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I 2 2 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 3 4 4 4 5 6前言第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。袁毅凯、孔令沂、徐嶺茂、张静、彭珍珍、高伟、张逊熙、徐瑞技术、新能源汽车、智能电网、人工智能、消费电子等需求带动下，SiC在射频功放、主驱逆变、电能），中，Si粉、C粉原料需要升华成气体再结晶，多孔石墨通过其孔隙结构，分流、混合、疏导、控制原料过程中物质流动的稳定性，从而有效减弱晶体边缘好的外延温场均匀性，在减少外延片因温度不均匀导致的翘曲或裂片的环节也可以发挥重要作用。业上下游协同创新能力，将有效支撑SiC产业的高质量发展，提高国际1碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨本文件适用于纯度要求达到5N5（质量分数99.9995%）以上GB/T3074.1炭素材料抗折强度GB/T40408高温气冷堆堆内构件用核级等静压GB/T8170数值修约规则与极限数值表GB/T8719炭素材料及其制品的包装、标志、储存、运输和质量证明书的一般规定GB/T21650.1压汞法和气体吸附法测定固体材料孔径分布和孔隙度第一部分：压汞法GB/T24203炭素材料体积密度、真密度、真气孔率、显气孔率的测定方法GB/T24525炭素材料电阻率测定YB/T6046等静压石墨热膨胀系数测T/CASAS036碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法辉光放电质3.1通过特定工艺（如混合、压制和热处理）制备的具有相互3.23.34技术要求24,14.2碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨的理化性能和力学性能指标要求见%MPaMPaW/(m•K)/<1.14.3纯度及杂质元素含量碳化硅晶片制造用各向同性多孔石墨的纯度要求≥5N5（质量分数99.9995%杂质元素总含量覆盖范围参见附录A，个别杂质元素含量应受控，具体要BPV5.2气孔率按照GB/T21650.1的规定执行35.6热膨胀系数5.7热导率按照GB/T404086.4条规定执行于多孔石墨构件，应以采用同一批次石墨材料加工出的相同规格的多孔石墨构件为6.2抽样6.3取样6.4制样6.5产品检验√√-√----√4按照表3规定的出厂检验项目进行检测，结果全部合格时，判定为合格；结果不合格时，允许从该7.2贮存条件a)环境温

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