【长余辉材料发光机理的研究文献综述1000字】

长余辉材料发光机理的研究文献综述发光材料之所以具有发光性能是因其在合成过程中基质晶格中产生了结构缺陷和杂质缺陷，这些缺陷的存在局部地破坏了晶体内部的规则排列，即形成了缺陷能级，当外部光源对发光材料进行照射时，电子可在各级能级间跃迁，从而产生发光现象。长余辉光致发光材料包括基质及激活剂（发光中心），其发光过程为：激活剂吸收基质晶格吸收的激发能成为激发态，被激发的离子发光并返回基态。最早名叫T.Matsuzawa在SrA12O4:Eu2+,Dy3+体系中提出的空穴传输模型，如图1-1。SrA12O4:Eu2+,Dy3+中，Eu2+和Dy3+分别为电子俘获中心和空穴俘获中心。当材料受紫外光、可见光等激发时，Eu2+可俘获电子变为Eu+，由此产生的空穴经价带被Dy3+俘获生成Dy4+；停止激发后，空穴热致逃逸，经相反的过程与Eu+复合导致Eu2+的特征发光。图1-1空穴转移模型位移坐标模型最早是邱建荣和\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"苏锵等人提出。图1-2是位移坐标模型示意图。A为Eu2+的\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"基态\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"能级，B为其\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"激发态能级，C能级为缺陷能级。C可以是掺入的\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"杂质离子，也可以是由基质中的某些缺陷产生的缺陷能级。苏锵等人认为C可以起到捕获电子的作用。在外部光源的作用下，电子受激发从基态\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"跃迁到激发态[1]，一部分\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"电子跃迁回到低能态发光2。另一部分电子通过\t"/item/%E9%95%BF%E4%BD%99%E8%BE%89%E6%9D%90%E6%96%99/_blank"弛豫过程储存在缺陷能及C中3。当缺陷能级电子吸收能量时，重新受到激发回到激发态能级，跃迁回基态而发光。余辉的时间长短与储存在缺陷能级中的电子数量，及吸收的能量（热量）有关，缺陷能级中的电子数量越多，余辉时间越长，吸收的能量多，从而产生持续的发光。图1-2位移坐标模型电子捕获模型是Dorenbors等ADDINEN.CITE<EndNote><Cite><Author>Dorenbos</Author><Year>2005</Year><RecNum>112</RecNum><DisplayText><styleface="superscript">[55]</style></DisplayText><record><rec-number>112</rec-number><foreign-keys><keyapp="EN"db-id="zerd05r5h2rdt1etesp50awjpfrxs5dardra"timestamp="1610008855">112</key></foreign-keys><ref-typename="JournalArticle">17</ref-type><contributors><authors><author>Dorenbos</author><author>P.%JJournaloftheElectrochemicalSociety</author></authors></contributors><titles><title>MechanismofPersistentLuminescenceinEu[sup2+]andDy[sup3+]CodopedAluminateandSilicateCompounds</title></titles><pages>H107-H110</pages><volume>152</volume><number>7</number><dates><year>2005</year></dates><urls></urls></record></Cite></EndNote>[\o"Dorenbos,2005#112"55]根据以往的模型，结合对Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料的研究提出的模型。该模型与Clabau模型相近，他们认为当材料被外部光源激发后，电子从发光中心Eu2+的基态能级跃迁至激发态能级，而Eu2+而激发态能级与基体的导带存在重合，因此到达倒带的电子会被充当电子陷阱的氧空位捕获，当外部光源去掉后，在热扰动的作用下，电子被陷阱释放并与空穴复合产生发光。但是此模型不能解释没有激活剂是材料依然存在余辉现象的原因。参考文献AtabaevTS,VuHHT,KimM,etal.EffectsofLi+CodopingontheOpticalPropertiesofSrAl2O4LongAfterglowCeramicPhosphors[J].AdvancesinOptics,2014,2014(459065):1-4.CuiG,YangX,ZhangY,etal.Round-the-clockPhotocatalyticHydrogenProductionwithHighEfficiencybyaLongAfterglowMaterial[J].AngewandteChemie,2019,131(5):1354-1358.SunH,PanL,PiaoX,etal.Enhancedperformanceofcadmiumselenidequantumdot-sensitizedsolarcellsbyincorporatinglongaftergloweuropium,dysprosiumco-dopedstrontiumaluminatephosphors[J].JournalofColloid&InterfaceScience,2014,416:81-85.LiY,GeceviciusM,QiuJ.Longpersistentphosphors—fromfundamentalstoapplications[J].Chem.Soc.Rev,2016,45:2090-2136.TuD,LiuL,JuQ,etal.Time-ResolvedFRETBiosensorBasedonAmine-FunctionalizedLanthanide-DopedNaYF4Nanocrystals[J].2011,50(28)6306-6310.WuS,LiY,DingW