CN113380790B 半导体装置结构及其制造方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

导体装置结构包括形成于一导电特征部件上的一第一绝缘层及埋设于第一绝缘层内的一电容覆盖由接合垫的上表面及多阶边缘形成的至少2一第二绝缘层，顺应性覆盖由该接合垫的该上表面及该多阶边缘4.如权利要求1所述的半导体装置结构，其中，该接合垫的该多阶边缘定义出一第一一上表面沿该接合垫的该侧壁至该第一绝缘层的一上表面的一路径包括至少三个转向角390°。形成一第一绝缘层及一金属-绝缘体-金属电容器于一内连接结构的一最上层金属层顺应性形成一第二绝缘层，以覆盖由该接合垫的该上表面及该多阶形成一凸块下金属层于该第三绝缘层上，并穿过该第三绝缘层及该第为蚀刻掩膜的一第一蚀刻制程及后续使用一第二掩膜层作为蚀刻掩膜的一第二蚀刻制程该接合垫的该多阶边缘至该第一绝缘层的一上表面的一路径包括至少三个转向角度对应19.如权利要求18所述的半导体装置结构的制造方法，其中该至少三个转向角度各自实质上等于或小于90°。4[0008]图1A-图1K绘示出根据一些实施例的制造半导体装置结构的各个阶段的剖面示意56[0059]以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本公开的不同特征部是用以容易表达出本说明书中所绘示的图式中元件或特征部件与另外的元件或特征部件7[0064]以下提供了用于制造半导体装置结构的实施例。半导体装置结构可包括一接合垫的上表面至第一绝缘层的上表面的路径包括至少三个转角，以定义三个转向角度[0065]以下提供了一种半导体装置结构及其制造方法的实施例。图1A-图1K绘示出根据及一多阶边缘(或非直线轮廓的侧壁)形成于金属-绝缘体-金属(MIM)电容器上，以防止裂上表面上。栅极结构109可包括一栅极介电层106及形成于栅极介电层106上的一栅极电极8(borosilicateglass，BSG)、掺硼磷硅酸盐玻璃(boron-dopedphosphosilicateglass，BPSG)、掺氟硅酸盐玻璃(fluorine-dopedsilicateglass，FSG)、四乙氧硅烷enhancedchemicalvapordeposition，PECVD)、低压化学气相沉积(lowpressure[0070]形成于绝缘层112内的接触结构114也用于将栅极结构109电性连接至位于上方的内、将导电材料填充至接触开口内以及进行平坦化制程(例如，化学机械研磨(chemical112的上表面齐平。[0072]金属层及介层连接窗的制作可包括单镶嵌制程及/或双镶嵌制程。在单镶嵌制程方并与之相连。然后将导电材料填充至沟槽开口及介层开口内以形成金属层及介层连接例如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、原子9ALD)或另一合适的制程。再者，绝缘层130可由未掺杂的硅酸盐玻璃(undopedsilicate[0078]之后，根据本公开的一些实施例，形成一电容器绝缘层134于电容器金属电极层电容器140可通过一或多个介层连接窗电性连接内连接结构124的最上层金属值介电材料具有不低于4的介电常数(k值)。举例来说，高k值介电材料可包括二氧化锆(ZrO2xOyNz体-金属(MIM)电容器140埋设在包括绝缘层130及142的刻制程(例如，干式蚀刻制程)并利用图案化掩膜层153作为蚀刻掩膜层，局部去除导电层对应于接合垫区域的导电层152具有一上表面高于凹槽1案化掩膜层153的宽度W1，因此图案化掩膜层154的面积小于图案化掩膜层153(如图1F所接金属-绝缘体-金属(MIM)电容器140及/或内连接结构124的最上层金属层壁161a及161b实质上垂直于绝缘层1直线轮廓(亦即，多阶边缘)162的侧壁至绝缘层142的上表面142a(如B点所示)包括三个转似于接合垫160，接合垫160’的多阶边缘(或称作具有非直线轮廓的侧壁)162’在第一阶[0098]图7绘示出根据一些实施例的接合垫260的局部放大剖面示意图。在一些实施例侧壁(或称作具有非直线轮廓的侧壁)262定义出三个曲形阶。三个曲形阶形成具有至少两[0099]应可理解到接合垫的多阶边缘所定义出的阶数取决于设计需求，并不限于图3至绝缘层170(也称作钝化护层)顺应性覆盖接合垫160的上表面152a及多阶边缘162，如图1H描绘了单层。绝缘层170的形成包括沉积、微影及蚀刻制程。沉积制程包括化学气相沉积形成于其内的开口178而露出接合垫160的上表面152a。绝缘层176也作为位于下方的钝化块下金属(UBM)层180通过开口178直接接触接合垫160的露出的上表面152。凸块下金属200(如图1K中所示)与封装部件250之间的间隙内。底胶材料层260可直接接触半导体装置[0111]封装结构300内的半导体装置200及封装部件250具有不同的热膨胀系数(coefficientsofthermalexpansion，CTE)，且由于热膨胀系数(CTE)不匹配而形成裂若形成没有多阶边缘的接合垫(或具有非直线轮廓的侧壁)的金属-绝缘体-金属(MIM)电容合垫160于绝缘层170与金属-绝缘体-金属(MIM)电容器140之间。因此，埋设的金属-绝缘的一些制程及材料相似或相同于用于形成图2A所示的封装结构300的制程及材料，在此不绝缘层138及一电容器金属电极层139构成的一电容器结构，其中电容器绝缘层138形成于括两个堆叠的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，且有时称作超高密度金属-绝缘体-金属以上的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，这些电容器堆叠在内连接结构124与接合垫160之合垫的上表面及多阶边缘形成的至少三个转接合垫的一上表面沿接合垫的侧壁至第一绝缘层的一上表面的一路径包括至少三个转向一绝缘层及一金属-绝缘体-金属电容器于一内连接结构的一最上层金属层上。金属-绝缘体-金属电容器埋设于第一绝缘层内。上述方法也包括形成一导电层于第一绝缘层上并图用本公开作为其它制程或结构的变更或设计基础，以进行相同于此处所述实施例的目的及/或获得相同的优点。任何所属技术领域中具有通常知识者也可理解与上述等同的结构