CN113287199B 有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法 （三星显示有限公司）

2021.07.09PCT/KR2019/0026132019.03.06WO2020/145450KO2020.07.16US2017125500A1,2017.05.04US2018061921A1,2018.03.01US2018151654A1,2018.05.31US2018158844A1,2018.06.07有机发光显示装置和制造有机发光显示装一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极一源极电极和所述牺牲层结构上；第一漏极电2基底，所述基底具有包括第一区域和第二区域的发光区域、围绕所第一有源层，所述第一有源层具有在所述第一区域中设置在第一源极电极，所述第一源极电极设置在所述第一栅极电牺牲层结构，所述牺牲层结构设置为与所述第一源极电极间隔开，所第一漏极电极，所述第一漏极电极设置在所述保护绝缘层包括所述开口的第二接触孔连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、其中，所述凹槽与所述第二接触孔从同一层朝向所述基底第二源极电极和第二漏极电极，所述第二源极电极下部牺牲层图案，所述下部牺牲层图案与所述第二上部牺牲层图案，所述上部牺牲层图案设置在所述下部牺牲层3其中，所述第二晶体管具有底栅结构，并且所述第二有源层形成基底，所述基底具有包括第一区域和第二区域的发光区域、在所述第一区域中在所述基底上形成具有源极区域和漏极区形成通过所述第一接触孔连接到所述源极区域的第在所述第一有源层上形成与所述漏极区域重叠的同时形成i)暴露所述第一有源层的所述漏极区域的第二接触孔使得在所述牺牲层结其中，所述保护绝缘层形成在所述第二绝缘中间层上，并且45[0001]实施例一般地涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。更具体[0002]平板显示装置由于其轻质且薄的特性而用作用于替代阴极射线管显示装置的显[0006]本发明的另一目的是提供制造包括彼此不同类型的晶体管的有机发光显示装置6极电极和所述第二有源层一起被限定为第二晶且所述上部牺牲层图案的厚度可以与所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述第且所述上部牺牲层图案的厚度可以小于所述第一源极电极以及所述第二源极电极和所述牺牲层结构的厚度可以与所述第二有源层的7述漏极区域的第二接触孔使得在所述牺牲层结构中形成开口以及ii)暴露所述基底的所述层结构可以形成在所述第二绝缘中间层与所述保护[0038]图5是示出被设置在图1的子像素区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路81的有机发光显示装置的示例的平面图。图3是用于描述图1的有机发光显示装置被弯曲的发光二极管可以与第三子像素电路的一部分以及与第三子像素电路不同的其它子像素电次布置有具有相同尺寸的矩形的RGB条纹方案、包括具有相对大的面积的蓝色有机发光二9例如，在有机发光显示装置100的平面图中，显示区域10可以具有在与有机发光显示装置[0056]尽管围绕发光区域30的外围区域40在图1中被示出为具有相同的宽度，但是本发域的在第一方向D1上延伸的宽度可以相对小于第一外围区域的在第二方向D2上延伸的宽[0057]外部装置101可以通过柔性印刷电路板或印刷电路板电连接到有机发光显示装置对侧可以与外部装置101直接接触。外部装置101可以向有机发光显示装置100提供数据信[0058]图5是示出被设置在图1的子像素区域中的子像素电路和有机发光二极管的电路端子与源极端子之间的电压差产生驱动电流ID。另外，可以基于供应给有机发光二极管差(即，阈值电压)相加到被供应给第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA的电压所获[0064]提供有初始化电压VINT的用于初始化电压VINT的布线的输入端子可以连接到第输出端子可以连接到第四晶体管TR4的第二端子和存储电容器CST的一端子可以被供应有初始化电压VINT。第四晶体管TR4的第二端子可以连接到第一晶体管[0066]第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的激活时段期间向第一晶体管TR1的栅器CST在前一帧中所保持的数据信号DATA的电压电平足够高的电压电平，并且可以将初始化电压VINT供应给第一晶体管TR1的栅n行(其中，n是2或更大的整数)中的子像素电路的栅极初始化信号GI可以是与供应给子像激活的栅极初始化信号GI供应给子像素电路SPC之中的第n行中的第一子像素电路。因此，在被包含在子像素电路SPC之中的第n行中的子像素电路中的第一晶体管TR1的栅极端子被用于发光控制信号EM的布线将发光控制信号EM施加到第五晶体管TR5的栅极端子。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的激活时段期间向第一晶体管TR1的第一端子供应高电源五晶体管TR5在发光控制信号EM的激活时段期间向第一晶体管TR1的第一端子供应高电源第一端子的数据信号DATA供应给第一晶体管T光二极管OLED的第一端子。第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的激活时段期间将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管OLED。在这种情况下，第六晶体管将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管OLED，使得有机发光二极管OLED可以输出光。另外，第六晶体管TR6在发光控制信号EM的禁用时段期间将第一晶体管号DATA(更准确地讲，已经受到阈值电压补偿的数据信号)供应给第一晶体管TR1的栅极端第一端子可以被供应有初始化电压VINT。