CN113126426B 具有检视窗的光罩盒的结构及方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

本发明实施例涉及具有检视窗的光罩盒的2将包括所述衬底、所述相移层、所述屏蔽层和所述经图案化掩膜层的通过所述窗而对所述经图案化掩膜层执行第一检视操作，其中所将所述经图案化屏蔽层上的图案转印到工件2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括响应于在所述第一检视操作期间发现缺3.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行所述第一检视操作包括发射检视辐射以4.根据权利要求3所述的方法，其中所述检视辐射包括介于400nm与700nm之间的波5.根据权利要求1所述的方法，其中所述窗包括窗体及位于所述窗体的两侧上的透明在所述第一操作之前对所述光致抗蚀剂层执行曝光操作和显通过所述窗而对所述经图案化光致抗蚀剂层执行第二检视操作，其中响应于在所述第二检视操作期间检测到外来粒子而致使将所述外来粒子从所述经图述经图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩膜来蚀刻所8.根据权利要求6所述的方法，其进一步包括响应于检测到所述外来粒子而在图案化响应于在所述第一检视操作期间检测到所述经图案化掩膜层的有缺陷部分而修复所3所述经图案化掩膜层作为蚀刻掩膜对所述屏蔽层执在第一处理工具中执行第一操作，其中所述第一操作包括蚀刻将包括所述衬底、所述相移层、所述屏蔽层和所述经图案化掩膜层的所述通过所述窗而对所述经图案化掩膜层执行检视操作，其中所述检在第二处理工具中将来自所述光罩盒的所述光将所述经图案化屏蔽层上的图案转印到工件14.根据权利要求11所述的方法，其中所述窗包括窗体及位于所述窗体的两侧上的透15.根据权利要求14所述的方法，其中所述透明膜包括氧化铝锌(AZO)、氧化铟钨16.根据权利要求14所述的方法，其中所述透明膜包括介于20nm与200nm之间的厚在第一处理工具中执行第一操作，其中所述第一操作包括蚀刻将包括所述衬底、所述相移层、所述屏蔽层和所述经图案化掩膜层的所述通过所述窗而对所述经图案化掩膜层执行检视操作，其中所述检在第二处理工具中将来自所述光罩盒的所述光4将所述经图案化屏蔽层上的图案转印到工件19.根据权利要求18所述的方法，其中在所述检视操作期间将所述光罩保持在所述光20.根据权利要求18所述的方法，其中所述膜具有大于所述检视操作中所使用的检视将所述光罩放置于光罩盒中，所述光罩盒形成密封空间以容纳所述光通过所述窗而对所述经图案化光致抗蚀剂层执行第一检视操作，其中响应于在所述第一检视操作期间未发现缺陷通过所述经图案化光致抗蚀剂层作为蚀及将所述经图案化屏蔽层上的图案转印到工件将包括所述衬底、所述相移层、所述屏蔽层和所述经图案化掩膜层的通过所述窗而对所述经图案化掩膜层执行第二检视操作，其中所23.根据权利要求22所述的方法，其进一步包括响应于在所述第二检视操作期间发现24.根据权利要求22所述的方法，其中所述窗包括窗体及位于所述窗体的两侧上的透响应于在所述第一检视操作期间检测到外来粒子而致使将所述外来粒子从经图案化所述经图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩膜来蚀刻所27.根据权利要求25所述的方法，其进一步包括响应于检测到所述外来粒子而在图案化操作之前清洁用于形成所述经图案化光致抗5响应于在所述第二检视操作期间检测到所述经图案化掩膜层的有缺陷部分而修复所29.根据权利要求28所述的方法，其进一步包括在所述有缺陷部分的所述修复之后使30.根据权利要求21所述的方法，其中所述执行所述第一检视操作包括发射检视辐射在第一处理工具中执行第一操作，其中所述第一操作包括蚀刻将包括所述衬底、所述相移层、所述屏蔽层和所述经图案化掩膜层的所述通过使辐射透射通过所述光罩盒的透明窗而对所将所述经图案化屏蔽层上的图案转印到工件34.根据权利要求31所述的方法，其中所述透明窗包括窗体及位于所述窗体的两侧上35.