CN113675131B 半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带 （古河电气工业株式会社）

201680008788.82016.11.07JP2010165963A,2010JP2014028938A,201半导体芯片的制造方法和用于该制造方法本发明涉及半导体芯片的制造方法和用于(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的2(a)在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩模材(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模(c)通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等所述掩模材料层在波长10μm下的透光率为80％以下，在波长35所述掩模材料层含有在分子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物，所述丙烯酸酯化合物的含量为15质量70质量％。5.如权利要求1或2所述的半导体芯片的制造(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模3(c)通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等所述掩模材料层在波长10μm下的透光率为80％以下，在波长35所述掩模材料层含有在分子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物，所述丙烯酸酯化合物的含量为15质量70质量％。7.如权利要求6所述的掩模一体型表面保护带，其中，所述掩模材料层为紫外线固化4[0001]本申请是分案申请，其原申请的中国国家申请号为201680008788.8，申请日为加到半导体晶片。因此，有时会因该切削阻力而使半导体芯片产生微小的缺损(碎片方式中，在MEMS器件或CMOS传感器等需要高度地抑制表面污染的材料中有可能引起问题。5[0015]在等离子体切割方式中，将六氟化硫(SF6)或四氟化碳(CF4)等体切割方式的半导体芯片的制造中能够无需利用光刻工艺形成掩模的掩模一体型表面保6[0023](a)在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩[0024](b)从上述掩模一体型表面保护带将上述基材膜与上述粘合剂层一体地剥离而使[0025](c)通过等离子体照射以上述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片[0039](a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半[0040](b)从上述掩模一体型表面保护带将上述基材膜与上述粘合剂层一体地剥离而使7[0041](c)通过等离子体照射以上述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片O2等离子体的蚀刻速率(EO2)相对于利用上述SF6等离子体的蚀刻速率(EF)之比(EO2/EF)为在分子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物，上述丙烯酸酯化合物的含[0051]本发明的掩模一体型表面保护带为在使用了等离子体切割方式的半导体芯片的[0053]图1是说明在本发明的第1实施方式中至对半导体晶片贴合表面保护带为止的工[0054]图2是说明在本发明的第1实施方式中至半导体晶片的薄膜化与固定为止的工序[0056]图4是说明本发明的第1实施方式中的等离子体切割与等离子体灰化的工序的示8[0058]图6是说明本发明的第2实施方式中进行紫外线照射处理前后的状态的示意性截[0062](a)在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩[0063](b)从上述掩模一体型表面保护带将上述基材膜与上述粘从掩模一体型表面保护带剥离表面保护带)而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将[0064](c)通过等离子体照射以上述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片[0070]本发明中所用的掩模一体型表面保护带优选至少粘合剂层为辐射固化型(即，具9[0071]在粘合剂层为辐射固化型的情况下，优选在上述工序(b)中从上述掩模一体型表[0073]本发明的半导体芯片的制造方法的优选实施方式可以分类为下述所示的第1和第[0077]半导体晶片1在其表面S具有形成有半导体元件的电路等的图案面2(参照图1设置有粘合剂层3ab的表面保护带3a的粘合剂层3ab上进一步设置了掩模材料层3b(参照图对在图案面2以格子状等适当形成的多个切割道(未图示)照射CO2激光L，将掩模材料层3b体的等离子体P2而进行灰化(参照图4(c))，去除残留于表面S的掩模材料层3b(参照图5的Si与将SF6等离子体化所生成的F原子反应而作为四氟化硅(SiF4)去除，也称为反应离子2等离子体进行的去除在半导体制造工艺中为也用作离子体清[0084]掩模一体型表面保护带3具有在基材膜3aa上设置有粘合剂层3ab、进而在粘合剂[0086]这些基材膜3aa可以使用一般的挤出法来制造。在将各种树脂层积而获得基材膜[0087]粘合剂层3ab与掩模材料一同承担吸收形成于图案面的元件的凹凸以提高与图案(背面磨削工序)的负荷，粘合剂层3ab优选在晶片薄膜化工序中与掩模材料层3b或基材膜选在粘合剂层3ab中采用辐射固化型的粘合剂。通过使粘合剂层3ab为辐射固化型粘合剂化型粘合剂，在具有所期望特性的范围也可以使用非辐射固化型的粘合剂(压敏型粘合[0089]粘合剂层3ab由辐射固化型粘合剂构成的情况下，可以优选使用含有丙烯酸系粘混合物。