第七晶体管TR7的第二端子可以连接到有机发光二极管OLED的第一端子。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的激活时段期间向有有机发光二极管OLED的第一端子初始化为初始化电压V号。将第一晶体管TR1的栅极端子初始化的操作和将有机发光二极管OLED的第一端子初始并且在发光控制信号EM的激活时段期间，可以将由第一晶体管TR1产生的驱动电流ID供应TR1产生的驱动电流ID供应给有机发光二极管O[0073]尽管已经将本发明的子像素电路SPC描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，装置100包括显示区域10(参见图1)和焊盘区域60，显示区域10(参见图1)包括发光区域30[0076]因为有机发光显示装置100包括柔性基底110和薄膜封装结构450，所以有机发光[0078]第一屏障层112可以设置在整个第一有机层111上。第一屏障层112可以阻挡湿气[0079]第二有机层113可以设置在第一屏障层112上。第二有机层113可以设置在整个第屏障层114中不形成开口，或者在定位在弯曲区域50中的第二有机层113和第二屏障层114[0086]栅极绝缘层150可以在第一区域11和第二区域12中设置在缓冲层115和第一有源层130上。在实施例中，栅极绝缘层150可以在第一区域11中在基底110上覆盖第一有源层以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅x[0088]第一绝缘中间层190可以在第一区域11和第二区域12中设置在栅极绝缘层150和案180可以设置在第一绝缘中间层190的其下方定位有第一栅极电极170的部分上。在有机[0090]第二栅极电极175可以在第二区域12中设置在第一绝缘中间[0091]第二绝缘中间层195可以在第一区域11和第二区域12中设置在栅极电极图案180中间层190上覆盖栅极电极图案180并且在第二区域12中在第一绝缘中间层190上覆盖第二以在第一绝缘中间层190上覆盖栅极电极图案180和第二栅极电极175，并且可以沿着栅极电极图案180和第二栅极电极175的轮廓设置为基本上均匀的厚度。第二绝缘中间层195可组合使用。[0094]第二有源层135可以在第二区域12中设置在第二绝缘中间层195上。第二有源层135可以设置在第二绝缘中间层195的其下定位有第二栅极电极175的部分上。第二有源层[0095]第二源极电极215和第二漏极电极235可以在第二区域12中设置在第二绝缘中间漏极电极235可以设置在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上电极215和第二漏极电极235中的每一个用作包括Mo的电极，所以第二源极电极215和第二漏极电极235中的每一个可以具有比用作包括Al的布线的第一漏极电极230、信号布线350[0097]在实施例中，第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以定[0098]牺牲层结构500可以设置在第二绝缘中间层195上，同时与第一源极电极210间隔得第一漏极电极230连接到第一有源层130的漏极区域。牺牲层结构500可以在第二绝缘中中的每一个的第一厚度T1基本上相同。也就是说，上部牺牲层图案520可以具有第一厚度[0102]因此，定位在第二绝缘中间层195上的具有开口501的牺牲层结构500可以设置为当同时形成第二接触孔232和第三接触孔102时，因为第二接触孔232的厚度(或高度)和第缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195和保护绝缘层400以形成第二接触孔130的漏极区域的第二接触孔232和被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面护绝缘层400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电口至第五开口可以对应于在基底110上形成在弯曲区域50中的第三接触孔102(参照图13)。一源极电极210、牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235周围造成台阶。构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓设置为基本上均匀的厚度。保护绝源极电极210和第一漏极电极230可以设置在彼此不同的层处。第一漏极电极230可以通过第二接触孔232连接到第一有源层130的漏极区域，第二接触孔232通过去除栅极绝缘层电压ELVDD的)高电源电压施加到包括Mo的第一必须包括相对大量的信号布线。在这种情况下，信号布线可以设置在第二绝缘中间层195高分辨率的有机发光显示装置可以不按照传统的方式漏极电极230设置在与第一源极电极210不同的层中，使得第一漏极电极230可以形成为具装置100具有第一晶体管250，第一晶体管250包括其具有相对大的宽度和相对大的厚度的[0111]虽然有机发光显示装置100被描述为具有包括两个晶体管(例如，第一晶体管250[0112]第一平坦化层270可以设置在保护绝缘层400和第一漏极电极230上。第一平坦化层270可以设置在整个保护绝缘层400上。例如，第一平坦化层270可以设置为相对厚的厚示的用于数据信号DATA的布线，并且连接图案370可以对应于图5中所示的第六晶体管TR6二晶体管255(例如，第二晶体管255的第二漏极电极235)的数据信号DATA可以被施加到第[0115]第二平坦化层275可以设置在第一平坦化层270、信号布线350和连接图案370域30中，并且可以不设置在焊盘区域60中。第二平坦化层275可以包括有机材料或无机材[0116]下部电极290可以设置在第二平坦化层275上。下部电极290可以通过接触孔连接[0117]像素限定层310可以设置在下部电极290的一部分和第二平坦化层275上。