南京理工大学泰州科技学院《半导体器件物理》2025-2026学年第二学期期末试卷(A卷)

站名：站名：年级专业：姓名：学号：凡年级专业、姓名、学号错写、漏写或字迹不清者，成绩按零分记。…………密………………封………………线…………第1页，共1页南京理工大学泰州科技学院《半导体器件物理》2025-2026学年第二学期期末试卷(A卷)注意事项:1.请考生在下列横线上填写姓名、学号和年级专业。2.请仔细阅读各种题目的回答要求，在规定的位置填写答案。3.不要在试卷上乱写乱画，不要在装订线内填写无关的内容。4.考试时间120分钟专业学号姓名题号一二三四五六七八总分统分人复查人得分得分评分人一、单项选择题（每题1分，共20分）1.下列关于PN结的形成机理，错误的是：A.外加正向电压时，PN结正向导通B.外加反向电压时，PN结反向截止C.PN结内部产生内建电场D.PN结内部产生扩散电流2.在硅材料中，下列哪种杂质能形成N型半导体？A.硼B.磷C.铟D.铅3.晶体管中的基区宽度对晶体管性能的影响是：A.增加基区宽度，提高晶体管放大倍数B.减少基区宽度，提高晶体管放大倍数C.增加基区宽度，降低晶体管放大倍数D.减少基区宽度，降低晶体管放大倍数4.下列关于MOSFET的描述，错误的是：A.MOSFET是一种场效应晶体管B.MOSFET的输入阻抗很高C.MOSFET的输出阻抗很低D.MOSFET的开关速度很快5.下列关于二极管整流电路的描述，错误的是：A.单相半波整流电路只能输出单向电流B.单相全波整流电路能输出单向电流C.单相桥式整流电路能输出单向电流D.三相桥式整流电路能输出单向电流6.下列关于晶体管放大电路的描述，错误的是：A.共射极放大电路具有电压放大作用B.共集电极放大电路具有电流放大作用C.共基极放大电路具有电流放大作用D.共射极放大电路具有电流放大作用7.下列关于MOSFET开关电路的描述，错误的是：A.MOSFET开关电路具有开关速度快的特点B.MOSFET开关电路具有低功耗的特点C.MOSFET开关电路具有高输入阻抗的特点D.MOSFET开关电路具有低输出阻抗的特点8.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是：A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有滤波作用D.稳压二极管具有整流作用9.下列关于晶体管偏置电路的描述，错误的是：A.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区B.偏置电路的作用是使晶体管工作在截止区C.偏置电路的作用是使晶体管工作在饱和区D.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区或截止区10.下列关于MOSFET驱动电路的描述，错误的是：A.驱动电路的作用是使MOSFET正常工作B.驱动电路的作用是提高MOSFET的开关速度C.驱动电路的作用是降低MOSFET的功耗D.驱动电路的作用是提高MOSFET的输入阻抗11.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是：A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有滤波作用D.稳压二极管具有整流作用12.下列关于晶体管偏置电路的描述，错误的是：A.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区B.偏置电路的作用是使晶体管工作在截止区C.偏置电路的作用是使晶体管工作在饱和区D.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区或截止区13.下列关于MOSFET驱动电路的描述，错误的是：A.驱动电路的作用是使MOSFET正常工作B.驱动电路的作用是提高MOSFET的开关速度C.驱动电路的作用是降低MOSFET的功耗D.驱动电路的作用是提高MOSFET的输入阻抗14.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是：A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有滤波作用D.稳压二极管具有整流作用15.下列关于晶体管偏置电路的描述，错误的是：A.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区B.偏置电路的作用是使晶体管工作在截止区C.偏置电路的作用是使晶体管工作在饱和区D.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区或截止区16.下列关于MOSFET驱动电路的描述，错误的是：A.驱动电路的作用是使MOSFET正常工作B.驱动电路的作用是提高MOSFET的开关速度C.驱动电路的作用是降低MOSFET的功耗D.驱动电路的作用是提高MOSFET的输入阻抗17.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是：A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有滤波作用D.稳压二极管具有整流作用18.下列关于晶体管偏置电路的描述，错误的是：A.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区B.偏置电路的作用是使晶体管工作在截止区C.偏置电路的作用是使晶体管工作在饱和区D.偏置电路的作用是使晶体管工作在放大区或截止区19.下列关于MOSFET驱动电路的描述，错误的是：A.驱动电路的作用是使MOSFET正常工作B.驱动电路的作用是提高MOSFET的开关速度C.驱动电路的作用是降低MOSFET的功耗D.驱动电路的作用是提高MOSFET的输入阻抗20.下列关于二极管稳压电路的描述，错误的是：A.稳压二极管具有稳压作用B.稳压二极管具有限流作用C.稳压二极管具有滤波作用D.稳压二极管具有整流作用二、多项选择题（每题2分，共20分）1.下列关于PN结的特性，正确的有：A.PN结具有单向导电性B.PN结具有内建电场C.PN结具有扩散电流D.PN结具有漂移电流2.下列关于硅材料的描述，正确的有：A.硅是一种半导体材料B.硅的导电性介于导体和绝缘体之间C.硅的导电性受温度影响较大D.硅的导电性受光照影响较大3.下列关于晶体管放大电路的描述，正确的有：A.共射极放大电路具有电压放大作用B.共集电极放大电路具有电流放大作用C.共基极放大电路具有电流放大作用D.共射极放大电路具有电流放大作用4.下列关于MOSFET的描述，正确的有：A.MOSFET是一种场效应晶体管B.MOSFET的输入阻抗很高C.MOSFET的输出阻抗很低D.MOSFET的开关速度很快5.下列关于二极管整流电路的描述，正确的有：A.单相半波整流电路只能输出单向电流B.单相全波整流电路能