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文档简介
三极管的工作原理
项目一三极管的工作原理
三极管,全称应为半导体三极管,也称晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流
的半导体器件其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号,也用作无触点开关。晶
体三极管,是半导体基本元潜•件之一,具有电流放大作用,是电子电路的关键元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体提成
三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。提成NPN
和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来阐明一下三极管放大电
路的基本原理。下图是多种常用三极管的实物图和符号。
一、三极管的电流放大作用
下面的分析仅对于NPN型硅二极管°如上图所示,我们把从基极B流至发射极F的
电流叫做基极电流1b;把从集电极C流至发射极E的耳流叫做集电极电流1c。这两个电
流的方向都是流出发射极的,因此发射极E上就用了一种箭头来表达电流的方向。三极
管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源可以提供应集电极足够大
的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足
一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变化量的B倍,即电流变化被放大了
B倍,因此我们把B叫做三极管的放大倍数(0一般远不小于1,例如几十,几百)。
假如我们将一种变化的小信号加到基极跟发射极之间,这就会引起基极电流1b的变
化,lb的变化被放大后,导致了1c很大的变化。假如集电极电流1c是流过一种电阻R
的,那么根据电压计算公式U=R*l可以算得,这电阻上电压就会发生很大的变化,我们
将这个电阻上的电压取出来,就得到了放大后的电压信号了。
二、三极管的偏置电路
三极管在实际的放大电路中使用时,还需要加合适的偏置电路。这有几种原因。首
先是由于三极管BE结的非线性(相称于一种二极管),基极电流必须在输入电压大到
一定程度后才能产生(对于硅管,常取)。当基极与发射极之间的电压不不小于时,基
极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比要小,假如不加偏置的话,这
样小的信号就局限性以引起基极电流的变化(由于不不小于时,基极电流都是0)。假
如我们事先在
三极管的基极
上加上一个合
适的电流(叫
做偏置电流,
上图中那个电
阻Rb就是用
来提供这个电GND
流的,因此它
被叫做基极偏置电阻),那么当种小信号跟这个偏置电流叠加在起时,小信号就会
导致基极电流的变化,而基极电流的变化,就会被放大并在集电极上输出。另一种原因
就是输出信号范围的规定,假如没有加偏置,那么只有对那些增长的信号放大,而对减
小的信号无效(由于没有偏置时集电极电流为0,不能再减小了)。而加上偏置,事先
让集电极有一定的电流,当输入的基极电流变小时,集电极电流就可以减小;当输入的
基极电流增大时,集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。
三、开关作用
下面说说三极管的饱和状况。像上面那样的图,由于受到电阻Rc的限制(Rc是固
定值,那么最大电流为U/Rc,其中U为电源电压),集电极电流是不能无限增长下去
的。当基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大时,三极管就进入了饱和状态。一
般判断三极管与否饱和的准则是:lb*B〉ICo进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发
射极之间的电压将很小,可以理解为一种开关闭合了°这样我们就可以拿三极管来当作
开关使用:当基极电流为。时,三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止),相称于
开关断开;当基极电流很大,以至于三极管饱和时,相称于开关闭合。假如三极管重要
工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。
项目二三极管的特性曲线
一、输入特性曲线
在三极管共射极连接的状;兄下,当集电极与发射极之间的电压Ube维持不一样的定值时,
Ug和lb之间的一簇关系曲线,称为共射极输入特性曲线,如上图所示。由图可以看出这簇曲
线,有下面几种特点:
(1)UBE=。的一条曲线与二极管的正向特性相似。这是由于UCE=0时,集电极与发射
极短路,相称于两个二极管并我,这样1B与UCE的关系就成了两个并联二极管的伏安特性。
