《电子基础培训资料》课件

常用名词解释电的产生:物质由分子组成，分子由原子组成，原子由原子核及核外电子组成，原子核则由中子及质子组成，质子带正电，核外电子带负电，通常情况下,原子核外的电子被原子核内的质子吸引在原子核外层运动,不显示电性,当外界作用下，带负电的电子移动到另一物质上,电子进行定向移动，从而形成电流。电流:电子的定向移动,就形成了电流.分为交流电流和直流电流.电压:两物质上,产生的正负电性就形成了电压.分为交流电压和直流电压.电路:电流所流经的路,由四部分组成:电源,导线,开关,负载组成.按功能电路可分为模拟电路,数字电路和脉冲电路.状态可分为开路,短路,通路.欧姆定律

1定义：在电路上，有电压加上时，即有电流流动，在这电路上流动的电流和叫压成正比，和电路上的阻抗成反比，称之为欧姆定律

2公式：I=U/R3电压、电流、电阻单位

3.1电流（I）单位安培（A）

3.2电压（V）单位伏特（V）

3.3电阻（R）单位欧姆（Ω）1可整理ppt近代科学进一步揭示出原子核内部的质子带正电荷，核外电子带负电荷。原子原子核电子（带负电）质子（带正电）中子（不带电）2可整理ppt7.物体不带电的原因

通常情况下，原子核内的正电荷跟核外电子所带的负电荷的总量相等，整个原子不显电性，是中性的。

本来是中性的原子，当它失去一个或几个电子时，核外电子总共带的负电荷比原子核的正电荷少，它就显示带正电。+4-1-1-1-1物体带正电的原因3可整理ppt+4-1物体带负电的原因

本来是中性的原子，当她跟多余的电子结合在一起时，核外电子总共带的负电荷比原子核的正电荷多，它就显示带负电。-1-1-1-1-14可整理ppt第一章-電阻1.什麼是電阻電子在導體中流動時,所受到之阻力稱為電阻.

電阻符號用“R”表示,單位:Ω(歐母),

圖型:

1MΩ=1000KΩ=1000000Ω=1000000000mΩ2.電阻分類

A.按功率分類:1/8W,1/6W,1/4W,1/2W,1W,2W,3W,4W………..3.电阻的种类有很多，常见的几种有色环电阻、贴片电阻和水泥电阻等等。4.电阻的作用。电阻的作用有限流、分压、发热。5可整理ppt第二章-電阻3色環電阻A.4色環電阻顏色第一環第二環第三環第四環黑■X00X棕■111X紅■222X橙■333X黃■444X綠■555X藍■666X紫■777X灰■888X白■999X金■XX-15銀■XX-210電阻值=第一環(十位數)第二環(個位數)*第三環(10的指數)

第四環(此電阻的正負百分誤差)

11*10=110Ω±5%6可整理ppt第二章-電阻4

A.5色環電阻顏色第一環第二環第三環第四環第五環黑■X000X棕■11111紅■22222橙■33333黃■44444綠■55555藍■66666紫■77777灰■88888白■99999金■XXX-1X銀■XXX-2X電阻值=第一環(百位數)第二環(十位數)第三環(個位數)*第四環(10的指數)

第五環(此電阻的正負百分誤差)

110*1=110Ω±1%7可整理ppt

四色环电阻五色环电阻的识别4、色环电阻识别色标表颜色有效数值乘数值允许偏差值（%）银色/10ˉ2±10金色/10ˉ1±5黑色010*0/棕色110*1±1红色210*2±2橙色310*3/黄色410*4/绿色510*5±0.5蓝色610*6±0.2紫色710*7±0.1灰色810*8/白色910*9+50-20无色//±208可整理ppt电阻分类电阻的分类；常见的分类主要是按材料、结构和用途

