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文档简介
1+X集成电路理论模拟考试题(含参考答案)
一、单选题(共39题,每题1分,共39分)
1.下列说法错误的是()。
A、在cadence软件界面上,单击Tools菜单,选择LibraryManager命
令,出现“库文件管理器”
B、用户可以在库文件里新建单元,但不能在新建的单元下新建视图
C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项,表示在单元下建立电
路图视图
D、在电路编辑窗口中,利用图标栏可以快速建立、编辑电路图
正确答案:B
2.湿度卡的作用是()。
A、去潮湿物质中的水分
B、可以防止静电
C、起到防水的作用
D.显示密封空间的湿度状况
正确答案:D
答案解析:湿度卡是用来显示密封空间湿度状况的卡片。
3.通过监控某一特定谱峰或波长,在预期的刻蚀终点可探测到对应的数
据的方法是()。
A、发射光谱法
B、干涉测量法
C、质谱分析法
D、椭圆偏振法
正确答案:A
答案解析:发射光谱法是通过监控来自等离子体反应中一种反应物的某
一特定发射光谱峰或波长,在预期的刻蚀终点可探测到发射光谱的改变,
从而来推断刻蚀过程及终点。
4.芯片封装工艺中,下列选项中的工序均属于前段工艺的是()。
A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字
B、品圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边
C、品圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合
D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边
正确答案:C
答案解析:封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘
接以及引线键合,后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及
切筋成型。
5.对准和曝光过程中,套准精度是指形成的图形层与前层的最大相对位
移大约是关键尺寸的()。
A、二分之一
B、三分之一
C、四分之一
D、五分之一
正确答案:B
答案解析:版图套准过程有了对准规范,也就是常说的套准容差或套准
精度。具体是指要形成的图形层与前层的最大相对位移。一般而言大约
是关键尺寸的三分之一。
6.晶圆检测工艺中,6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时,烘烤时长一般为
()分钟。
A、20
B、1
C、10
D、5
正确答案:D
7.在目检过程中,筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过规范值,经分
析属于批次性质量问题的,应()。
A、淘汰超过规范值的部分,同时附上分析报告
B、整批淘汰,同时附上分析报告
C、留下该批次中的合格品
D、不做处理
正确答案:B
答案解析:在目检过程中,筛选后出现严重失效或筛选淘汰率超过规范
值,经分析属于批次性质量问题的,应整批淘汰,同时附上分析报告。
8.LK32Tl02单片机工作频率最高支持()。
A、36MHz
B、144MHz
C、18MHz
D、72MHz
正确答案:D
9.一般来说,()封装形式会采用平移式分选机进行测试。
A、LGA/TO
B.LGA/SOP
C、DIP/SOP
D、QFP/QFN
正确答案:D
答案解析:一般来说,LGA/TO会采用转塔式分选机进行测试,D1P/S0P
会采用重力式分选机进行测试,QFP/QFN会采用平移式分选机进行测试。
10.脱水烘烤是在()的气氛中进行烘烤。
A、真空
B、干燥氮气
C、真空或干燥氮气
D、清洁的空气
正确答案:C
