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文档简介

模拟电子技术·期末复习完全手册(直接使用版)第一部分:考试题型与分值分布(通用)题型题量分值主要考查范围策略选择题10-15题20-30分基本概念、器件特性、电路类型判断牢记定义和典型参数填空题5-10题10-15分核心公式、重要结论、波形名称背诵关键公式和数值判断题5-10题10-15分概念辨析、电路工作状态判断注意前提条件简答题2-4题15-25分放大电路分析、反馈类型判断、运放应用分点作答,逻辑清晰计算题2-4题30-45分静态工作点、动态参数、运放电路、反馈深度步骤完整,电路分析准确第二部分:半导体器件速查2.1半导体的基本知识概念说明本征半导体纯净的半导体单晶(如硅、锗单晶),载流子浓度=ni(本征载流子浓度)N型半导体掺入五价元素(如磷P、砷As),多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴P型半导体掺入三价元素(如硼B、铝Al),多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子半导体温度特性:温度升高→本征载流子浓度ni急剧增大→器件温度稳定性变差。2.2PN结概念说明PN结的形成P型与N型半导体交界处,载流子扩散形成空间电荷区(耗尽层),产生内建电场正向偏置P接正、N接负→耗尽层变窄→扩散电流大→导通反向偏置P接负、N接正→耗尽层变宽→漂移电流小(反向饱和电流I_s)→截止单向导电性PN结正偏导通,反偏截止,是二极管和三极管工作的基础伏安特性i=I_s(e^(u/U_T)-1),U_T=kT/q≈26mV(常温300K)PN结电容:势垒电容C_B(反偏时为主)+扩散电容C_D(正偏时为主),高频时影响器件性能。2.3半导体二极管二极管电路符号:—▶|—(阳极A→阴极K)类型特点应用普通二极管单向导电整流、检波、开关稳压二极管(齐纳管)工作在反向击穿区,两端电压基本恒定稳压、参考电压发光二极管(LED)正偏时发光指示灯、显示屏光电二极管反偏时受光产生光电流光探测器变容二极管反偏时结电容随电压变化调谐电路硅管与锗管的区别特性硅管(Si)锗管(Ge)死区电压~0.5V~0.1V正向导通压降U_D(on)0.6~0.8V(通常取0.7V)0.2~0.3V反向饱和电流nA级μA级工作温度高(~150℃)低(~75℃)应用广泛已较少使用二极管的理想模型与恒压降模型模型正偏反偏适用理想模型短路(U_D=0)开路粗略分析恒压降模型U_D=U_D(on)(硅0.7V,锗0.3V)开路一般分析计算折线模型U_D=U_th+r_D·i_D开路精确分析小信号模型动态电阻r_d=U_T/I_DQ开路交流小信号分析二极管应用电路电路功能要点半波整流将交流变为单向脉动直流仅利用正半周(或负半周)桥式全波整流正负半周都利用四个二极管,输出平均值≈0.9U₂限幅电路将信号电压限制在某一范围二极管+直流电源钳位电路将信号顶部或底部钳定在某一电位二极管+电容+电阻稳压二极管电路参数说明稳压值U_Z反向击穿电压,由制造工艺决定最小稳定电流I_Zmin小于此值稳压效果差最大稳定电流I_Zmax超过此值可能损坏限流电阻R必须串联,限制电流在I_Zmin~I_Zmax之间选择RR=(U_I-U_Z)/I_Z,U_I为输入电压2.4双极型晶体管(BJT)结构与类型类型结构符号区别NPN发射区N⁺,基区P,集电区N发射极箭头向外PNP发射区P⁺,基区N,集电区P发射极箭头向内三电极:发射极(E)、基极(B)、集电极(C)电流关系关系公式三电极电流I_E=I_C+I_B(I_E最大,I_B最小)直流放大系数β̄=I_C/I_B≈I_C/I_B交流放大系数β=ΔI_C/ΔI_B(约等于β̄)BJT的三种工作状态状态发射结偏置集电结偏置特征应用放大