将Caz转化为CaFz沉淀除去，所得滤液主要含有

Fc2\SO彳和NH：,再加入氨水-NH4HCO3溶液“沉铁”得到FcCCh沉淀。因P、NHj均能水解生成

HF、NH3H2O、则0.1molL-'NH4F溶液中，由元素守恒得:c(F)+c(HF)=c(NH；f)+c(NH3H20)盘错

误广除钙”得到的上层清液为CaFz的饱和溶液，则c(Ca2+)-B错误;pH=l()的氨水-NH4HCO3溶

液中，因器需=%胃)=4消”-0.47<1厕C(CO|)<C(HCO3),C正确;Fe2•与HCO3反应生成

FcCQ沉淀,HCO&电离出的H-与NH3H2O结合生成NH；和比0,则“沉铁”反应的离子方程式为

FC2++HCO&+NH3H2。=---=FCCO31+NH：+H2O,D错误。

7.(2024•辽宁锦州质检)镒主要用于钢铁工业生产镒合金钢，工业上由碳酸镒矿粉(主要成分为MnCCh,

另含FeQ4、MgO、SiO?杂质)制备镒的工艺流程如图所示。卜.列说法错误的是()

H2sO,溶液H2O2MnCOjMnF2溶液

碳酸铳a麻

矿粉一1警—HOHSFMn

浸渣FC(OH)3MgF2电解液

A.“浸渣”的主要成分为SiO2

3+2+

B.“沉铁”时发生反应的离子方程式为3MnCO3+2Fe+3H2O=_3Mn4-2Fe(OH)3+3CO2t

C.“电解”过程中增大溶液中的c(H+),电解效率增大

D.该工艺流程中,H2s04溶液可循环使用

|¥^|c

画本题为从碳酸镒矿粉中制备单质镒的过程,首先用硫酸溶解矿粉，过滤后得到的滤液中含有镒尚

子、二价铁、三价铁、镁离子，加入过氧化氢将二价铁氧化为三价铁,用碳酸铳沉铁，随后用氟化铳沉

镁后，再通过电解得到单质储。碳酸锌矿中只有SiO?不溶干H,SOJ溶液,故可知“浸清”的主要成分为

SiCh,A正确:根据流程可知，“沉铁”时发生反应的离子方程式为

3

3MnCO3+2Fe+3H2O3Mn2++2Fe(OH)3+3C()2T，B正确;“电解''过程中增大溶液中的c(W)H会在

阴极放电,导致电解效率减小,C错误;电解后得到的,•电解液”为H2s04溶液,“酸浸”时需要向碳酸铳矿

粉中加入H2s04溶液，故可知该工艺流程中,H2s04溶液可循环使用,D正确。

8.(2024•辽宁省实验中学高考适应性测试二)某工厂废液经简易处理后的沉淀泥浆中含有大量废铜丝

和少量V、Ti、Fe、Si元素的氯化物及复杂化合物，一种以该沉淀泥浆为原料回收铜与锐的工艺流

程如图所示。

NaOHH2sO4NH4CI

溶液溶液Na2CO,溶液

|操作A卜CuSO,THzO

已知:常温下Ksp[Fe(OH)F=2.79x10叫

Ksp[Cu(OH)2]=2.2xlO-2。,溶液中的离子浓度在IO5molL」时可以认为已经除尽。卜.列说法错误的是

()

A.泥浆在空气中堆放后由灰色变为疏松的绿色粉状，是因为铜被氧化,便于后续酸浸时铜进入溶液

B流程中利用CU2(OH)30+OH------2Cu(OH)2+Q除氯河以减少酸浸时含氯化合物的挥发

C.若浸出液中CW的浓度为().1molL」,则酸浸时可调pH=5

D.焙烧加入Na2c()3的目的是使V元素转化成可溶性的钮酸盐

[g^|c

画|泥浆堆放后由灰色变为疏松的绿色粉状可以得出是铜被铤化，酸浸时可以进入溶液便于后期制

备胆矶人正确:常温下除氯，可以在酸浸时减少HC1挥发，更加环保,B正确:pH=5时、c(OH)=10-9

nwlLL经计算c(Fe3+)-%瑞31=盗写molL/=2.79x1产molL",能使Fe?+除尽，但

c(CM+)-心需;；)2】一D：；mol-L/=2.2xlO-2molL”,也会随之沉淀,C错误;焙烧加入Na2c0%可以

使V元素转化成