像素限[0120]第一薄膜封装层451可以在发光区域30中设置在上部电极340上。在发光区域30封装层451和第二薄膜封装层452一起用于保护子像素结构200免受外部冲击的影响。第三一薄膜封装层至第五薄膜封装层所形成的五层结构或者通过层叠第一薄膜封装层至第七彼此不同的层处的第一漏极电极230和第一源极电极210，因此第一漏极电极230可以用作[0128]可以在整个第一有机层111上形成第一屏障层112。第一屏障层112可以阻挡湿气[0129]可以在第一屏障层112上形成第二有机层113。第二有机层113可以形成在整个第[0130]可以在整个第二有机层113上形成第二屏障层114。第二屏障层114可以阻挡湿气一屏障层112、第二有机层113和第二屏障层114的柔性物理特性，可能难以在第一有机层栅极绝缘层150可以在缓冲层115上充分覆盖第一有源层130，并且可以具有基本上平坦的SiNxxNyxCyxNyxxxxx图案180可以形成在第一绝缘中间层190的其下定位有第一栅极电极170的部分上。栅极电190上覆盖栅极电极图案180并且在第二区域12中在第一绝缘中间层190上覆盖第二栅极电[0141]参照图8和图9，在第二区域12中，可以在第二绝缘中间层195上形成第二有源层xxxOy[0142]下部牺牲层图案510可以形成为与第二有源层135间隔开。下部牺牲层图案510和二绝缘中间层195上形成初步有源层之后，可以通过选择性地蚀刻初步有源层将下部牺牲绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的一部分来形成暴露第[0144]参照图11和图12，第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层xxxCrNxxxOyxxxx漏极电极235可以形成在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上层的多层结构。源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以使用相同的材料在同一层上同及第二源极电极215和第二漏极电极235形成为相同绝缘层400可以在第一区域11中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210和牺牲层结构500并且在第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第二源极电极215和第二漏极电极牺牲层结构500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以具有基本上平坦的上触孔232的工艺中可以形成位于牺牲层结构500中的开口501，并且在用于形成第三接触孔第三接触孔102的部分之外的其余部分中形成光致抗蚀剂)之后，可以通过使用四氟化碳6”)气体和三氟化氮(NF3)气体对整个保护绝缘层400执行干法有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113[0158]可以在保护绝缘层400和第一漏极电极230上形成第一平坦化层270。第一平坦化层270可以形成在整个保护绝缘层400上。例如，第一平坦化层270可以形成为相对厚的厚连接图案370中的每一个可以使用相同的材料同时形成，并且可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结[0160]可以在第一平坦化层270、信号布线350和连接图案370上形成第二平坦化层27[0161]可以在第二平坦化层275上形成下部电极290。下部电极290可以通过接触孔连接[0162]可以在下部电极290的一部分和第二平坦化层275上形成像素限定层310。像素限层451可以在发光区域30中覆盖上部电极340，并且可以沿着上部电极340的轮廓形成为基452的轮廓形成为基本上均匀的厚度。第三薄膜封装层453与第一薄膜封装层451一起可以薄膜封装层451和第二薄膜封装层452一起用于保护子像素结构200免受外部冲击的影响。[0171]在根据本发明的实施例的制造有机发光显示装置的方法中，牺牲层结构500可以域的第二接触孔232以及被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接发光显示装置700可以具有与参照图1至图6描述的有机发光显示装置100基本上相同或相[0177]保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中设置在第二绝缘中间层195、保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极开口至第五开口可以对应于在弯曲区域50中形成在基底110上的第三接触孔102(参照图[0178]例如，保护绝缘层1400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极[0182]保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中设置在第二绝缘中间层195、保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极开口至第五开口可以对应于在弯曲区域50中形成在基底110上的第三[0183]例如，保护绝缘层1400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1600以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构1600以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓设置为基本上均匀间层195(参照图7)之后，通过去除被定位为与第一有源层130的源极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的一部分来形成暴露第一有源层130的源极区域的第一接触孔212，并且通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重弯曲区域50中的暴露缓冲层115的上表面的初步第三上。