正偏反偏I_C=βI_B,受控放大放大电路饱和正偏正偏U_CE=U_CE(sat)≈0.3V(Si),I_C<βI_B开关导通截止零偏/反偏反偏I_C≈0开关断开BJT的特性曲线曲线含义输入特性曲线i_B与u_BE的关系(类似二极管正向特性),U_CE增大曲线右移(基区宽度调制效应)输出特性曲线i_C与u_CE的关系,以i_B为参变量输出特性分区区特点放大区i_C≈βi_B,几乎不受u_CE影响(略上翘)饱和区u_CE很小,i_C随u_CE急剧变化截止区i_B≤0,i_C≈0BJT的主要参数参数符号含义直流电流放大系数β̄(h_FE)集电极电流与基极电流之比交流电流放大系数β(h_fe)集电极电流变化量与基极电流变化量之比集电极-基极反向饱和电流I_CBO发射极开路,C-B反偏时的漏电流集电极-发射极穿透电流I_CEO基极开路,C-E间的漏电流,I_CEO=(1+β)I_CBO极限参数P_CM,I_CM,U_(BR)CEO集电极最大功耗、最大电流、击穿电压2.5场效应管(FET)类型符号特点控制方式常用型号结型(JFET)N沟道/P沟道输入电阻极高(>10⁷Ω)电压控制(反偏PN结)MOS增强型N沟道/P沟道输入电阻极高(>10¹⁰Ω)电压控制(绝缘栅)MOS耗尽型N沟道/P沟道栅压为零时已有导电沟道FET与BJT比较比较点BJTFET控制方式电流控制(i_B)电压控制(u_GS)输入电阻较小(共射约1kΩ)极大(>10⁷Ω)噪声较大较小温度稳定性差好集成度低高(CMOS)第三部分:基本放大电路速查3.1放大电路的基本概念概念符号定义电压放大倍数A_u=u_o/u_i输出电压与输入电压之比源电压放大倍数A_us=u_o/u_s输出电压与信号源电压之比电流放大倍数A_i=i_o/i_i输出电流与输入电流之比输入电阻R_i=u_i/i_i从输入端看进去的等效电阻输出电阻R_o从输出端看进去的等效电阻(信号源短路,保留内阻)放大电路的组成原则:直流偏置合适→晶体管工作在放大区(发射结正偏、集电结反偏)输入信号能有效加到放大管输入端输出信号能有效传送给负载失真尽可能小直流通路与交流通路通路画法直流通路电容开路,电感短路,交流信号源置零(电压源短路,电流源开路)交流通路大电容、旁路电容短路,直流电源对地短路(因内阻很小)3.2共发射极放大电路基本共射放大电路静态分析公式I_BQI_BQ=(V_CC-U_BEQ)/R_bI_CQI_CQ=βI_BQU_CEQU_CEQ=V_CC-I_CQ·R_c固定偏置电路的缺点:静态工作点不稳定,温度升高→β↑、I_CBO↑→I_CQ↑→工作点上移。分压式射极偏置(工作点稳定电路)参数公式/条件条件I₁>>I_BQ(通常取I₁=(5~10)I_BQ)U_BU_B≈V_CC·R_b2/(R_b1+R_b2)I_EQI_EQ=(U_B-U_BEQ)/R_eU_CEQU_CEQ≈V_CC-I_CQ(R_c+R_e)稳定原理温度↑→I_C↑→I_E↑→U_E(=I_E·R_e)↑→U_BE↓→I_B↓→I_C↓(负反馈)动态分析(微变等效电路法)参数公式说明三极管输入电阻r_ber_be=r_bb'+(1+β)U_T/I_EQ≈200+(1+β)26mV/I_EQ(mA)r_bb'≈200Ω(低频小功率管)电压增益A_uA_u=-β(R_c∥R_L)/r_be负号表示反相输入电阻R_iR_i=R_b1∥R_b2∥r_be通常r_be最小输出电阻R_oR_o≈R_c有旁路电容C_e时:增益增大为A_u=-β(R_c∥R_L)/r_be,但工作点稳定性不变。