A线绕电阻：将发热线（发热丝、发热片）绕在绝缘基体上。

B薄膜电阻：在绝缘基体上镀上各种导电薄膜（最常用）

C实心电阻：整个材料基体参于阻碍导电（少用）

D敏感电阻：特殊材料和工艺制成，阻值易随环境改变而变化。另外，电阻还可以分为：普通电阻、精密电阻；小功率电阻、大功率电阻；立式电阻、臣式电阻；固定电阻、可变电阻等等；还有无感电阻、组合电阻、排式电阻等。9可整理ppt特殊电阻1.热敏电阻热敏电阻：电阻值随着环境温度的变化而发生明显变化，并且成一定比例对应关系

A正温度系数

B负温度系数2.光敏电阻光敏电阻：随着环境光照的变化而发生明显变化10可整理ppt11可整理ppt12可整理ppt

压敏电阻自恢复保险丝13可整理ppt14可整理ppt電阻注意事項

a.通常2W以下的電阻是用色環標示阻值的,2W以上是直接書寫出其額定電阻值的.b.通常功率越大其體積越大,若是小形化電阻就不好從體積上識辯,在使用時一定要注意其標示規格的額定功率.c.通常5色環電阻是要比4色環電阻要精密的,其誤差差異要看它們的最后一色環.d.SMD電阻因體積太小無法標色環,故直接將色環的對應數值標示上去,其讀值方式:(指數標示法)

如±5%誤差±1%誤差

=22*10=220*10=2200Ω=2200Ω=2.2KΩ=2.2KΩ

222220115可整理ppt（二）电容器﹕

定义：用来表征电容器储存电荷的本领的物理量。

1﹒种类﹕

按极性可分为有极性电容和无极性电容。有极性电容：纸质电解电容，铝电解电容和钽质电解电容(钽Tan：一种非常坚硬、密度很大的灰色金属元素，在摄氏150度以下能抗化学物质的强腐蚀。)

无极性电容：陶瓷电容(又称瓷片电容)，唛拉电容，金属化聚乙酯膜电容器，云母电容等,涤纶电容，CBB电容。电解电容陶瓷电容Mylar电容16可整理ppt17可整理ppt18可整理ppt19可整理ppt4.电容的符号20可整理ppt单位换算5.电容单位

1法拉（F）=1000000微法拉（UF）1微法拉（UF）=1000000微微法拉（PF）6.电容器的耐压电容器上标明的耐压值都有是指直流电压，用在交流电路中则应注意所加的交流电压最大值（峰值）不能超越电容器上所标明的电压值。21可整理ppt7.串联、并联的容值计算

A并联：C=C1+C2+C3

B串联：1/C=1/C1+1/C2+1/C322可整理ppt电容的标枳9.电容的标枳A直标法：用数字和单位直接标出，如0.1UF表示0.1微法拉，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法拉。B文字符号法：用数字和文字符号有规律的组合来表示容量，如P10表示10PF，6P8表示6.8PF.C色标法：用色环或色点来表示电容器的主要参数，电容的色标法与电阻的相同。D电容器的偏差标志符号：+100%-0—H、+100%-10%—R、+50%-10%—T、+30%-10%—Q+50%-20%—S、+80%-20%—Z23可整理ppt注意事项10.注意问题

A容量误差不可过大，特别是谐振回路的电容。

B可变电容器动片组接地。

C不同特性的电容不可随意替换，例如低频涤纶电容不能用于高频电路。

D有极性的电解电容器不可以接反。

E电容两端的电压（包括脉冲电压）不应高于电容器的额定直流工作电压。

F绝缘电阻小的电容不能使用。24可整理ppt二极管三、二极管1.二极管分类；按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光等。2.正向特性：正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”25可整理ppt二极管特性3.反向特性：二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。26可整理ppt27可整理ppt普通二极管稳压二极管(ZD)

发光二极管(LED)肖特基二极管28可整理ppt测试二极管4.测试二极管的好坏：测试前先把万用表的转换开关拨到二极管档位，再将红、黑两根表笔分别测试二极管的两个引脚。如果没有显示数字就表明测反了。有数字显示（150-850）表明是良品。