答案解析:脱水烘烤是在真空或干燥氮气的气氛中进行。
11.封装工艺中,将塑封后的芯片放到温度为175±5℃的高温烘箱内的作
用是()o
A、消除内部应力,保护芯片
B、剔除塑封虚封的产品
C、测试产品耐高温效果
D、改变塑封外形
正确答案:A
12.通常情况下,一个编带盘中芯片的数量是()。
A、4000
B、2000
C、8000
D、1000
正确答案:A
13.使用测编一体的转塔式分选设备进行芯片测试时,如果遇到需要编带
的芯片,在测试完成后的操作是()。
A、编带
B、外观检查
C、测试
D、上料
正确答案:A
14.下列描述错误的是()0
A、重力式分选机可分为并行测试和串行测试
B、并行测试一般是进行单项测试(可根据测试卡的数量进行1site/2
sites/4sites测试),适用于普通DIP/SOP封装的芯片
C、串行测试一般是进行多项测试,适用于DIP24/DIP27等模块电路
D、并行测试时模块电路依次进行不同电特性参数的测试
正确答案:D
15.真空包装时,需要在包装盒外套上()。
A、包装袋
B、防静电铝箔袋
C、不透明塑料袋
D、海绵
正确答案:B
答案解析:在将晶圆放入包装盒后,一般会在包装盒外套上防静电铝箔
袋。
16.通常被用于深紫外光刻胶的准分子激光器的光源材料是()。
A、KrF
B、F2
C、ArF
D、XeF
正确答案:A
答案解析:通常被用于深紫外光刻胶的准分子激光器的光源材料是氟化
筑KrF。
17.在电子电路方案设计中最简单的显示平台是()。
A、OLED
B、LCD
C、LED
D、数码管
正确答案:C
18.用转塔式分选机设备进行芯片检测的第二个环节是()。
A、编带
B、上料
C、测试
D、外观检查
正确答案:C
答案解析:转塔式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料一
测试一编带一外观检查一真空包装。
19.晶圆检测工艺的测试车间符合()洁净区标准。
A、10万级
B、万级
C、千级
D、100万级
正确答案:B
答案解析:晶圆检测工艺对环境的要求:测试车间符合10万级洁净区标
准,温度常年保持在22±3℃,湿度保持在45±15乳
20.二氧化硅和碳在()℃的环境下反应可生成粗硅。
A、100^200
B、500^700
C、700^900
D、1600^1800
正确答案:D
答案解析:因为硅一氧之间的键结很强,所以二氧化硅非常稳定,因此
要用碳进行还原反应则需要很高的温度。一般工业上将二氧化硅和碳在
1600~1800℃的温度下反应,破坏硅一氧之间的键结,进而生成粗硅和一
氧化碳。
21.用平移式分选机设备进行芯片检测的第二个环节是()。
A、分选
B、上料
C、测试
D、外观检查
正确答案:C
答案解析:平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料一
测试一分选一外观检查一真空包装。
22.请选择光刻工序的正确操作步骤()。
A、预处理一涂胶一对准和曝光一软烘一曝光后烘焙一显影一坚膜烘焙一
显影检查
B、预处理一涂胶一坚膜烘焙一对准和曝光一曝光后烘焙一显影一软烘一
显影检查
C、预处理一涂胶一软烘一对准和曝光一曝光后烘焙一显影一坚膜烘焙一
显影检查
D、预处理一涂胶一时准和曝光一软烘一曝光后烘焙一坚膜烘焙一显影一
显影检查
正确答案:C
答案解析:光刻工序的正确操作步骤为预处理f涂胶一软烘一对准和曝
光一曝光后烘焙一显影一生膜烘焙一显影检查.
23.在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及儿何尺寸转移到光刻胶上的
工艺是()。
A、薄膜制备
B、光刻
C、刻蚀
D、金属化
正确答案:B
答案解析:在集成电路中,将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光
刻胶上的工艺是光刻。
24.管装芯片外观检查步骤错误的是()0
A、①取一捆待检查电路,平整地排放于桌面,使定位标记朝左,打印面