(甲基)丙烯酸系共聚物可以举出例如具有(甲基)丙烯酸酯作为构成成分的共聚[0091]上述(甲基)丙烯酸酯成分优选为(甲基)丙烯酸烷基酯(也称为烷基(甲基)丙烯酸[0092]固化剂用于与(甲基)丙烯酸系共聚物所具有的官能团反应而调节粘合力和内聚氰酸酯等分子中具有2个以上异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物；四羟甲基-三-#-氮丙啶基聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物使具有羟基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物是使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物与多元异氰酸酯化[0098]上述反应性基团向共聚物中的导入例如可以通过使具有羟基的共聚物和具有与羟基反应的基团(例如异氰酸酯基)且具有上述反应性基团的化合物[(代表性地为2-(甲述反应性基团的单体成分的比例优选为2摩尔40摩尔％、更优选为5摩尔30摩照射装置。该激光光照射装置以能够沿着半导体晶片1的切割道自如移动的方式配设激光半导体晶片1载置于高频侧电极，从与该高频侧电极相对设置的气体供给电极侧供给等离3a的工序之前，包括对掩模一体型表面保护带3照射紫外线等放射线而使粘合剂层固化的转移至利用激光L切除与切割道相当的部分的掩模材料层3[0115]第2实施方式中使用的掩模一体型表面保护带是将第1实施方式所示的掩模一体型表面保护带3中能够利用紫外线等放射线而固化的材质用于粘合剂层3ab的掩模一体型[0116]通过利用紫外线等使粘合剂层3ab固化，从而使表面保护带3a与掩模材料层3b的[0119]本发明的掩模一体型表面保护带3是在基材膜3aa上形成有粘合剂层3ab的表面保[0122]在本发明的掩模一体型表面保护带中，掩模材料层3b在向图案面2贴合时不易损伤半导体元件等，并且在其去除时不易产生半导体元件等的破损或粘合剂在表面的残留。利用SF6等离子体的蚀刻速率(EF)是指以15μm/分钟的蚀刻速率利用SF6气体等离子体对Si[0130]通过使透光率10μm为上述优选的范围内，能够利用C中，具有与固化剂反应的官能团(例如羟基)的(甲基)丙烯酸酯成分的比例优选为0.1摩子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物的含量优选为15质量％以上、更或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物优选为在分子内具有1个光聚合性碳-碳双键[0140]具体而言，上述在分子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯化合物可[0141]另外，可以优选使用分子内具有1个或2个光聚合性碳-碳双键的氨基甲酸酯丙烯[0142]作为上述辐射固化型粘合剂中的丙烯酸系粘合剂与分子内具有1个或2个光聚合[0150]使分子中具有烯键式不饱和键(光反应性基团)与异氰酸酯基的甲基丙烯酸2-异1mol％、丙烯酸-2-羟乙酯：19mol％各单体的构成成分构成的丙烯酸系聚合物(无规聚合物)发生反应，得到分子中具有烯键式不饱和键的丙烯酸系聚合物A1(Mw：80万、酸值：[0151]相对于上述丙烯酸系聚合物A1的100质量份混配异氰酸酯固化[0153]将上述粘合剂组合物A涂布至脱模膜上，使干燥形成的粘合剂层贴合于上述基材用该掩模材料组合物A，以使干燥后的厚度达到10μm的方式在上述表面保护带3a的粘合剂乙酯：1mol％各单体的构成成分构成的丙烯酸系聚合物B(无规聚合物、Mw：35万、酸值：[0173]使用旋涂机，以厚度为10μm的方式将正型光敏材料旋涂于硅晶片(直径8英寸)上得到切割线开口的带掩模的晶片。将参考例1中制备的表面保护带3a(无掩模材料层)贴合实施例1实施例2实施例3实施例4比较例1基材膜LDPE+EVA(2层)LDPE+EVA(2层)PET(1层)EVA(1层)LDPE+EVA(2层)粘合剂层粘合剂组合物A粘合剂组合物A粘合剂组合物A粘合剂组合物A粘合剂组合物A掩模材料层掩模材料组合物A掩模材料组合物B掩模材料组合物A掩模材料组合物A光抗蚀剂磨削性◎〇◎〇〇开口性〇〇〇〇〇等离子体适应性〇〇〇〇×[0197]另外，通过挤出法以厚度为110μm的方式NipolonHard205、东曹株式会社制造)和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)树脂(商品名：[0198]以干燥后的厚度为20μm的方式将上述粘合剂组合物a涂布于上述基材膜a的EVA树[0200]以干燥后的厚度为10μm的方式将上述掩模材料组合物a涂布于上述粘合带a的粘[0203]代替掩模材料组合物a而使用掩模材料组合物b，除此以外与试样1同样地得到掩5700、东亚合成公司制造)相对于100质量份丙烯酸系聚合物c的混配量替换为150质量份，除此以外与试样2同样地得到掩模材料组合物c和使用了该掩模材料组合物c的掩模一体型[0207]在试样2中，代替在分子内具有1个光聚合性碳-碳双键的丙烯酸酯单体(商品名：100质量份、在分子内具有3个光聚合性的碳-碳双键的丙烯酸酯低聚物(商品名：CN944、Sartomer公司制造)10质量份，除此以外与试样2同样地得到掩模材料组合物e和使用了该[0209]使用上述得到的各掩模一体型表面保护带a～c和e，进行以下所示的半导体晶片利用环形框支持固定。保留掩模材料层(3b)而剥掉表面保护带(粘合剂层3ab和基材带在掩模材料层a的蚀刻速率为1μm/分钟的条件下进行，并测定该条件下的其它各掩模材料[0220]将上述得到的掩模一体型表面保护带贴合至经易粘接处理的PET膜并进行UV照由PET膜与掩模材料层构成的层积体的透射率。由所得到的透射率减去PET膜单独的透射[0223]将掩模材料组合物e单独涂布于Si晶片的图案面侧表面并进行干燥，形成掩模材[0229]本申请要求基于2015年11