A正向特性测试：把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极，，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到0值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为0值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。B反向特性测试：

把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。29可整理ppt半导体二极管结构

正极引线触丝N型锗支架外壳负极引线PN结

正极引线二氧化硅保护层P型区负极引线面接触型二极管N型硅PN结二极管的符号正极负极30可整理ppt三极管四、三极管1晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。2硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。

3晶体三极管的电流放大作用

4晶体三极管的三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和导通状态31可整理ppt三极管分类三极管NPN型PNP型BCBC

EE32可整理ppt1.NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极E

三极管的结构分类和符号PECB符号第1章1.533可整理pptN型硅二氧化硅保护膜BECN+P型硅1.1半导体三极管的结构（a）平面型N型锗ECB铟球铟球PP+（b）合金型

半导体三极管第1章1.534可整理ppt集电区集电结基区发射结发射区

CBEN集电极C发射极E基极BNPPN2.PNP型三极管第1章1.535可整理ppt发射区向基区扩散电子IEIB电子在基区扩散与复合集电区收集电子

电子流向电源正极形成ICICNPN电源负极向发射区补充电子形成

发射极电流IE

三极管的电流控制原理电源正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB第1章1.5VCCRCVBBRBCBE36可整理pptECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.2

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:

（1）发射结正向偏置（加正向电压）；（2）集电结反向偏置（加反向电压）。第1章1.5EBRBIB37可整理pptECRCIC

UCECEBUBE共发射极接法放大电路1.3

三极管的电流控制作用三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于PNP型三极管应满足:输出回路输入回路公共端第1章1.5EBRBIBIE即

VC

<VB

<

VEUBC

>0UBE<

038可整理ppt半导体三极管39可整理ppt五、MOS场效应管一、MOS场效应管

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感应措施。40可整理pptSiO2结构示意图5.1

N沟道增强型绝缘栅场效应管P型硅衬底源极S栅极G漏极D五.一绝缘栅场效应管衬底引线BN+N+DBSG符号1.结构和符号第1章1.641可整理pptSiO2结构示意图P型硅衬底耗尽层衬底引线BN+N+SGDUDSID

=0D与S之间是两个PN结反向串联，无论D与S之间加什么极性的电压，漏极电流均接近于零。2.工作原理(1)UGS=0第1章1.642可整理pptP型硅衬底N++BSGD。耗尽层ID=0(2)0<UGS

<UGS(th)由柵极指向衬底方向的电场使空穴向下移动,电子向上移动,在P型硅衬底的上表面形成耗尽层。仍然没有漏极电流。UGSN+N+第1章1.6UDS43可整理pptP型硅衬底N++BSGD。UDS耗尽层ID

栅极下P型半导体表面形成N型导电沟道，当D、S加上正向电压后可产生漏极电流ID。(3)UGS>UGS(th)N型导电沟道N+N+第1章1.6UGS44可整理ppt结构示意图5.2

N沟道耗尽型绝缘栅场效应管P型硅衬底源极S漏极D栅极G衬底引线B耗尽层1.结构特点和工作原理N+N+正离子N型沟道SiO2DBSG符号制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。第1章1.645可整理pptN型硅衬底N++BSGD。耗尽层PMOS管结构示意图P沟道5.3

P沟道绝缘栅场效应管（PMOS）PMOS管与NMOS管互为对偶关系，使用时UGS

、UDS的极性也与NMOS管相反。P+P+第1章1.6UGSUDSID46可整理ppt1.P沟道增强型绝缘栅场效应管开启电压UGS(th)为负值，UGS<UGS(th)

时导通。SGDB符号

ID/mAUGS

/V0UGS(th)

转移特性2.P沟道耗尽型绝缘栅场效应管DBSG符号

ID/mAUGS

/V0UGS(off)

转移特性夹断电压UGS(off)为正值，UGS

<

UGS(off)时导通。第1章1.647可整理ppt在UDS=0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。5.4绝缘栅场效应管的主要参数1.开启电压