朝操作者;②以一边为支点,将料管斜起45度左右后放回桌面(使电路
排紧密);
B、①将料管旋转90度,②重复步骤1,使电路两边方向管脚均按步骤1
进行检查。
C、逐根翻转料管90度,使打印面朝上,平铺。
D、将检查合格的电路用牛皮筋捆扎好。
正确答案:B
25.一个花篮最多装()片晶圆。
A、15
B、20
C、25
D、30
正确答案:C
答案解析:一个花篮最多装25片晶圆。
26.重力式分选机的测试环节是在()进行。
A、主转塔中
B、水平面上
C、测试轨道中
D、旋转台上
正确答案:C
27.打开安装好的keil软件,点击工具栏“魔术棒”按钮,点击()选
项,选择目标芯片。
A、Target
B、C/C++
C^Debug
I)、Device
正确答案:D
28.扎针测试时,完成晶圆信息的输入后,需要核对()上的信息,确保
三者的信息一致。
A、MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单
B、MAP图、探针台界面、晶圆测试随件单
C、MAP图、软件检测程序、晶圆测试随件单
D、MAP图、软件版本、晶圆测试随件单
正确答案:A
答案解析:扎针测试时,完成测试机操作界面的晶圆信息输入后,需要
核对MAP图、测试机操作界面、晶圆测试随件单上的信息,确保三者的
信息一致。
29.清洁车间内的墙面时要求使用()进行清洁。
A、麻布
B、不掉屑餐巾纸
C、无尘布
D、棉
正确答案:C
答案解析:一周擦一次墙面,清洁车间内的墙时应使用无尘布。无尘布
由100%聚酯纤维双面编织而成,表面柔软,易于变拭敏感表面,摩擦不
脱纤维,具有良好的吸水性及清洁效率。
30.下列选项中,()是封装工艺中不涉及的工序。
A、第一道光检
B、第二道光检
C、第三道光检
D、第四道光检
正确答案:A
答案解析:封装工艺中,第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检
查,是否有出现废晶(崩边等情况)。引线键合完成后要进行第三道光检,
主要是为了检杳芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型
之后需要进行第四道光检,针对后段工艺的产品进行检查、剔除。
31.重力式分选机进行自动上料筛选,当检测到传送带上的料管放置不符
合要求时,下一步对料管的操作是()。
A、拔出塞钉
B、进入空管槽
C、进入上料槽
D、放回上料区
正确答案:D
答案解析:激光检测到不符合要求的料管会重新放回上料区,等待下次
筛选。
32.电子组装业中最通用最广泛的文件格式是()。
A、BOM
B、PCB
C、ICT
D、Gerber
正确答案:D
33.以全自动探针台为例,上片过程中,当承重台下降到指定位置时,
()。
A、红色指不灯亮
B、红色指示灯火
C、绿色指示灯亮
D、绿色指示灯灭
正确答案:B
答案解析:以全自动探针台为例,承重台前的两个按钮指示灯:绿色表
示上升,红色表示下降。承重台下降到指定位置后,下降指示灯灭,即
红色指示灯灭。
34.探针台上的()处于[)状态时不能进行其他操作,容易引起探针台死
机,导致晶圆撞击探针测试卡。
A、红色指示灯、亮灯
B、指示灯、亮灯
C、绿色指示灯、亮灯
D、红色指示灯、灭灯
正确答案:B
答案解析:探针台上的指示灯处于亮灯状态时不能进行其他操作,容易
引起探针台死机,导致晶圆撞击探针测试卡。其中红色指示灯表示下降,
绿色指示灯表示上升,当至少有一盏指示灯处于亮灯状态时不能进行其
他操作。
35.以下不属于模拟集成电路的是()。
A、锁相环
B、稳压器
C、运算放大器
D、功率放大器
正确答案:A
36.载入元件库:AltiumDesigner系统默认打开的元件库有两个:常用
分立元器件库();常用接插库()。
A、Devices.IntLib;MiscellaneousConnectors.IntLib
B>Devices.IntLib;Connectors.IntLib
