CN112786442B 等离子体处理方法及等离子体处理装置 （东京毅力科创株式会社）

JPH10107142A,1998.04.24KR960019490A,1996提供一种对有机膜的蚀刻形状不良进行抑等离子体处理方法通过在有机膜上由含硅膜形成且具有开口部的掩模，对所述有机膜进行蚀2通过对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序所生成的SiC的蚀刻速率低于所述含在对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序之后，进行对所同时进行对所述掩模的开口部的侧壁进行改性的工序和对所述掩模的上表面进行蚀3将对所述掩模的形状进行修复的工序和利用所述第三处理气体的等离子体对所述有载置台，用于放置基板，在该基板中布置有在有机膜上由含45[0014]图2是对使用无机膜作为掩模来对有机膜进行蚀刻的处理的一个示例进行说明的[0018]图6是示出第一处理气体与第二处理气体的流量比和含硅膜的形状之间的关系的6[0020]使用图1对根据本实施方式的基板处理装置1进行说明。图1是示出根据本实施方式的基板处理装置(等离子体处理装置)1的一个[0028]在基板处理装置1中设置有气体供给管线24。气体供给管线24向静电卡盘20的上表面与基板W的背面之间供给来自传热气体供[0030]上部电极30可以包括顶板34以及支撑体36。顶板34的下表面为内部空间10s侧的[0031]支撑体36以拆装自如的方式对顶板34进行支撑。支撑体36由铝等导电材料形7体源中的各个气体源经由阀组42的相应的开闭阀以及流量控制器组44的相应的流量控制[0033]在基板处理装置1中，沿着腔室主体12的内壁面以及支撑部13的外周以拆装自如[0035]基板处理装置1包括第一高频电源62和第二高频电源64。第一高频电源62是产生率例如是27MHz～100MHz范围内的频率。第一高频电源62经由匹配器66及电极板16与下部用于将离子吸引至基板W的偏置用的高频电力。第二高频电力的频率例如是400kHz~配器68具有用于使第二高频电源64的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的电8[0041]接着，使用图2至图4对由基板处理装置1实施的基板处理方法(等离子体处理方法)进行说明。图2及图3是对使用含硅膜120作为掩模来对有机膜110进行蚀刻的处理的一[0042]图4(a)示出了在蚀刻处理开始前的基板W的构造。基板W具有下层膜100、有机膜膜。形成有开口部111(参见后述的图4(e))的图案的有机膜110用作对下层膜100进行蚀刻[0045]下层膜100设置在有机膜110的下方。下层膜100是以通过图2所示的有机膜110的蚀刻处理形成有开口部111的图案的有机膜110作为掩模而被蚀刻的膜。下层膜100例如可[0046]在图2所示的蚀刻处理开始前，基板W经由通路12p被搬送至腔室10的内部空间制部80对第二高频电源64进行控制，以向下部电极18施加用于将离子吸引到基板W的第二9要说明的是，作为对有机膜110进行等离子体蚀刻时的反应产物的CO被排气装置50从内部[0054]另外，含硅膜120也被由等离子体所生成的氧离子(O+)或氧自由基(O*)蚀刻并消含硅膜120的表面上形成有作为SiO2膜的氧[0066]在步骤S21中，使用第一处理气体对掩模(含硅膜120)的开口部121的侧壁进行改有机膜110进行等离子体蚀刻时的反应产物(CH4、具有悬挂键的中间体CHx)在有机膜110的(CH4x)与含硅膜120的表面的作为氧化膜123的SiO2反应，或使在含硅膜120的表面的氧2到SiC的改性中，主要对含硅膜120的开口部121的侧壁进行改刻。如图4(d)所示，通过利用等离子体由第二处理气体所生成的离子(CFx+等)或自由基时进行对掩模(含硅膜120)的开口部121的侧壁进行改性的处理(步骤S21)和对掩模(含硅可以在供给第一处理气体以对掩模(含硅膜120)的开口部121的侧壁进行改性的处理(步骤S21)之后，供给第二处理气体以进行对掩模(含硅膜120)的上表面进行等离子体蚀刻的处2气体以是能够认为有机膜110的开口部111到达作为目标的蚀刻深度(例如到达下层膜100)的次[0083]图5(a)是对在含硅膜120的肩部形成有倾斜部122的情况下的氧离子的运动进行[0084]图5(b)是对含硅膜120的肩部被矩形化的情况下的氧离子的运动进行说明的示意120被矩形化，因此能够对在含硅膜120反弹的氧离子与有机膜110的侧壁碰撞的情况进行[0087]图6是示出第一处理气体与第二处理气体的流量比和含硅膜120的形状之间的关[0092]虽然以上对基板处理装置1的实施方式等进行了说明，但是本公开不限于上述实