无旁路电容C_e时(R_e部分被交流旁路或完全不被旁路):参数公式增益A_u≈-β(R_c∥R_L)/[r_be+(1+β)R_e']输入电阻R_i增加,R_i=R_b1∥R_b2∥[r_be+(1+β)R_e']增益降低但稳定性提高3.3共集电极放大电路(射极输出器)参数公式电压增益A_uA_u≈1(略小于1,同相)输入电阻R_iR_i很大输出电阻R_oR_o很小特点电压跟随,输入电阻大,输出电阻小应用输入级(高R_i)、输出级(低R_o)、中间缓冲级3.4共基极放大电路参数公式电压增益A_uA_u较大(与共射相当)输入电阻R_iR_i很小输出电阻R_oR_o≈R_c特点输入电阻小,频带宽,同相放大应用高频放大、宽频带放大三种基本组态比较组态A_uA_iR_iR_o输入输出相位高频特性共射(CE)大(反相)大中中反相差共集(CC)≈1(同相)大大小同相较好共基(CB)大(同相)≈1小中同相好3.5放大电路的频率响应概念说明下限截止频率f_L低频段增益下降到中频增益的1/√2(0.707倍)时的频率,由耦合电容、旁路电容决定上限截止频率f_H高频段增益下降到中频增益的1/√2时的频率,由三极管结电容和电路分布电容决定通频带BWBW=f_H-f_L≈f_H(通常f_L很小)波特图:幅频特性(增益(dB)频率)和相频特性(相位频率),横坐标为对数刻度。第四部分:多级放大电路速查4.1耦合方式耦合方式特点应用阻容耦合各级静态工作点独立,无法放大直流和缓变信号交流放大直接耦合各级静态工作点相互影响(需电平移位),可放大直流信号集成运放变压器耦合可进行阻抗变换,体积大,频率特性差功率放大、选频放大光电耦合电气隔离隔离电路4.2多级放大电路的计算参数公式总电压增益A_u=A_u1·A_u2·...·A_un总增益(dB)20lg输入电阻R_iR_i=R_i1(第一级输入电阻)输出电阻R_oR_o=R_on(最后一级输出电阻)计算多级增益时:后一级的输入电阻是前一级的负载。第五部分:集成运算放大器速查5.1集成运放的特点与参数参数理想值实际值(μA741为例)开环电压增益A_uo∞106dB(约2×10⁵)输入电阻R_i∞2MΩ输出电阻R_o075Ω共模抑制比K_CMR∞90dB输入偏置电流I_IB080nA输入失调电压U_IO01mV单位增益带宽f_c∞1MHz转换速率SR∞0.5V/μs5.2理想运放的两个重要概念概念内容条件虚短u₊≈u₋(同相端与反相端电位近似相等)工作在线性区,开环增益极大虚断i₊≈i₋≈0(输入电流近似为零)输入电阻极大理想运放工作在线性区的必要条件:引入负反馈。5.3基本运算电路反相比例运算项目公式电压增益u_o=-(R_f/R₁)·u_i输入电阻R_i=R₁平衡电阻R'=R₁∥R_f同相比例运算项目公式电压增益u_o=(1+R_f/R₁)·u_i输入电阻R_i=∞(理想)电压跟随器R_f=0或R₁=∞时,u_o=u_i反相加法运算u_o=-R_f(u₁/R₁+u₂/R₂+u₃/R₃)减法运算(差分放大)u_o=(R_f/R₁)(u₂-u₁)(取R₁=R₂,R_f=R₃)积分运算u_o=-(1/RC)∫u_idt+u_o(0)微分运算u_o=-RC·du_i/dt有源滤波器:用运放和RC网络构成低通(LPF)、高通(HPF)、带通(BPF)、带阻(BEF)滤波器,具有增益、高输入阻抗、低输出阻抗特点。5.4电压比较器(运放工作在非线性区)类型特点电路单限比较器u_i与一个门限电压U_T比较开环或引入正反馈滞回比较器(施密特触发器)有两个门限电压U_T+和U_T-正反馈窗口比较器在两个门限之间输出一种状态两个运放+与门电压传输特性:描述输入电压与输出电压关系的曲线。