C、MiscellaneousDevices.IntLib;Connectors.IntLib
D、MiscellaneousDevices.IntLib;Miscellaneous
Connectors.IntLib
正确答案:D
37.8英寸晶圆的直径为()nun。
A、125
B、150
C、200
D、300
正确答案:C
答案解析:5英寸晶圆直径是125mm,6英寸晶圆直径是150nlm,8英寸晶
圆直径是200mm,12英寸晶圆直径是300nm1。
38.料盘完成外观检查后,需要进入()环节。
A、分选
B、上料
C、测试
D、真空包装
正确答案:D
答案解析:平移式分选机设备芯片检测工艺的操作步骤一般为:上料一
测试一分选一外观检查-真空包装。
39.在实现LED流水灯程序中主要用到了()语句。
A、顺序
B、条件
C、扫描
D、循环
正确答案:D
二、多选题(共26题,每题1分,共26分)
1.探针卡是晶圆测试重要的材料,对测试结果起到重要作用。当探针卡
使用次数过多会影响扎针测试结果。过多使用探针卡的表现有()。
A、探针针尖变粗
B、探针针尖过短
C、探针针尖断裂
D、探针针尖变细
正确答案:ABC
2.转塔式分选机进行测试时,测后光检主要检测的是:()。
A、芯片印章
B、芯片方向
C、芯片管脚
D、芯片塑封体
正确答案:AB
答案解析:转塔式分选机进行测试,测后光检主要检测的是管脚是否存
在翘脚、扭曲以及产生尖脚等问题,并对芯片方向进行检查,若芯片方
向不正确则在下一步进行调整。
3.编带外观检查的主要内容有()。
A、编带中有无不良品或放反芯片等不合格情况
B、载带是否有破裂、沾污、破损
C、盖带是否有压定位孔或露出底边、起皱、压痕、气泡、脱胶
D、编带原材料是否与卷盘不符
正确答案:ABC
4.新建keil环境下工程目录需要添加文件,把Windows目录内的文件一
一对应添加到新建的Keil目录内如()文件。
A、Headers
B、Core
C、Src
D、User
正确答案:ABCD
5.平移式分选机芯片检测结束后,后续工作有(兀
A、核对测试后芯片数量和分选机显示屏上数量一致
B、临时捆扎
C、将测试结果记录在随件单上
D、放到待检查品货架上
正确答案:ABCD
答案解析:平移式分选机在分选完成要进行清料飞清料是为了确保芯片
测试前后的总数一致、测试后芯片的不良品、合格品的数量和分选机显
示屏上记录的数量一致,并将测试结果记录在随件单上;为便于核对实
际芯片的数量,对料盘进行临时捆扎,核对无误后,将料盘和随件单放
入对应的中转箱中,把中转箱放到“待检查品货架”等待外观检查。
6.通常情况下,以下()封装形式的芯片采用重力式分选机设备进行测试。
A、SOP封装
B、QFN封装
C、LGA封装
D、DIP封装
正确答案:AD
答案解析:通常情况下,DIP封装和SOP封装采用重力式分选机进行测试,
LGA封装采用转塔式分选机进行测试,QFN封装采用平移式分选机进行测
试。
7.版图设计过程中,需要注意()。
A、宽长比大的管子最好拆分
B、数字电源地和模拟电源地要分开
C、衬底接触与MOS管的距离应尽量小
D、连线布置可以采用并联走线,线的宽度应尽量窄
正确答案:ABC
8.一般情况下,30mil的墨管适用于直径为()的晶圆。
A、125mm
B、300mm
C、150mm
D、200mm
正确答案:BD
9.切筋成型前进行芯片检查,下列需要进行剔除的芯片有()。
A、塑封体缺损
B、引线框架不平
C、镀锡露铜
D、引脚断裂
正确答案:ACD
10.塑封时()等现象统称为飞边毛刺现象。
A、树脂溢料
B、贴带毛边
C、生长晶须
D、引线毛刺
正确答案:ABD
答案解析:晶须是在电镀之后,高浓度的锡在潮湿或者温度变化的环境
中易生长出晶须,不同于飞边毛刺,故C选项不选。
11.下列描述正确的是()o
A、LS系列芯片输入电流普遍比HC系列大
B、LS系列芯片输入电流普遍比HC系列小
C、LS系列速度比HC系列快
D、HC系列速度比LS系列快
正确答案:AC