(2)UCE由零开始逐渐增大时输入特性曲线右移,并且当UCE的数值增至较大时(如UCE
>1V),各曲线几乎重叠。这是由于UCE由零逐渐增大时,使集电结宽度逐渐增大,基区宽度
对应地减小,使存贮于基区的注入载流子的数量减小,复合减小,因而IB减小。如保持IB为
定值,就必须加大UBE,故使曲线右移。当UCE较大时(如UCE>1V),集电结所加反向电
压,已足能把注入基区的非平衡载流子绝大部分都拉向集电极去,以致UCE再增长,IB也不再
明显地减小,这样,就形成了各曲线几乎重叠的现象。(3)和二极管同样,三极管也有一种门
限电压\",一般硅管约为〜,错管约为〜。
二、输出特性曲线
输出特性曲线如上图所示,测试电路如上图。由图还可以看出,输出特性曲线可分为三个
区域,:(1)截止区:指IB=O的那条特性曲线如下的区域。在此区域里,三极管的发射结和集
电结都处在反向偏置状态,三极管失去了放大作用,集电极只有微小的穿透电流IcEO。
三板管的特性曲线测试电器
:2)饱和区:指绿色区域。在此区域内,对应不一样IB值的输出特性曲线簇几乎重叠在一
起。也就是说,UCE较小时,1c虽然增长,但Ic增长不大,即IB失去了对Ic的控制能力。这
种状况,称为三极管的饱和。饱和时,三极管的发射给和集电结都处在正向偏置状态。三极管
集电极与发射极间的电压称为集一射饱和压降,用热七5表达。LCES很小,一般中小功空硅管
UCES<:三极管基极与发射极之间的电压称为基一射饱和压降,以UCES表达,硅管的UCES在
0.8V左右。0A线称为临界饱和线(绿色区域右边缘线),在此曲线上的每一点应有|UCE|=
lUBElo它是各特性曲线急剧拐弯点的连线。在临界饱和状态下的三极管,其集电极电流称为临
界集电极电流,以les表达;其基极电流称为临界基极电流,以IBS表达。这时les与IBS的
关系仍然成立。(3)放大区:在截止区以上,介于饱和区与击穿区之间的区
域为放大区。在此区域内,特性曲线近似于一簇平行等距的水平线,Ic的变化量与IB的变量基
本保持线性关系,即Alc=BAIB,且NoMMB,就是说在此区域内,三极管具有电流放大作用。
比外集电极电压对集电极电流的控制作用也很弱,当UCE>1V后,虽然再增长UCE,1c几乎不
再增长,此时,若IB不变,则三极管可以当作是一种恒流源。在放大区,三极管的发射结处在
.正向偏置,集电结处在反向偏置状态。
项目三三极管的测量与好坏判断
一、中、小功率三极管的检测
已知型号和管脚排列的三极管,可按下述措施来判断其性能好坏
(a)测量极间电阻。将万用表置于RX100或RX1k挡,按照红、黑表笔的六种不一样接
法进行测试。其中,发射结和集电结的正向电阻值比较低,其他四种接法测得的电阻值都很
高,约为几百千欧至无穷大。但不管是低阻还是高阻,硅材料三极管的极间电阻要比错材•料三
极管的极间电阻大得多。
(b)三极管的穿透电流TCE0的数值近似等于管子的倍数p和集电结的反向电流TCB0的
乘积。ICBO伴随环境温度的升高而增长很快,1CB0的增长必然导致ICE0的增大。而ICE0的增
大将直接影响管子工作的稳定性,因此在使用中应尽量选用ICE0小的管子。通过用万用表
电阻直接测量三极管e—c极之间的电阻措施,可间接估计ICE0的大小,详细措施如下:
万用表电阻的量程一般选用RX100或RX1k挡,对于P\P管,黑表管接。极,红表笔接c极,
对于NPN型三极管,黑表笔接c极,红表笔接e极。规定测得的电阻越大越好。e—c间的阻值
越大,阐明管子的ICEO越小;反之,所测阻值越小,阐明被测管的ICEO越大。一般说来,
中、小功率硅管、错材料低频管,其阻值应分别在几百千欧、儿十千欧及十儿千欧以上,假如
阻值很小或测试时万用表指针来回晃动,则表明ICEO很大.管子的性能不稳定。
(c)测量放大能力(0)。目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插
座,可以很以便地测量三:极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡,量程开关拨到ADJ
位置,把红、黑表笔短接,调整调零旋钮,使万用表指针指示为零,然后将量程开关拨到hFE
位置,并使两短接的表笔分开,把被测三极管插入测试插座,即可从hFE刻度线上读出管子的
放大倍数。此外:有此型号的中、小功率三极管,生产厂家直接在其管壳顶部标示出不一
样色点来表明管子的放大倍数B值,其颜色和B值的对应关系如表所示,但要注意,各厂家所
用色标并不一定完全相似。
二、检测鉴别电极
(a)鉴定基极。用万用表RX100或RX1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、
反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触此外两个电极均测得低阻值
时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,假如红表笔接
的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可鉴定被测三极管为PNP型