第六部分:反馈放大电路速查6.1反馈的基本概念概念定义反馈将输出量的一部分或全部通过反馈网络引回到输入端正反馈反馈信号与输入信号相位相同,增强净输入信号负反馈反馈信号与输入信号相位相反,削弱净输入信号6.2反馈类型的判断判断步骤有无反馈:输出回路与输入回路之间是否有元件连接交直流反馈:反馈通路能通过直流→直流反馈;能通过交流→交流反馈电压/电流反馈:反馈信号取自输出电压→电压反馈;取自输出电流→电流反馈串联/并联反馈:输入端以电压形式叠加→串联反馈;以电流形式叠加→并联反馈正/负反馈:瞬时极性法——假设u_i⊕(增大),沿信号通路标出各点瞬时极性,反馈信号使净输入减小→负反馈反馈类型快速判别类型输出取样方式输入叠加方式对输出电阻影响对输入电阻影响电压串联负反馈电压串联减小增大电压并联负反馈电压并联减小减小电流串联负反馈电流串联增大增大电流并联负反馈电流并联增大减小6.3负反馈对放大电路性能的影响性能影响改善程度增益降低,A_f=A/(1+AF)1/(1+AF)倍增益稳定性提高(1+AF)倍非线性失真减小(1+AF)倍通频带展宽(1+AF)倍输入电阻(串联)增大(1+AF)倍输入电阻(并联)减小1/(1+AF)倍输出电阻(电压)减小1/(1+AF)倍输出电阻(电流)增大(1+AF)倍深度负反馈条件:1+AF≫1,此时A_f≈1/F,闭环增益几乎只由反馈网络决定。深度负反馈下虚短、虚断概念的推广:串联负反馈输入电压≈0(虚短);并联负反馈输入电流≈0(虚断)。6.4负反馈放大电路的自激振荡条件内容幅度条件相位条件φA+φF=±180°(负反馈变成了正反馈)防止自激的方法:频率补偿(滞后补偿、超前补偿)。第七部分:功率放大电路速查7.1功率放大电路的特点与分类特点:输出尽可能大的功率给负载,效率高,非线性失真小,功率管散热和保护重要。分类类型导通角特点效率甲类(A类)360°(整个周期导通)失真最小,效率最低≤50%(理论)乙类(B类)180°(半个周期导通)失真大(交越失真),效率高≤78.5%甲乙类(AB类)略大于180°消除交越失真,效率较高略低于78.5%丙类(C类)<180°效率极高,失真极大>78.5%7.2OCL互补对称功率放大电路项目说明电路形式NPN+PNP互补对称,双电源供电最大输出功率P_omax=V_CC²/(2R_L)(理想,忽略U_CE(sat))最大效率η_max=π/4≈78.5%(理论值)交越失真输入电压小信号时,两个管子均截止造成的失真消除交越失真给功放管加小偏置(AB类),用二极管或U_BE倍增电路OTL电路:单电源供电,输出端需大电容隔直,P_omax=V_CC²/(8R_L)。选管原则:P_CM>0.2P_omax,|U_(BR)CEO|>2V_CC第八部分:直流稳压电源速查8.1直流电源的组成变压器→整流电路→滤波电路→稳压电路→负载8.2各环节要点环节功能输出变压器将交流电压变换为所需值交流整流电路将交流变为单向脉动直流脉动直流滤波电路减小脉动成分较平滑的直流稳压电路稳定输出电压稳定的直流8.3整流电路电路输出平均电压U_o(AV)二极管最大反向电压特点半波整流0.45U₂√2U₂电路最简单全波整流0.9U₂2√2U₂需中心抽头变压器桥式整流0.9U₂√2U₂最常用U₂为变压器次级电压有效值8.4滤波电路类型特点U_o(AV)(轻载)电容滤波C并联大电容,电路简单≈1.2U₂电感滤波L串联电感,适用于大电流≈0.9U₂LC滤波L+C,效果好≈1.2U₂RC-π型滤波R+C+C,小电流≈1.2U₂8.5稳压电路硅稳压管稳压电路:电路简单,适用于小电流、稳定度要求不高的场合。限流电阻选择至关重要。串联型稳压电路(线性稳压器)组成部分功能调整管串联在输入输出之间,调节管压降取样电路R₁+R₂分压取样基准电压提供稳定参考电压(稳压管)比较放大比较取样电压与基准电压,控制调整管输出电压:U_o≈U_Z×(R₁+R₂)/R₂(R₂为下取样电阻)集成三端稳压器类型型号输出电压固定正输出78XX(7805,7812...)+XXV固定负输出79XX(7905,7912...)-XXV可调输出LM317(正),LM337(负)可调开关型稳压电路:调整管工作在开关状态,效率高(>80%),但纹波较大,电路复杂。第九部分:高频计算题完整步骤模板题型一:共射放大电路静态工作点计算例题:共射放大电路,V_CC=12V,R_b=300kΩ,R_c=4kΩ,β=50,U_BEQ=0.7V。