12.下列选项中,可能会造成晶圆贴膜产生气泡的是()。
A、覆膜时蓝膜未拉紧
B、晶圆和蓝膜之间存在灰尘颗粒
C、贴膜盘温度未到设定值
D、静电未消除
正确答案:BC
13.在晶圆打点过程中,选择了30MIL规格的墨盒,这种墨盒适合多大尺
寸的晶圆?()
A、5英寸
B、6英寸
C、12英寸
D、8英寸
正确答案:CD
14.晶圆测试过程中,探针会对晶圆PAD施加一定的压力,若压力超出一
定范围,会导致()。
A、剥层后PAD中间绝缘层裂纹
B、探针卡出现损耗
C、扎透铝层
D、针痕发生偏移
正确答案:AC
15.5mil的墨管常用于()的晶圆。
A、5英寸
B、6英寸
C、8英寸
D、12英寸
正确答案:AB
答案解析:521的墨管常用于5英寸、6英寸的晶圆,30n】il的墨管常用
于8英寸、12英寸的晶圆。
16.以下说法正确的是()o
A、中有不良品或放反芯片,右手先戴上手套,再用刀片将编带槽的上、
左、右各割开三分之一盖带,用锻子将该芯片取出并放入不良品收料袋
中,然后用零头盒内的合格芯片替换,并用透明粘胶带从替换芯片的右
侧,贴至替换芯片的左侧
B、不合格的芯片需要用镶子取出,用合格零头进行替换
C、外观检查中发现有不良芯片,要对有缺陷的芯片进行修复,若不能修
复则作为外观不良进行处理
D、当载带设置数量到达极限,无法包装一卷或观察载带没有足够多的数
量,不足包装一盘时,可以包装完载带,再更换新的载带
正确答案:AC
17.LK32T102单片机有不同引脚数量的封装形式包不()。
A、TSS0P-30(30引脚薄型小外形封装)
B、LQFP-48(48引脚薄型方型扁平式封装)
C、LQFP-64(64引脚薄型方型扁平式封装)
D、LQFP-72(72引脚薄型方型扁平式封装)
正确答案:ABC
18.影响显影工艺的因素有()。
A、曝光度
B、显影液浓度
C、显影方法
D、工序的温度和时间
正确答案,ABCD
答案解析:影响显影工艺的因素有:软烘焙时间和温度、曝光度、显影
液浓度、时间、温度以及显影方法。
19.在LED灯闪烁的任务中,不是点亮8个灯的程序语句是()。
A、PB->OUTEN=OxffOO;
B、PB->OUTEN=OxOOff;
C、PB->OUT=OxffOO;
D、PB->OUT=OxOOff;
正确答案:ABD
20.塑料封装的主要特点有()、()和()。
A、防水、耐高温
B、便于自动化生产
C、材料柔和,不损害芯片
D、成本低廉、质量轻
E、工艺简单
F、外壳坚硬防划伤
正确答案:BDE
21.以下对重力式分选机设备进行并行测试的描述正确的是()。
A、单项测试且连接一个测试卡
B、多项测试且连接多个测试卡
C、可选择多SITES进行测试
D、只能是2SITES进行测试
正确答案:AC
答案解析:并行测试一般是进行单项测试,可根据测试卡的数量进行1
site/2sites/4sites测试。
22.晶圆检测工艺中,晶圆在烘烤过程所采用的设各称为()。
A、高温干燥箱
B、局温烘箱
C、加热平板
D、红外线加热器
正确答案:AB
23.扎针测试时,在MAP图上可能会看到()区域。
A、沿边直接剔除区域
B、故障区域
C、待测区域
D、测试合格区域
正确答案:ABCD
答案解析:扎针测试过程中,在MAP图上会出现不同的标记,含有沿边
直接剔除区域、测试区域、待测扎针、故障区域、待测区域。
24.下列对平移式分选机描述错误的是()。
A、料盘,用来存放芯片
B、吸嘴,负责吸取并转移芯片
C、出料梭,负责测试完成后芯片的分档
D、收料架,用来存放待测芯片
正确答案:CD
25.以下属于抽真空质量不合格的情况的是()。(多选题)
A、防静电铝箔袋破损
B、防静电铝箔袋褶皱
C、防静电铝箔袋周边存在空气残留
D、防静电铝箔袋外形整齐
正确答案:ABC
答案解析:如果发现真空包装好的卷盘不整齐或不光滑,有弯曲、变形
现象或铝箔袋周边存在明显的空气残留、褶缎、破损等现象,需要重新
抽真空。
26.以下属于晶圆盒包装的步骤的有:()。
A、打开真空包装机的电源开关,设置参数