第二有源层135可以形成在第二绝缘中间层195的其下定位有第二栅极电极175的部分[0187]牺牲层结构1500可以在与第二有源层135间隔开的同时被形成。牺牲层结构1500第二绝缘中间层195上形成初步有源层之后，可以通过选择性地蚀刻初步有源层将牺牲层[0188]参照图23，第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层130的源漏极电极235可以形成在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上[0190]第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以定位在同一层电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235形成为相同的例如，保护绝缘层1400可以在第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第曲区域50中，并且保护绝缘层1400可以填充位于基底110的弯曲区域50中的初步第三接触[0193]例如，保护绝缘层1400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235，并且可以沿着第一源极电极210、牺牲层结构1500以及第二源极电极215和第二漏极电极235的轮廓形成为基本上均匀且可以通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的第二屏障层114、缓冲层115和保护绝缘层1400来形成被定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面的第三接触孔可以在用于形成第三接触孔102的工艺中形成去除了基底110中间层190、第二绝缘中间层195、牺牲层结构1500和保护绝缘层1400以形成第二接触孔及用于形成第三接触孔102的工艺。例如，在保护绝缘层1400上局部地形成光致抗蚀剂之期间蚀刻的厚度可以在第二接触孔232和第三接触孔102中不同。然而，由于牺牲层结构1500，用于形成第二接触孔232的时间可以相对延迟，并且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及定位在弯曲区域50中的暴露第二有机层113的上表面[0197]参照图27，第一漏极电极230可以通过第二接触孔232和牺牲层结构1500的开口连接图案370中的每一个可以使用相同的材料同时形成，并且可以具有Ti/Al/Ti的堆叠结[0201]可以在第一平坦化层270、信号布线350和连接图案370上形成第二平坦化层27[0202]可以在第二平坦化层275上形成下部电极290。下部电极290可以通过经由去除第[0203]可以在下部电极290的一部分和第二平坦化层275上形成像素限定层310。像素限可以单独使用或者彼此组合使用。可替代地，上部电极340可以具有包括多个层的多层结层451可以在发光区域30中覆盖上部电极340，并且可以沿着上部电极340的轮廓形成为基替代地，薄膜封装结构450可以具有通过层叠第一薄膜封装层至第五薄膜封装层所形成的缘中间层195(参照图7)之后，通过去除被定位为与第一有源层130的源极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195中的每一个的一部分来形成暴露第一有源层130的源极区域的第一接触孔212，并且可以通过去除被定位为与基底110的弯曲区域50重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190和第二绝缘中间层195来形成被定位在基底110的弯曲区域50中的暴露缓冲层115的上表面的初步[0214]在形成第一接触孔212和初步第三接触孔103之后，第二有源层135可以在第二区域12中形成在第二绝缘中间层195上。第二有源层135可以形成在第二绝缘中间层195的其[0215]可以在形成于基底110的弯曲区域50中的初步第三接触孔103中形成牺牲层结构110上形成初步有源层之后，可以通过选择性地蚀刻初步有源层将牺牲层结构1700和第二[0216]参照图30，第一源极电极210可以通过第一接触孔212连接到第一有源层130的源漏极电极235可以形成在第二有源层135的两个侧部中，并且可以暴露第二有源层135的上[0218]第一源极电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235可以定位在同一层电极210以及第二源极电极215和第二漏极电极235形成为相同的第一区域11和第二区域12中在第二绝缘中间层195上覆盖第一源极电极210以及第二源极[0221]例如，保护绝缘层2400可以在第二绝缘中间层195上充分覆盖第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235以及牺牲层结构1700，并且可以沿着第一源极电极210、第二源极电极215和第二漏极电极235以及牺牲层结构1700的轮廓形成为基本上均匀极区域重叠的栅极绝缘层150、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195以及保护绝缘层且可以同时形成暴露第一有源层130的漏极区域的第二接触孔232以及被定位在弯曲区域1800之外，图32中所示的有机发光显示装置800可以具有与参照图1至图6描述的有机发光1800可以包括下部牺牲层图案1510和上部牺[0228]牺牲层结构1800可以在与第一源极电极210间隔开的同时设置在第二绝缘中间层成有上部牺牲层图案1520的部分上形成具有相对小的厚度的光致抗蚀剂之后执行蚀刻工