管;假如黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为
N?N型管。
(b)鉴定集电极c和发射极e。(以PNP为例)将万用表置于RX100或RXlk挡,红表笔基
极b,用黑表笔分别接触此外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一种大某些,一种G某些。
在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管
脚为发射极。
(C)鉴别高频管与低频管高频管的截止频率不小于3MHz,而低频管的截止频率则不不小
于3MHz,一般状况下,两者是不能互换的。
(D)在路电压检测判断法在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,
由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,因此在
检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被
测三极管各引脚的电压值,来推断其工作与否正
常,进而判断其好坏。
三、大功率晶体三极管的检测
运用万用表检测中、小功率三极管的极性、管型及性能的多种措施,对检测大功率三极管来
说基本上合川。不过,由于大功率三极管的工作电流比较大,因而其PN结的面积也较大。PN结
较大,其反向饱和电流也必然增大。因此,若像测量中、小功率三极管极间电阻那样,使用万
用表的RX1k挡测量,必然测得的电阻值很小,仿佛极间短路同样,因此一般使用RX10或
RX1挡检测大功率三极管。
四、一般达林顿管的检测(右图)
用万用表对一般达林顿管的检测包括识别电极、辨别PW和NPN类型、估测放大能力等项
内容。由于达林顿管的E—B极之间包括多种发射结,因此应当使用万用表能提供较高电压的
RX10k挡进行测量。
五、大功率达林顿管的检测
检测大功率达林顿管的措施与检测一般达林顿管基
本相似。但由于大功率达林顿管内部设置了V3、R1、
R2等保护和泄放漏电流元件,因此在检测量应将这些元
件对测量数据的影响加以辨别,以免导致误判。详细可
按下述几种环节进行:
A用万用表RX10k挡测量B、C之间PN结电阻值,应明显测出具有单向导电性能。正、
反向电阻值应有较大差异。
B在大功率达林顿管B-E之间有两个PN结,并且接有电阻R1和R2。用万用表电阻挡检
测时,当正向测量时,测到的阻值是BE结正向电阻与RI、R2阻值并联的成果;当反向测量
时,发射结截止,测出的则是(R1+R2)电阻之利,大概为几百欧,且阻值固定,不随电阻挡位
的变换而变化。但需要注意的是,有些大功率达林顿管在RI、R2、上还并有二极管,此时所测
得的则不是(R1+R2)之和,而是(R1+R2)与两只二极管正向电阻之和的并联电阻值。
六、带阻尼行输出三极管的检测9c
O
将万用表置于RX1挡,通过单
D2499
独测量带阻尼行输出三极管各电极之
>
间的电阻值,即可判断其与否正常。
话细测试原理,措施及环节如下:
a)行输出管符号b)行输出管外形
A将红表笔接E,黑表笔接B,此时相称于测量大功率管B-E结的等效一极管与保护电
阻R并联后的阻值,由于等效二极管的正向电阻较小,而保护电阻R的阻值一般也仅有20〜
50,因此,两者并联后的阻值也较小;反之,将表笔对调,即红表笔接B,黑表笔接E,则测
得的是大功率管B-E结等效二极管的反向电阻值与保护电阻R的并联阻值,由于等效二极管反
向电阻值较大,因此,此时测得的阻值即是保护电阻R的值,此值仍然较小。
B将红表笔接C,黑表笔接B,此时相称于测量管内大功率管B—C结等效二极管的正
向电阻,一般测得的阻值也较小;将红、黑表笔对调,即将红表笔接B,黑表笔接C,则相称于
测量管内大功率管B—C结等效二极管的反向电阻,测得的阻值一般为无穷大。
C将红表笔接E,黑表笔接C,相称于测量管内阻尼二极管的反向电阻,测得的阻值一
般都较大,约300〜8;将红、黑表笔对调,即红表笔接C,黑表笔接E,则相称于测量管内
阻尼二极管的正向电阻,测得为阻值一般都较小,约几欧至儿十欧。
项目四三极管的分类
a.按材质分:硅管、错管
b.按构造分:NPN、PNPo
c.按功能分:开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d.按功率分:小功率管、中功率管、大功率管
e.按工作频率分:低频管、高频管、超频管
f.按构造工艺分:合金管、平面管
g.按安装方式:插件三极管、贴片三极管
一、选用三极管的重要参数
特性频率fT:当f二fT时,三极管完全失去电流放大功能.假如工作频率不小于fT,电路将不
正常工作.
工作电压/电流Uce/Ic:用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围.
Hfe:电流放大倍数.
Vceo:集电极发射极反向击穿电压,表达临界饱和时的饱和电压.
Pcm:最大容许耗散功率.
封装形式:指定该管的外观形状,假如其他参数都符合规定,但封装不一样将导致组件无法
在电路板上实现.