B、将晶圆包装盒放入防静电铝箔袋中
C、在晶圆盒内放干燥剂等防潮材料
D、每两层tyvek纸之间放一片晶圆
正确答案:CD
答案解析:打开真空包装机的电源开关,设置参数和将晶圆包装盒放入
防静电铝箔袋中属于抽真空的步骤,其余选项均为晶圆盒包装步骤。
三、判断题(共35题,每题1分,共35分)
1.一般情况下,与湿法刻蚀相比,干法刻蚀具有较高的选择比。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:一般情况下,与湿法刻蚀相比,干法刻蚀的选择比不高。
2.由于NMOS管和PMOS管的注入类型、衬底接触都是相反的,所以对于
复制的图形需要将其Nimp和Pimp层互换。
A、正确
B、错误
正确答案:A
3.封装工艺中切筋成型具上的刀片将连筋切断后,成型冲头继续下压,
使管脚弯成所需的形状。
A、正确
B、错误
正确答案:A
4.为了正确地使用某个集成电路制造工艺,在第一次使用该工艺时,必
须建立一个与该工艺对应的技术库。
A、正确
B、错误
正确答案:A
5.利用平移式分选机进行芯片测试时是采用压测的方式,压测可以同时
完成多个芯片的测试,并且各个芯片能够均匀受力,确保各个工位的芯
片引脚和测试座稳定接触。
A、正确
B、错误
正确答案:A
6.重力式分选机根据不同要求,不良品区可以分为多种档位。
A、正确
B、错误
正确答案:A
7.在设计带隙基准源版图时,必须采用CMOS工艺实现PNP双极型晶体管。
A、正确
B、错误
正确答案:A
8.12英寸的晶圆进行单面研磨。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:对300mm的硅片来说,一般进行双面抽光,以保证大直径硅
片的平整度。
9.刻蚀过程中有一项重要的参数是选择比。刻蚀选择比高表现为对作为
掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄
膜的刻蚀速率小得多。
A、正确
B、错误
正确答案:A
10.芯片损坏可能导致测试良率偏低。
A、正确
B、错误
正确答案:A
11.进行开短路测试时的三种不同情况,若管脚出现开路,则pinl和地
之间会存在一个压差,其大小为pinl与地之间的ESD二极管的导通压降,
大约在0.6^0.7V左右。如果改变电压方向,VI电压的测量结果大约为一
0.6,0.7V左右。()
A、正确
B、错误
正确答案:B
12.半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间。
A、正确
B、错误
正确答案:A
答案解析:半导体材料最突出的性质是电阻率介于导体和绝缘体之间,
为10-3^10100.emo
13.从反向设计和版图识别考虑,还需要清楚实际的版图。
A、正确
B、错误
正确答案:A
14.碎化钱的湿法刻蚀腐蚀液是磷酸。
A、正确
B、错误
正确答案:B
答案解析:铝的湿法刻迎腐蚀液是磷酸,碎化钱的湿法刻蚀腐蚀液为硫
酸、双氧水(过氧化氢)和水的混合液。
15.在LK32T102单片机上,“PB->OUTEN=0x0000将PB0~PB7引脚
配置设置为输出。
A、正确
B、错误
正确答案:B
16.AltiumDesigner的设计规则系统的一个强大功能是:同种类型可以
定义多种规则,每个规则有不同的对象,每个规则目标的确切设置是由
规则的范围决定的,规则系统使用预定义优先级,来确定规则适用的对
象。
A、正确
B、错误
正确答案:A
17.转塔式分选机在测前光检和测后光检时发现芯片方向不正确时,都会
在下一个旋转纠姿位进行纠正。
A、正确
B、错误
正确答案:A
18.在全自动探针台上进行扎针深度的调试时,界面的初始值为0o
A、正确
B、错误
正确答案:A
19.拼零操作前,为了保证芯片的合格率,需要检查零头库中取出的芯片
电路。()
A、正确
B、错
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