根据权利要求34所述的方法，其中所述透明膜包括氧化铝锌(AZO)、氧化铟钨36.根据权利要求34所述的方法，其中所述透明膜包括介于20nm与200nm之间的厚在第一处理工具中执行第一操作，其中所述第一操作包括蚀刻将包括所述衬底、所述相移层、所述屏蔽层和所述经图案化掩膜层的所述6通过所述窗而对所述经图案化掩膜层执行检视操作，其中所述检将所述经图案化屏蔽层上的图案转印到工件39.根据权利要求38所述的方法，其中在所述检视操作期间将所述光罩保持在所述光7[0002]光罩经制作以在其上形成电路图案且在半导体制造工艺中用于将电路图案转印8第二构件直接接触地形成的实施例且还可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构复参考编号及/或字母。此重复是出于简单及清晰目的且并非本质上指示所论述的各种实明。所述空间相对术语打算囊括在使用或操作中的装置的除图中所描绘定向之外的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转70度或以其它定向)且可因此同样地理解本文中所使用的空间相对描述语。罩盒以所述盖中的窗为特征，其中所述窗允许在光罩的制造工艺期间早期检测图案缺陷。可紧接在执行特定制造步骤之后执行检视操作，以便检视是否由于此制造步骤而发生缺可为透明的。通过光学光刻操作的辐射源而将光罩上的电路图案的图像转印到衬底或晶[0020]图1是根据一些实施例的光罩盒10的示意性横截面图。光罩盒10用于容纳光罩罩盒10包含基座110及位于基座110上方的盖120。盖120可拆卸地耦合到基座110以用于形[0021]图2A及2B分别是根据一些实施例的图1中的光罩盒10的基座110及盖120的示意性9器106的用于耦合到基座110的狭槽(未展示)。锁存器106可通过如此项技术中已知的机械失(侵入部(intrusion))、过量材料(延伸部(extension)或桥接部(bridging))、颈缩具有介于约500nm与约560nm之间的波长。如果将处于大于约700nm的波长的辐射用作检视不期望反应，例如，光罩108中的光致抗蚀剂材料可以造成性质改变的方式与所述辐射反具有介于光罩108的面积的约120％与约250上，其中膜118A面向上且膜118B面向下(即，面向基座110)。膜118可使用物理气相沉积与所述光罩盒的接触期间产生的静电荷，且因此可减少或消除由于光罩108的静电放电或[0031]在一些实施例中，膜118A或118B具有穿过窗体116的侧的表面而测量的沉积厚度能提供传导静电荷的充足能力。具有大于约200nm的厚度的膜118A或118B可不能提供针对中，关于处于约500nm与约600nm之间的波长的检视辐射，由ITO形成的膜118包含介于约是因为光罩108是在密封光罩盒10内被检视。可通过窗114而将检视辐射发射到光罩108的[0033]图3A到3L是根据一些实施例的制造光罩108的方法的中间阶段的示意性横截面[0037]在一些实施例中，屏蔽层306经配置以吸收入射光学光刻辐射的不期望部分以用CrN、CrON及CrO。在一些实施例中，屏蔽层306包含钼或其化合物，例如MoSi、MoSiN及层308及光致抗蚀剂层310中的每一者沉积于[0040]仍参考图3A，对光致抗蚀剂层310执行曝光操作以将预定电路图案转印到光致抗蚀剂层310。因此曝光光致抗蚀剂层310的对应于电路图案的部分312。可使用电子束(e-beam)写入器来曝光部分312。电子束写入器产生辐照光致抗蚀剂层310的选定区域的受几[0041]在一些实施例中，执行曝光后烘烤操作以增强曝光性能且致使经曝光部分312延[0042]参考图3B，使用显影剂来执行显影操作以移除经曝光部分312。在光致抗蚀剂层310中形成沟槽314且曝光掩模层308的上部表面。显影剂可为正色调显影剂或负色调显影经图案化光致抗蚀剂层310P作为蚀刻掩模来蚀刻掩模层308且在屏蔽层306处停止。因此，[0044]图3D图解说明一旦形成经图案化掩模层308P便对经图案化光致抗蚀剂层310P进[0045]图3E展示经图案化屏蔽层306P的后续形成。