二、判断基极和三极管的类型
1、脚位判断:三极管的脚位判断,三极管的脚位有两种封装排列形式,三极管是一种结型
电阻器件,它的三个引脚均有力显的电阻数据,测试时(以数字万用表为例,红笔+,黑笔-)
我们将测试档位切换至二极管档(蜂鸣档),正常的NPN构造三极管的基极(B)对集电极
:C)、发射极(E)的正向电阻是430C-680Q(根据型号的不一样,放大倍数的差异,这个值
有所不一样)反向电阻无穷大;正常的PNP构造的三极管的基极(B)对集电极(C)、发射极
:E)的反向电阻是430C-680Q,正向电阻无穷大。集电极C对发射极E在不加偏流的状况下,
电阻为无穷大。基极对集电极的测试电阻约等于基极对发射极的测试电阻,一般状况下,基极
对集电极的测试电阻要比基极对发射极的测试电阻小5-100。左右(大功率管比较明显),假如
超过这个值,这个元件的性能已经变坏,请不要再使用。假如误使用于电路中也许会导致整个
或部分电路的工作点变坏,这个元件也也许很快就会损坏,大功率电路利高频电路对这种劣质
元件反应比较明显。尽管封装陶造不一样,但与同参数的其他型号的管子功能和性能是同样
的,不一样的封装构造只是应用于电路设计中特定的使用场所的需要。要注意有些厂家生产某
些不规范元件,例如C945正常的脚位是BCE,但有的厂家出的此元件脚位排列却是EBC这会
导致那些粗心的工作人员将新元件在未检测的状况下装入电路,导致电路不能工作,严重时烧
毁有关联的元器件,例如电视机上用的开关电源。布我们常用的万用表中,测试三极管的脚位
排列图:先假设三极管的某极为“基极”,将黑表笔接在假设基极上,再将红表笔依次接到其他
两个电极上,若两次测得的电阻都大(约几K到几十K),或者都小(几百至几K),对换表笔反复上
述测量,若测得两个阻值相反(都很小或都很大),则可确定假设的基极是对的的,否则另假设一极
为“基极”,反复上述测试,以确定基极.当基极确定后,将黑表笔接基极,红表笔笔接其他两极若
测得电阻值都很少,则该三极管为PNP,反之为NPN。
2、判断集电极C和发射极E,以NPN为例:
把黑表笔接至假设的集电极C,红表笔接到假设的发射极E,并用手捏住B和C极,读出表头
所示C,E电阻值,然后将红,黑表笔反接重测.若第一次电阻二匕第二次小,阐明原假设成立.
3、三极管的构造和类型
晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有?c电流放
大作用,是电子电路的关键元件。三极管是在一块.一匕o~R半导体
基片上制作两个相距很近的1小结,两个PN结把正6c6c块半导
NPN型PNP型
体提成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集
电区,排列方式有PNP和NPN两种,从三个区引出对应的电极,分别为基极b发射极e和集电
极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而
发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区〃发射〃的是空穴,其移动方向与电流方向一致,
故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区〃发射〃的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故
发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶
体三极管和褚品体三极管均有PNP型和NPN型两种类型。三极管的封装形式和管脚识别常用三
极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类,引脚的排列方式具有一定的规律,底视图位置
放置.,使三个引脚构成等腰三角形的顶点上,从左向右依次为ebc;对于中小功率塑料三极管
按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为ebc。国内多种类型的晶体三
极管有许多利|,管脚的排列不尽相似,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定
各管脚对的的位置,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及对应的技术参数和资料。电
流放大:晶体二极管具有电流放大作用,其实质是二极管能以基极电流微小的变化量来控制集电
极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将Alc/Alb的比值称为晶体三
极管的电流放大倍数,用符号“B”表达。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一种定值,但
伴随三极管工作时基极电流的变化也会有一定的变化。工作状态:截止状态:当加在三极管发射
结的电压不不小于PN结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管
这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相称于开关的断开状态,我们称三极管处在截
止状态。放大状态:当加在三极管发射结的电压不小于PN结的导通电压,并处在某一恰当的值
时,三极管的发射结正向偏置.,集电结反向偏置.,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,