求静态工作点I_BQ、I_CQ、U_CEQ。

解:

I_BQ=(V_CC-U_BEQ)/R_b=(12-0.7)/300k=37.7μA

I_CQ=βI_BQ=50×37.7μA=1.885mA

U_CEQ=V_CC-I_CQ·R_c=12-1.885m×4k=12-7.54=4.46V

答:I_BQ≈37.7μA,I_CQ≈1.89mA,U_CEQ≈4.46V。题型二:分压式共射放大电路动态分析例题:分压式共射电路,V_CC=12V,R_b1=40kΩ,R_b2=20kΩ,

R_c=4kΩ,R_e=2kΩ,R_L=4kΩ,β=50,C_e足够大(交流旁路)。

静态I_EQ=1.65mA。求A_u、R_i、R_o。

解:

r_be=200+(1+β)26mV/I_EQ(mA)=200+51×26/1.65=200+803.6=1003.6Ω≈1kΩ

A_u=-β(R_c∥R_L)/r_be=-50×(4∥4)/1=-50×2/1=-100

R_i=R_b1∥R_b2∥r_be=40∥20∥1≈0.93kΩ(r_be远小于偏置电阻)

R_o≈R_c=4kΩ

答:A_u=-100,R_i≈0.93kΩ,R_o=4kΩ。题型三:运放电路分析例题:理想运放电路,R₁=10kΩ,R_f=100kΩ,u_i=0.5V。

求u_o和输入电阻R_i。

(1)反相输入时:

u_o=-(R_f/R₁)u_i=-10×0.5=-5V

R_i=R₁=10kΩ

(2)同相输入时:

u_o=(1+R_f/R₁)u_i=11×0.5=5.5V

R_i=∞

答:反相u_o=-5V,R_i=10kΩ;同相u_o=5.5V,R_i=∞。题型四:运放多级电路(加法器+反相器)例题:理想运放,R₁=20kΩ,R₂=10kΩ,R_f=100kΩ。

u₁=1V,u₂=0.5V,求u_o。

解:

u_o=-R_f(u₁/R₁+u₂/R₂)

=-100×(1/20+0.5/10)

=-100×(0.05+0.05)

=-100×0.1

=-10V

答:u_o=-10V。题型五:积分运算电路例题:理想运放积分器,R=10kΩ,C=0.1μF,u_C(0)=0。

输入u_i为阶跃电压+1V(t≥0),求t=1ms时的u_o。

解:

u_o=-(1/RC)∫u_idt=-(1/10k×0.1μ)×1×1×10⁻³

=-10³×10⁻³

=-1V

答:u_o=-1V。题型六:深度负反馈估算例题:电压串联负反馈电路,F_v=0.1,开环A_u=10⁴。

求闭环增益A_uf。

解:

1+AF=1+10⁴×0.1=1001≫1(深度负反馈)

