CN113252216B 一种mems压力传感器及其的制作方法 （苏州跃芯微传感技术有限公司）

本发明公开了一种MEMS压力传感器及其的2排列在第一平面上的四个条状凸起，沿所述第一方向，每所述支撑层设置有第一腔体，所述第一腔体与所述惠斯通电桥之间设置有应变薄膜或者，所述第一腔体位于所述支撑层近邻所述绝缘层4.根据权利要求1或3所述的MEMS压力传感器，其特征在于，四个所述第一条状凸起的一端与所述第一输入电极连接，另一端与所述第一输出电极连3对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型形成多个电极，各所述电极用于各所述条状凸起接入在支撑层背离所述绝缘层的一侧表面刻蚀形成第一所述支撑层刻蚀有所述第一腔体一侧表面与所述绝缘层远离所述N型器件层一侧表面对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型形成多个电极，各所述电极用于各所述条状凸起接入所述第一腔体与所述惠斯通电桥之间形成应对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型轻掺杂形成P型在对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓掺杂层4采用刻蚀的方式形成多个电极，各所述电极之间的沟槽侧壁至少暴露至未掺杂的N型5[0003]传统的MEMS压阻式压力传感器中的压敏电阻是在N型轻掺杂器件层制作出一定区成的P型轻掺杂区和P型浓掺杂区是嵌入N型轻掺杂器件层的，这种PN结结构由于寄生参数述第一方向为所述支撑层垂直指向所述P型浓掺杂6电阻部外突于所述第四条状凸起远离所述第三条状凸7[0026]为实现上述目的，本发明第二方面实施例提出了一种MEMS压力传感器的制作方[0028]对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓掺杂[0032]为实现上述目的，本发明第三方面实施例提出了一种MEMS压力传感器的制作方[0037]所述支撑层刻蚀有所述第一腔体一侧表面与所述绝缘层远离所述N型器件层一侧[0039]对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓掺杂[0043]根据本发明的一个实施例，在对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面[0044]对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型轻掺杂形成P型轻掺杂[0045]在对所述N型器件层背离所述绝缘层的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓掺89[0085]需要说明的是，第一腔体106底面在绝缘层102上的垂直投影覆盖惠斯通电桥105应变薄膜层107受力发生形变之后，感应的应力更集中于四个条状凸起的压敏电阻部表面状凸起均至少包括P型浓掺杂层104，实现了较低的传感器灵敏度温度系数和较高的线性[0089]P型浓掺杂层104与N型器件层103之间形成的PN结为平行平面结，并且凸起的P型[0090]根据本发明的一个实施例，如图2所示，第一腔体106位于支撑层101背离绝缘层[0097]四个条状凸起均相对于衬底的横向轴线对称，使得惠斯通电桥105的两侧的电阻外突于第三条状凸起110远离第四条状凸起111的一侧；第四条状凸起111中的压敏电阻部114外突于第四条状凸起111远离第三条状凸起1起109和第三条状凸起110中压敏电阻的形状字形或多个V字形或U字形组成的级联形状中其中的一种，第二条状凸起109和第三条状凸以增加压敏电阻部114中的压敏电阻1141的电阻，并且设置为波浪形或者折线形可以进一[0111]第一条状凸起108的一端与第一输入电极1121连接，另一端与第一输出电极1123连接；第二条状凸起109的一端与第一输出电极1123连接，另一端与第一接地电极1125连绝缘层102和N型器件层103可以构成为SOI衬[0122]S102，对N型器件层103背离绝缘层102的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓[0126]S105，在支撑层101背离绝缘层102的一侧表面刻蚀形成第一腔体106，第一腔体撑层101，优选深度范围为20微米-800微米。四个条状凸起的侧壁至少暴露P型浓掺杂层[0131]支撑层101刻蚀有第一腔体106一侧外表面与绝缘层102远离器件层103一侧表面[0133]对N型器件层103背离绝缘层102的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓掺杂层102键合连接，在绝缘层102上形成N型器件层103，再在N型器件层103上形成惠斯通电桥[0140]在S102对N型器件层103背离绝缘层102的一侧表面整面进行P型浓掺杂形成P型浓各电极用于各条状凸起接入电信号和输出电信号；各电极和各条状凸起构成惠斯通电桥；本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、