使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数(3=4忙小出,这时三极管处放大状态。饱和导通状
态:当加在三极管发射结的电压不小于PN结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集
电极电流不再伴随基极电流的增大而增大,而是处在某一定值附近不怎么变化,这时三吸管失
去电流放大作用,集电极与发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相称丁开关的导通状
态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高下,就
能鉴别三极管的工作状态,因此,电子维修人员在维修过程中,常常要拿多用电表测量三极管
各脚的电压,从而鉴别三极管的工作状况和工作状态。多用电表检测三极管基极的鉴别:根据
三极管的构造示意图,我们懂得三极管的基极是三极管中两个PN结的公共极,因此,在鉴别三
极管的基极时,只要找出两个PN结的公共极,即为三极管的基极。详细措施是将多用电表调至
电阻挡的RX1k挡,先用红表笔放在三极管的一只脚上,用黑表笔去碰三极管的另两只脚,假
如两次全通,则红表笔所放的脚就是三极管的基极。假如一次没找到,则红表笔换到三极管的
另一种脚,再测两次;如还没找到,则红表笔再换一下,再测两次。假如还没找到,则改用黑
表笔放在三极管的一种脚上,用红表笔去测两次看与否全通,若一次没成功再换。这样最多没
量12次,总可以找到基极。三极管类型的鉴别:三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。
鉴别时只要懂得基极是P型材料还N型材料即可。当用多用电表RX1k挡时,黑表笔代表电源
正极,假如黑表笔接基极时导通,则阐明三极管的基极为P型材料,三极管即为NPN型。假如
红表笔接基极导通,则阐明三极管基极为N型材料,三极管即为PNP型。
4、三极管的基本放大电路
基本放大出路是放大电路中最基本的构造,是构成复杂放大电路的基本单元。它运用半导
体三极管输入电流控制输出电流的特
或场效应半导体三极管输入电压控制输
流的特性,实现信号的放大。本章基本
电路的知识是深入学习电子技术的重要
础。基本放大电路一般是指由一种三极
场效应管构成的放大电路。从电路的角度来
看,可以将基本放大电路当作一种双端口网络。放大的作用体目前如下两方面:
1.放大电路重要运用三极管或场效应管的控制作用放大微弱信号,输出信号在电压或电流
的幅度上得到了放大,输出信号的能量得到了加强。
2.输出信号的能量实际上是由直流电源提供的,只是通过三极管的控制,使之转换成信号
能量,提供应负载。共射组态基本放大电路的构成共射组态基本放大电路是输入信号加在加在
基极和发射极之间,耦合电容器C1和Ce视为对交流信号短路。输出信号从集电极对地取出,
经耦合电容器C2隔除直流量,仅将交流信号加到负载电阻RL之上。放大电路的共射组态实际
上是指放大电路中的三极管是共射组态。在输入信号为零时,直流电源通过各偏置电阻为三极
管提供直流的基极电流和直流集电极电流,并在三极管的三个极间形成•定的直流电压。由于
耦合电容的隔直流作用,直流电压无法抵达放大电路的输入端和输出端。当输入交流信号通过
耦合电容C1和Ce加在三极管的发射结上时,发射结上的电压变成交、直流的叠加。放大电路
中信号的状况比较复杂,各信号的符号规定如下:由于三极管的电流放大作用,ic要比ib大儿
十倍,一般来说,只要电路参数设置合适,输出电压可以比输入电压高许多倍。uCE中的交流量
有一部分通过耦合电容抵达负我电阻,形成输出电压。完毕电路的放大作用。由此可见,放大
电路中三极管集电极的直流信号不随输入信号而变化,而交流信号随输入信号发生变化。在放
大过程中,集电极交流信号是叠加在直流信号上的,通过耦合电容,从输出端提取的只是交流
信号。因此,在分析放大电路时,可以采用将交、直流信号分开的措施,可以提成直流通路和
交流通路来分析。
放大电路的构成原则:
1.保证放大电路的关铤器件三极管工作在放大状态,即有合适的偏置。也就是说
发射结正偏,集电结反偏。
2.输入回路的设置应当使输入信号耦合到三极管的输入电极,形成变化的基极电
流,从而产生三极管的电流控制关系,变成集电极电流的变化。
3.输出回路的设置应当保证将三极管放大后来的电流信号转变成负载需要的电量
形式(输出电压或输出电流)。三极管的符号中间横线是基极B,另一斜线是集电极
C,带箭头的是发射极E。
项目五三极管的命名
国产半导体器型号的命名措施(摘自国标GB249_74)型号构成
第一部分用阿拉伯数字表达器件电极数
第二部分用字母表达器件的材料和极性
第三部分用汉语拼音字母表达器件类型
第四部分用数字表达器件序号
第五部分用汉语拼音字母表达规格符号及意义
如下表所示:
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分
用字母表达器件汉语拼用数字表达器用汉语拼音字
用数字表达电极数意义(作用)
材料和极性音字母件序号母表达规格
2二极管AN型德材料P一般管
BE型钻材料V微波管
CN型硅材料W稳压管
DP型硅材料C参量管
3三极管APNP错材料Z整流管
BNPN倍材料L整流管
CPNP硅材料S隧道管
1)NPN硅材料N阻尼管
U光电器件
K开关器件
X低频小功率管
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