A_uf≈1/F_v=1/0.1=10

精确计算:A_uf=A/(1+AF)=10⁴/1001≈9.99

答:闭环增益约为10。第十部分:高频计算题练习(附带最终答案)序号题目答案1共射电路,V_CC=15V,R_b=500kΩ,R_c=5kΩ,β=100,U_BE=0.7V,求I_CQI_CQ≈2.86mA2共射电路,I_CQ=2mA,β=80,求r_ber_be≈1.25kΩ3共射电路,R_c=3kΩ,R_L=6kΩ,β=60,r_be=1.2kΩ,求A_uA_u=-1004射极输出器,R_e=2kΩ,R_L=2kΩ,β=100,r_be=1kΩ,求A_uA_u≈0.985反相比例运放,R₁=5kΩ,R_f=50kΩ,u_i=0.2V,求u_ou_o=-2V6同相比例运放,R₁=10kΩ,R_f=20kΩ,u_i=1V,求u_ou_o=3V7反相加法器,R₁=10kΩ,R₂=20kΩ,R_f=50kΩ,u₁=0.5V,u₂=1V,求u_ou_o=-5V8积分器,R=20kΩ,C=1μF,u_i=2V恒压(t≥0),u_o(0)=0,求t=0.1s时u_ou_o=-10V9深度负反馈,A=10⁵,F=0.01,求A_fA_f≈10010OCL功放,V_CC=15V,R_L=8Ω,求P_omaxP_omax≈14.1W11半波整流,U₂=20V(有效值),求U_o(AV)U_o(AV)=9V12桥式整流,U₂=15V,求U_o(AV)U_o(AV)=13.5V13电容滤波桥式整流,U₂=10V,空载时U_oU_o≈14.1V(1.414U₂)或12V(1.2U₂)147812稳压器,输入18V,求输出12V15硅稳压管电路,U_Z=6V,U_I=12V,I_Z=5mA,求限流电阻RR=1.2kΩ16滞回比较器,R₁=10kΩ,R₂=20kΩ,U_REF=2V,U_Z=±6V,求U_T+和U_T-U_T±≈±2V(相对U_REF)17BJT放大区判断:U_BE=0.7V,U_CE=8V,V_CC=12V,处于什么状态放大18BJT饱和判断:U_BE=0.7V,U_CE=0.2V,处于什么状态饱和19多级放大,A_u1=-40,A_u2=0.98,A_u3=-50,求总A_uA_u≈196020差分放大,输入差模信号Δu_Id=10mV,A_d=100,求Δu_odΔu_od=1V第十一部分:高频选择题题库(50题)模块一:半导体与二极管题号题目选项A选项B选项C选项D答案1N型半导体中多数载流子是空穴自由电子离子质子B2PN结正偏时,P区接电源的正极负极不接接地A3硅二极管的导通压降约为0.1V0.3V0.7V1.4VC4稳压二极管工作在正向导通区反向截止区反向击穿区饱和区C5桥式整流电路中二极管的数量是2个3个4个1个C模块二:三极管与放大电路题号题目选项A选项B选项C选项D答案6BJT工作在放大区时发射结正偏,集电结正偏发射结正偏,集电结反偏发射结反偏,集电结正偏发射结反偏,集电结反偏B7BJT三个电极中电流最小的是发射极集电极基极一样大C8共射放大电路的输入与输出相位关系是同相反相相差90°无关B9分压式偏置电路稳定工作点的原理是正反馈直流负反馈交流负反馈没有反馈B10射极输出器的电压增益约为01很大-1B11射极输出器的输入电阻很小中等很大与共射相同C12多级放大电路的总增益等于各级增益的和乘积平均值最大值B13放大电路中引入负反馈后,增益增大不变减小变为零C14交流通路中,大电容视为开路短路电阻不确定B15BJT的r_be与静态电流I_EQ的关系大致是正比反比无关平方关系B模块三:场效应管题号题目选项A选项B选项C选项D答案16FET是何种控制器件电流控制电压控制功率控制频率控制B17与BJT相比,FET的输入电阻更小相近更大不确定C18MOS管的栅极与沟道之间是PN结绝缘层(SiO₂)金属连接直接接触B模块四:集成运放题号题目选项A选项B选项C选项D答案19理想运放虚短的条件是开环引入负反馈无反馈开环增益小B20虚断是指运放输入端短路电流为零电压为零电阻为零B21反相比例运放的电压增益为R_f/R₁-R_f/R₁1+R_f/R₁R₁/R_fB22电压跟随器的电压增益为01-1∞B23积分电路可将方波转换为正弦波三角波尖脉冲直流B模块五:反馈题号题目选项A选项B选项C选项D答案24负反馈使放大电路的增益提高降低不变不确定B25负反馈使通频带变窄变宽不变消失B26电压负反馈使输出电阻增大减小不变不确定B27电流负反馈使输出电阻增大减小不变不确定A28串联负反馈使输入电阻增大减小不变不确定A29深度负反馈时,闭环增益A_f≈AF1/F1+AFC30负反馈自激振荡的相位条件是0°90°±180°360°C模块六:功率放大题号题目选