通过使用掩模层308作为蚀刻掩模来[0046]图3F图解说明一旦形成经图案化屏蔽层306P便对经图案化掩模层308P进行移[0047]图3G展示对相移层304进行后续图案化以形成经图案化相移层304P。通过使用经[0048]参考图3H，将第二光致抗蚀剂层320沉积于经图案化屏蔽层306P及经图案化相移[0049]仍参考图3I，对第二光致抗蚀剂层320执行曝光操作以将第二图案转印到第二光子束(e-beam)写入器或用于辐照第二光致抗蚀剂层320的选定区域的任何其它适合写入器[0051]随后，蚀刻经图案化屏蔽层306P以在另外经图案化屏蔽层3[0052]图3L图解说明在形成另外经图案化屏蔽层306F之后对经图案化第二光致抗蚀剂经图案化屏蔽层306F的将被投射到光罩108上光罩108保持密封于光罩盒10内。由于不需要将光罩108从光罩盒10移除并将光罩108曝光[0054]图4A到4E是根据一些实施例的修复光罩108的方法的中间阶段的示意性横截面光罩108的上部表面而执行检视且图4A是出于图解说明目的而展示。此所检测粒子P可暗罩进行操作之前需要清洁操作。清洁操作可包含使用包括惰性气体(例如氮气(N2)、氦气[0055]图4B图解说明紧接在参考图3C的掩模层308的图案化操作之后的光罩108的示意解说明紧接在参考图3D的经图案化光致抗蚀剂层310P的剥除操作之后的光罩108的示意性在有缺陷经图案化掩模层308D的过量部分3[0056]图4D图解说明根据一些实施例的示意性修复操作。使用可为激光束或电子束(e-beam)的修复辐射束RB来移除或蚀刻有缺陷经图案化掩模层308D的过量部分316M。可适当地控制辐射束RB的功率及辐射型式以适于部分316M的几何形状而不会不利地影响有缺陷经图案化掩模层308P的电路图案经正确地恢复以匹配图3D中所展示的成功制作的光罩108[0058]图5A到5E是根据一些实施例的修复光罩108的方法的中间阶段的示意性横截面间错误地移除部分310M(被称为侵入部)。此可暗示设计(例如用于形成经图案化光致抗蚀[0059]图5B图解说明紧接在参考图3C的经图案化掩模层308P的图案化操作之后的光罩紧接在参考图3D的经图案化光致抗蚀剂层310P的剥除操作之后的光罩108的示意性横截面[0060]图5D图解说明根据一些实施例的示意性修复操作。使用可为激光束或电子束(e-beam)的修复辐射束RB来重建有缺陷经图案化掩模层308D的部分308M。可适当地控制辐射束RB的功率及辐射型式以适于部分308M的几何形状而不会不利地影响有缺陷经图案化掩模层308D的其余部分或下伏屏蔽层306。在一些实施例中，在修复操作期间引入反应气体经图案化掩模层308P的电路图案经正确地恢复以匹配图3D中的成功制作的光罩108的电路[0062]图6A到6E是根据一些实施例的修复光罩108的方法的中间阶段的示意性横截面[0063]图6B图解说明紧接在参考图3E的屏蔽层306的图案化操作之后的光罩108的示意剥除操作之后的光罩108的示意性横截面图。原本将在无缺陷图案化操作中形成的部分[0064]图6D图解说明根据一些实施例的示意性修复操作。使用可为激光束或电子束(e-beam)的修复辐射束RB来重建有缺陷经图案化屏蔽层306D的部分306M。可适当地控制辐射束RB的功率及辐射型式以适于部分306M的几何形状而不会不利地影响有缺陷经图案化屏蔽层306D的其余部分或下伏相移层304。在一些实施例中，在修复操作期间引入反应气体经图案化屏蔽层306P的电路图案经正确地恢复以匹配图3F中的成功制作的光罩108的电路方法循环到步骤704以执行后续制造步骤直到包含移除过量部分或重建光罩中的一或多个层的缺述库可基于光罩的检视图像而改进所述原因的[0075]图8是根据一些实施例的制造半导体装置的方法80的流程图。可使用与如在先前[0079]方法80以步骤808继续进行以使用经图案化光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模来将材料所述窗经配置以允许预定波长的辐射以大于70％的本文中介绍的实施例相同的目的及/或实现与所述实施例相同的优点的其它工艺及结构的