CN113206066B 半导体结构及其制造方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2016218072A1,2016.02021.08.03本发明实施例涉及一种半导体结构及其制所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电2其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述导电通路与所述电介质部件及所述模6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述电介质部件介于所述天线与所述第一8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述电介质部件与所述天线在平面图中重2O3xxx2x3333多个导电通路，其延伸穿过所述模制件，其中所述多其中至少一部分所述模制件在所述多个电介质部件的每一者与所述多个导电通路的313.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述多个导电通路中的每一者被所述模14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述第二重布结构进一步包括多个导电16.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述多个电介质部件中的每一者的所述将模制材料放置于所述第一重布结构上以包围在所述模制材料及所述电介质部件上形成第二重布结构，其18.根据权利要求17所述的方法，其中所述电介质材料的介电常数不同于所述模制材19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括形成延伸穿过所述模制材料的多个导4级封装(WLP)过程归因于其低成本及相对简单制造操作而被广泛[0003]已开发各种技术及应用用于晶片级封装，其涉及具有不同材料的大量不同组述开口中以形成电介质部件；及在所述模制材料及所述电介质部件上形成第二重布结构，其中所述第二重布结构包含在所述电介质部件上且电连接到所述裸片的天线5实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简单及清楚且其本身不指示所讨论的各种可依其它方式定向(旋转90度或以其它定向)且还可因此解释本文中所使用的空间相对描的验证测试。测试结构可包含(例如)形成于重布层中或衬底上以允许测试3D封装或3DIC、6根据本发明的一些实施例提供的电介质部件可提高半导体结构中的天线结构的反射系数，的共振频率可通过调整电介质部件的大小或用于形成电介质部件的材料来根据期[0020]图1是根据一些实施例中的本发明的方面的半导体结构100的示意俯视图。图2是根据本发明的方面的半导体结构100沿图1的线A-A取得的布结构110上且包围裸片120。在一些实施例中，半导体结构100进一步包含：电介质部件常数。半导体结构100合适满足移动通信应用中的未来第4代(5.8GHz)及第5代(包含12GHz[0022]在一些实施例中，第一重布结构110包括任何数目个电介质层、金属化图案及通构110包含第一电介质层112。在一些实施例中，第一电介质层112包含例如(例如)聚酰亚[0023]在一些实施例中，第一重布结构110的第一导电图案111形成于第一电介质层1127中，裸片120放置于第一电介质层112上。在一些实施例中，裸片120相邻于第一导电图案[0026]在一些实施例中，裸片120包含其背面是裸片120的后表面120a且与粘着层121接实施例中，第一导电通路131是延伸穿过模制件130的贯穿绝缘通路(TIV)。在一些实施例8一导电通路131放置于裸片120的一或多个侧处。在一些实施例中，在图2所展示的剖面图[0033]在一些实施例中，第一导电通路131电连接到第一重布结构110的第一导电图案些实施例中，第二导电通路132电连接到第一重布结构110的第一导电图案111及第二重布[0035]在一些实施例中，延伸穿过模制件130的电介质部件134放置于第一导电图案111用任何合适数目个电介质部件134，且所有此类组合完全希望包含于实施例的范围内。另9134的介电常数等于或大于100。在一些实施例中，电介质部件134的介电常数等于或大于xx2x3333者经形成为电连接到第一导电图案111的单一连续壁结构以在天线结构144下方围封电介导电图案141包含至少部分在裸片120上的布线图案及/或至少部分在模制件130上的布线块150)之间的电连接。导电凸块150可提供电连接到下一级封装，例如(例如)印刷电路板[0040]在一些实施例中，第二重布结构140包括任何数目个电介质层、金属化图案及通[0041]在一些实施例中，第二重布结构140的第二导电图案141放置于第二电介质层142第三重布层147中的每一者包括重布线(RDL)及通路，其中RDL及通路是通过第二重布结构布层)中，第三级导体147c及球下金属(UBM)垫147p提供互连。导电凸块150形成于UBM垫[0043]第二导电图案141包含放置于电介质部件134上且电连接到裸片120的一或多个天[0044]在一些实施例中，天线结构144经配置以辐射电磁辐射用于无线发射或接收电磁[0045]每一天线结构144对应于对应天线结构144下方的电介质部件134。在一些实施例144之间且经配置以隔离天线结构144与电介质部件134。电介质部件134夹于天线结构144电介质部件134。在一些实施例中，电介质部件134的宽度W134大体上小于或等于天线结构质部件134的连续段。一对相邻第一导电通路131之间的间隔S大体上等于其它对相邻第一之间的间隔S不同于其它对相邻第一导电通路131之间的[0050]图9到图28是根据本发明的一些实施例的使用方法200形成的半导体装置的示意提供其上放置有粘着层114的支撑衬底113。在一些实施例中，粘着层114形成于支撑衬底113的顶面上。在一些实施例中，支撑衬底113是玻璃衬底且粘着层114是施加于支撑衬底案(未展示)。第一掩模图案的开口暴露用于随后形成的第一导电图案111的所需位置。接通过镀覆(其是电镀或无电镀)使用导电材料138填充第一光致抗蚀剂302中的第一凹槽303来形成第一导电通路131及第二导电通路图案化光致抗蚀剂302之后，从第一导电通路131及第二导电通路132暴露晶种层(未展示)向异性蚀刻过程(例如干式蚀刻)或各向同性蚀刻过程(例如湿式蚀刻)。在一些实施例中，似者。在一些实施例中，导电材料及剩余晶种层统称为第一导电通路131及第二导电通路片120的前表面120b的一部分。裸片电介质层125形成于裸片120的前表面120b处且填充导裸片120及第一导电通路131及第二导电通路132，且模制材料139与第一电介质层112及第及第二导电通路132的顶端大体上将齐平(共面)。在一些实施例中，研磨步骤在模制材料[0061]在研磨模制材料139之后，形成具有底面130b及与底面130b对置的顶面130t的模制件130。在一些实施例中，将模制件130放置于第一重布结构110上以至少横向囊封裸片一导电通路131及第二导电通路132上。移除放置于开口中的模制件130的一部分以形成第凹槽306形成于第一导电通路131之间且暴露第一导电图案111的一些部分。第一导电通路131及其相关联第一导电图案111界定第二凹槽xx2x3333常数k的电介质材料以填充第二凹槽306且放置于模制件130及第一导电通路131及第二导[0066]在固化放置于第二凹槽306中的电介质膏307之后，形成电介质部件134且将其放介质部件134从第一导电图案111延伸到模制件130的一导电通路131及第二导电通路132及裸片120的导电柱124上留下第一级导体1重布层145上且接着对其图案化及蚀刻以在第一重布层145上留下第二级导电图案111包围的电介质部件134上形[0071]在形成第二重布结构140之后，图案化第二绝缘层313且形成开口(其接着使用导导电金属层(例如铜)沉积于第二重布层146上且接着对其图案化及蚀刻以在第二重布层在一些实施例中，第三绝缘层314的材料及形成方法类似于第一绝缘层312及第二绝缘层[0075]在将导电凸块150安装于第二重布结构140上之后，从第一重布结构110移除或脱步包含延伸穿过所述模制件的导电通路，其中所述导电通路电连接到所述第一导电图案。TiO2x3333导体结构进一步包含所述第一重布结构上的模制件，其中所述模制件具有第一介电常数。个天线结构中的每一者位于所述多个电介质部件的对应电介质部件上。在一些实施例中，二重布结构，其中所述第二重布结构包含在电介质部件上且电连接到所述裸片的天线结实施相同目的及/或实现本文中所引入的实施例的相同优点的基础。所属领域的技术人员