CN113964041B 一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制备方法 （西安电子科技大学）_第1页
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一种高击穿电压氧化镓功率二极管及其制本发明涉及一种高击穿电压氧化镓功率二#-Ga2O3材料，且漂移层的掺杂浓度低于衬底层移层的界面处形成具有P型特征的NiO层，NiO层与漂移层形成异质PN结结构。本发明的制备方2S4中将器件放入退火炉进行低温退火工艺处理时，退火温度为100~500℃,使得Ni/Au金属叠层中的金属Ni与β-Ga2O3漂℃。2O3所述高击穿电压氧化镓功率二极管通过下述方S4中将器件放入退火炉进行低温退火工艺处理时，退火温度为100~500℃,使得Ni/Au金属叠层中的金属Ni与β-Ga2O3漂317cm-3。[0014]在本发明的一个实施例中，在所述S4中，所述低温退火工艺的退火温度为100~[0018]所述阳极为Ni/Au金属叠层，金属Ni与所述漂移层的界面处形成具有P型特征的4Ni与β-Ga2O3漂移层中的氧形成具有P型特性薄层NiO层，厚度约为1～5nm，NiO层可与β-[0026]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚[0027]图1是本发明实施例提供的一种高击穿电压氧化镓功率二极管的制备方法流程[0028]图2a-图2d是本发明实施例提供的一种高击穿电压氧化镓功率二极管的制备工艺[0035]在本实施例中，可选地，选取Si或Sn重掺杂的β-Ga2O3作为衬底层，采用HVPE(HydrideVaporPhaseEpitaxy，氢化物气相外延)工艺在Si或Sn重掺杂的β-Ga2O3衬底上5中的金属Ni与β-Ga2O3漂移层中的氧在高温情况下形成具有P型特征薄层NiO层，厚度为1~[0055]选取Si重掺杂的β-Ga2O3作为衬底层，掺杂浓度为5×1018cm-3，在Si重掺杂的β-[0058]2.2)再用退火炉在400℃的N2气氛中进行30s的快速热退火，对阴极金属进行合6[0067]2.2)再用退火炉在500℃的N2气氛中进行30s的快速热退火，对阴极金属进行合[0076]2.2)再用退火炉在600℃的N2气氛中进行30s的快速热退火，对阴极金属进行合7[0083]在本实施例中，阴极1为Ti/Au金属叠层，可选地，Ti/Au金属叠层的厚度为20/温退火工艺使阳极金属Ni与β-Ga2O3漂移层中的氧形成具有P型特征的NiO层，该NiO层可与

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