CN113871392B 三维存储器及其制作方法 （长江存储科技有限责任公司）

202011338956.42020.11.25虚拟分隔结构的假想延伸线上沿第一横向贯穿分隔结构具有在第一横向与虚拟分隔结构相接构分隔台阶区时栅极分隔结构易在台阶区发生2栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括沿第一方向并列设置且直接接触栅极分隔结构，在所述第一方向贯穿所述核心区，所述栅极分隔结构具有位于所述核心区中的多个沟道结构，所述多个沟道结构在与所位于所述台阶区中的多个虚拟沟道结构，所述多个虚拟沟道结二方向上的宽度大于所述第二延伸部在所述第二沿所述第一方向从所述台阶区向所述核心区沿所述第一方向从所述台阶区向所述核心区的方向先逐述第一方向的第二方向上的宽度大于所述第一延伸部在所述第二方向上14.根据权利要求13所述的三维存储器，其中，所述第一端部在所述第二方向上的宽15.根据权利要求13所述的三维存储器，其中，所述第一端部在所述第二方向上的宽3一方向的第二方向上的最大宽度不大于所述第二端部在所述第二方向构以及在垂直于所述第一方向的第二方向上位于所述导电结构与所述栅极堆叠结构之间形成栅极堆叠结构，所述栅极堆叠结构包括沿第一方向并列设置并形成虚拟分隔结构和栅极分隔结构，所述虚拟分隔结构形成位于所述核心区中的多个沟道结构，所述多个沟道结构在与形成位于所述台阶区中的多个虚拟沟道结构，所述多个虚拟沟道结构在所述台阶区中形成虚拟栅极隔槽，所述虚拟栅在所述核心区和所述虚拟分隔结构的第二端部中形成栅极4[0003]3DNAND存储器通常会包括一个或多个片存储区。在片存储区的至少一侧通常会由于台阶区的应力作用，位于台阶区中的栅线隔槽易发生变形，甚者断裂，进而影响3D5构相接触的第一端部，虚拟分隔结构具有在第一方向与栅极分隔结构相接触的第二端部，用栅极分隔结构分隔台阶区时由于台阶区的应力作用而导致栅极分隔结构易在台阶区发6置且直接接触的核心区12A和台阶区12B。上述虚拟分隔结构13在第一方向X贯穿台阶区拟分隔结构13不仅能够支撑栅极堆叠结构12的台阶区12B，以使得该台阶区12B不易坍塌，还能够隔开延伸至上述台阶区12B中的栅极分隔结构14的第一端部14A与上述栅极分隔结7避免了栅极分隔结构14由于由下至上受到的膜层应力不同而发生形变所导于第一方向X的第二方向Y上将上述栅极堆叠结构12的台阶区12B划分为多个块台阶区K1/分隔结构14具体可以包括导电结构142以及在垂直于第一方向X的第二方向Y上位于导电结晶硅及/或金属钨等导电材料。上述电绝缘层141用于电隔离上述导电结构142和上述栅极垂直于第一方向X的第二方向Y上位于两个夹持子部13A-1/13A-2之间，且与两个夹持子部一端部14A与位于该第一端部14A的第二方向Y两侧的栅极堆叠结[0050]在一个具体实施例中，如图5所示，上述虚拟分隔结构13还可以包括与第二端部上述第二端部13A在垂直于第一方向X的第二方向Y上的宽度W1大于上述第二延伸部13B在还可以沿第一方向X从上述台阶区12B向上述核心区12A的方向先逐渐增大再逐渐减小，且813的第二端部13A设计为大头结构，能够确保虚拟分隔结构13和栅极分隔结构14连接在一构13是在三维存储器的制作过程中于形成虚拟分隔结构13之后且形成栅极分隔结构14之列布置且直接接触的第一延伸部14B，且第一端部14A的四周被第一延伸部14B和上述虚拟第一端部14A至少有一部分在垂直于第一方向X的第二方向Y上的宽度W3大于上述第一延伸第一端部14A在第二方向Y的最小宽度不小于上述固定二端部13A在第二方向Y的宽度变化规律可以与上述第一端部14A在第二方向Y的宽度变化述第一端部14A沿第二方向Y的最大宽度设计为不大于上述第二端部13A沿第二方向Y的最[0057]需要说明的是，本实施例仅是增大了虚拟分隔结构13和/或栅极分隔结构14的侧9仅对三维存储器在第一方向X上一侧的内部结构进行至栅极堆叠结构12的核心区12A内，即可实现虚拟分隔结构13从三个方向将栅极分隔结构上述沟道结构16具体可以包括介质柱、环绕介质柱的沟道层以及环绕沟道层的电荷存储构16为一存储串中的多个存储单元所共享。上述台阶区12B中的多个虚拟沟道结构不提供上述至少一个第二子栅极分隔结构19位于块台阶区K1/K2中，且均向上述第一方向X延伸，核心区K3和块台阶区K1构成一个块存储区，在第一方向X上相连接的块核心区K4和块台阶方向X与虚拟分隔结构13相接触的第一端部14A，虚拟分隔结构13具有在第一方向X与栅极向Y上将上述栅极堆叠结构12的核心区12A划分为多个[0078]在一个实施例中，如图5所示，上述第二端部13A可以包括两个夹持子部13A-1/第二端部13A在垂直于第一方向X的第二方向Y上的宽度W1大于上述第二延伸部13B在第二Y的宽度W1还可以沿第一方向X从上述台阶区12B向上述核心区12A的方向先逐渐增大再逐[0083]在上述实施例中，上述栅极分隔结构14还可以包括与第一端部14A并列布置且直接接触的第一延伸部14B，且第一端部14A的四周被第一延伸部14B和上述虚拟分隔结构1314A至少有一部分在垂直于第一方向X的第二方向Y上的宽度W3大于上述第一延伸部14B在[0084]具体地，上述第一端部14A在第二方向Y上的宽度W3，可以沿第一方向X从核心区[0086]在一些实施例中，上述第一端部14A在垂直于第一方向X的第二方向Y上的最大宽度不大于第二端部13A在第二方向Y上的[0087]在一些实施例中，上述三维存储器还可以包括位于核心区12A中的多个沟道结构个虚拟沟道结构17可以在上述第三方向上贯穿上述台阶区述栅线缝隙和上述栅极隔槽的侧壁上依次形成电绝缘层141和作为共源极的导电结构142，了在利用栅极分隔结构分隔台阶区时由于台阶区的应力作用而导致栅极分隔结构易在台