项A选项B选项C选项D答案31OCL乙类功放的理论最高效率是50%78.5%90%100%B32交越失真产生的原因是电源电压过高晶体管截止晶体管过载负载太重B33消除交越失真的方法是使功放管工作在甲类乙类甲乙类丙类C34OCL功放采用什么电源供电单电源双电源电池不用电源B35OCL电路最大输出功率P_omax=V_CC²/R_LV_CC²/(2R_L)2V_CC²/R_LV_CC/R_LB模块七:直流电源题号题目选项A选项B选项C选项D答案36桥式整流加电容滤波,轻载时U_o(AV)≈0.9U₂U₂1.2U₂0.45U₂C37三端稳压器7805的输出电压为-5V+5V可调0VB38开关型稳压电源的最大优点是纹波小效率高电路简单噪声低B39串联型稳压电源中,调整管工作在开关状态放大状态饱和状态截止状态B40直流电源中,滤波电路在整流电路之前后前后均可不需要B模块八:频率响应与综合题号题目选项A选项B选项C选项D答案41放大电路的下限频率f_L主要由什么决定晶体管结电容耦合电容和旁路电容负载电阻电源电压B42上限频率f_H主要由什么决定耦合电容旁路电容晶体管结电容信号源内阻C43两级放大电路总通频带与单级相比更宽更窄相同无关系B44共射放大电路的中频增益为-100,f_L=100Hz,f_H=100kHz,通频带约为100kHz99.9kHz100Hz10kHzA45差模信号是大小__、极性__的信号相等、相同相等、相反不等、相反不等、相同B46共模信号是大小__、极性__的信号相等、相同相等、相反不等、相反不等、相同A47差分放大电路对差模信号有__作用抑制放大无衰减B48差分放大电路对共模信号有__作用抑制放大无衰减A49共模抑制比K_CMR越__,电路性能越好小大无关不定B50直接耦合放大电路存在的特殊问题是无法放大零点漂移增益太低频带太窄B第十二部分:判断题速记(30题)序号题目答案1P型半导体的多数载流子是空穴。对2PN结正偏时电流很小,反偏时电流很大。错(相反)3二极管具有单向导电性。对4稳压管正常工作在正向导通区。错(反向击穿区)5BJT是电流控制型器件。对6FET是电压控制型器件。对7BJT工作在放大区时,发射结必须反偏。错(正偏)8共射放大电路的输出电压与输入电压同相。错(反相)9射极输出器的电压放大倍数约等于1。对10直流通路中电容应视为开路。对11交流通路中直流电源应视为开路。错(短路,因内阻极小)12分压式偏置电路能稳定静态工作点。对13放大电路引入负反馈后电压增益增大。错(减小)14负反馈可以展宽放大电路的通频带。对15电压负反馈可以稳定输出电压。对16电流负反馈可以稳定输出电流。对17理想运放虚断的条件是开环增益无穷大。错(输入电阻无穷大导致虚断)18反相比例运放的输入电阻约等于R₁。对19积分电路可将方波转换为三角波。对20乙类功放存在交越失真。对21OCL电路采用单电源供电。错(双电源)22桥式整流需要中心抽头变压器。错(全波整流需要)23电容滤波电路中,电容与负载串联。错(并联)247812是固定输出-12V的三端稳压器。错(+12V)25开关电源比线性稳压电源效率高。对26多级放大电路总增益等于各级增益之和。错(乘积)27直接耦合放大电路可以放大交流信号。对28零点漂移是直接耦合放大电路的特殊问题。对29差分放大电路可以抑制零点漂移。对30深度负反馈使闭环增益只取决于反馈网络。对第十三部分:填空题高频考点(直接背诵)序号题目答案1PN结的基本特性是__。单向导电性2硅二极管的正向导通压降约为__V。0.73稳压管工作于__状态。反向击穿4BJT的三个电极是__、__、__。发射极(E)、基极(B)、集电极(C)5BJT工作在放大区时,发射结__偏,集电结__偏。正、反6BJT的电流关系:I_E=__+__。I_C、I_B7共射放大电路的输出电压与输入电压相位__。相反(差180°)8射极输出器又称__,其电压增益约等于__。电压跟随器、19微变等效电路中,r_be≈__+(1+β)26mV/I_EQ。200Ω10多级放大电路增益A_u=__。A_u1×A_u2×...×A_un11集成运放的两个输入端是__输入端和__输入端。同相、反相12理想运放工作在线性区时具有__和__两个特点。虚短(u₊≈u₋)、虚断(i₊≈i₋≈0)13反相比例运算的A_u=__。-R_f/R₁14同相比例运算的A_u=__。1+R_f/R₁15引入负反馈后,放大倍数__,稳定性__。降低、提高16电压负反馈使输出电阻__,电流负反馈使输出电阻__。减小、增大17串联负反馈使输入电阻__,并联负反馈使输入电阻__。增大、

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