压电陶瓷制备技师考试试卷及答案

压电陶瓷制备技师考试试卷及答案一、填空题（共10题，每题1分，共10分）1.压电陶瓷最常用的基础体系是______2.适合复杂形状且密度均匀的成型工艺是______3.压电陶瓷烧结通常采用的气氛是______4.极化电场方向应与______方向一致5.PZT陶瓷的居里温度约为______℃6.常用的电极材料除银外还有______7.球磨后原料粒度通常要求在______μm以下8.排胶的主要目的是去除______9.静态压电常数的符号是______10.等静压成型分为冷等静压和______等静压二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）1.PZT陶瓷Zr/Ti比约为______时压电性能最佳A.52/48B.60/40C.40/60D.70/302.不适用于薄片状压电陶瓷的成型方法是A.流延B.干压C.等静压D.挤压3.烧结温度一般为原料熔点的______左右A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍D.1.0倍4.极化电场强度通常为______kV/mmA.1-3B.5-10C.15-20D.20-305.属于静态压电性能测试的是A.谐振法B.准静态d33测试仪C.阻抗分析仪D.DMA6.排胶升温过快易导致A.密度不均B.开裂C.晶粒长大D.电极氧化7.常用的球磨介质是A.钢球B.氧化铝球C.玻璃球D.塑料球8.未极化的压电陶瓷晶体结构属于A.铁电相B.顺电相C.反铁电相D.铁磁相9.最易氧化的电极材料是A.银B.钯C.金D.镍10.老化现象的本质是A.晶粒长大B.氧空位迁移C.电畴重取向D.成分挥发三、多项选择题（共10题，每题2分，共20分）1.压电陶瓷制备流程包括A.原料预处理B.成型C.烧结D.极化E.电极制备2.常见成型方法有A.干压B.等静压C.流延D.挤压E.注浆3.烧结工艺类型包括A.常压烧结B.热压烧结C.SPSD.微波烧结E.气氛烧结4.电极制备方法有A.丝网印刷B.蒸镀C.溅射D.化学镀E.涂覆5.影响极化效果的因素有A.电场强度B.温度C.时间D.样品厚度E.烧结密度6.主要性能参数有A.d33B.TcC.εD.QmE.kp7.球磨关键参数有A.球料比B.转速C.时间D.介质E.原料纯度8.排胶阶段包括A.升温去水B.粘结剂分解C.挥发D.预烧结E.烧结9.常见缺陷有A.气孔B.裂纹C.晶粒异常长大D.成分偏析E.电极脱落10.应用领域包括A.超声换能器B.传感器C.驱动器D.滤波器E.点火器四、判断题（共10题，每题2分，共20分）1.压电陶瓷是各向同性材料（）2.未极化的压电陶瓷无压电性（）3.烧结温度越高，密度越大（）4.干压压力越大，密度越高（）5.排胶可与烧结同时进行（）6.PZT属于二元系压电陶瓷（）7.电极必须用贵金属（）8.老化是不可逆过程（）9.等静压密度均匀性优于干压（）10.d33与温度无关（）五、简答题（共4题，每题5分，共20分）1.简述压电陶瓷制备基本流程2.极化工艺对性能的影响3.排胶的目的及关键参数4.干压、等静压、流延的适用场景及优缺点六、讨论题（共2题，每题5分，共10分）1.如何提高压电陶瓷致密度？分析关键工艺因素2.压电陶瓷老化机理及减缓措施---答案部分一、填空题答案1.锆钛酸铅（PZT）2.等静压成型3.空气（或氧气）4.极化轴（或厚度方向）5.330（或300-400）6.钯（或金、镍）7.1（或2）8.粘结剂（或有机物）9.d3310.热二、单项选择题答案1.A2.B3.B4.B5.B6.B7.B8.B9.D10.C三、多项选择题答案1.ABCDE2.ABCDE3.ABCDE4.ABCDE5.ABCDE6.ABCDE7.ABCD8.ABCD9.ABCDE10.ABCDE四、判断题答案1.×2.√3.×4.×5.×6.√7.×8.×9.√10.×五、简答题答案1.流程：原料预处理（称量混合）→球磨（细化颗粒）→干燥→造粒（加粘结剂）→成型（干压/等静压等）→排胶（去有机物）→烧结（致密化）→电极制备→极化（电畴定向）→性能测试。2.影响：极化是获得压电性的核心。①电场强度：需达饱和值（5-10kV/mm），不足则d33低，过高易击穿；②温度：居里温度以下（100-150℃），利于电畴转动，降低极化电场；③时间：10-30min，使电畴稳定取向，未极化则无压电性。3.目的：去除粘结剂，避免烧结开裂。关键参数：①升温速率（1-2℃/min）；②保温时间（300-500℃区间）；③气氛（空气）；④分阶段升温（去水→分解→预烧结）。4.对比：①干压：适用简单形状，优点效率高，缺点密度不均；②等静压：适用复杂形状，优点密度均匀，缺点成本高；③流延：适用薄片状，优点厚度均匀，缺点坯体强度低。六、讨论题答案1.提高致密度：①原料：高纯度细粒度；②球磨：优化球料比（1.5:1-3:1）、转速时间；③成型：等静压/流延提高初始密度；④烧结：热压/SPS抑制晶粒长大，