CN114068507B 电路基板、led模块及显示装置、以及led模块的制造方法及显示装置的制造方法 （株式会社日本显示器）

JP2003273148A,200JP2005136399A,200US2016381751A1,2016.1本发明的目的在于，作为倒装片型的LED且与背板形成稳定的连接构造。LED模块包括设置在基板上的第1电极及第2电极、配置在第1电极与第2电极对置的阳极电极、以及阴极电极与阳极电极之间的阶差部。第1电极与阴极电极之间2上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差部，以将上述阶差部进而在上述第1电极上，在上述第1凸点层的与上述第2凸点层侧相反侧上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差部，以将上述阶差部在上述第1凸点层上的与上述第1凸点层的上述第2凸点层侧相反侧的位置形成第3凸在形成了上述第1凸点层及上述第2凸点层后进行第一加热处理，使上述第1凸点及上上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差部，以将上述阶差部将上述第3凸点层偏向上述第2凸点层侧的相反3上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差部，以将上述阶差部以具有锥状的上表面的方式形成上述第1凸点层，以具有平坦的上表面的方式形成上在设置在像素中的第1电极上形成第1凸点，在设置在像素中的第2电极上形成第2凸上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差进而在上述第1电极上，在上述第1凸点层的与上述第2凸点层侧相反侧在形成了上述第1凸点层及上述第2凸点层后进行第一加热处理，使上述第1凸点及上将上述第3凸点层偏向上述第2凸点层侧的相反在设置在像素中的第1电极上形成第1凸点，在设置在像素中的第2电极上形成第2凸上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差4在上述第1凸点层上的与上述第1凸点层的上述第2凸点层侧相反侧的位置形成第3凸在设置在像素中的第1电极上形成第1凸点，在设置在像素中的第2电极上形成第2凸上述LED芯片在与上述第1凸点及上述第2凸点对置的面具有阶差上述第1凸点层以具有锥状的上表面的方式形成，上述第2凸5[0002]已知在排列为矩阵状的像素中安装有被称作微LED的微小发光二极管的微LED显6在第1电极上及第2电极上的至少1个LED芯片、至少1个LED芯片与第1电极之间的第1凸点、以及至少1个LED芯片与第2电极之间的第2凸点。至少1个LED芯片具有与第1电极对置的阴[0019]图1B表示本发明的一实施方式的LED模块的剖面图，表示与图1A所示的A1－A2间[0027]图5A表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示在基板上形成第1电[0028]图5B表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示在基底金属膜之上形7[0034]图7B表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示将第1凸点及第2凸点底金属膜而在第1电极之上形成了第1凸点层并在第2电极之上形成了第[0041]图10A表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示在基板上设有第1电[0044]图11A表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示在基板上形成了第2[0045]图11B表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示形成了第3凸点层的[0046]图11C表示本发明的一实施方式的LED模块的制造方法，表示第2抗蚀剂掩模被去[0049]图14A表示本发明的一实施方式的显示装置的像素中的LED芯片与第1电极及第28[0050]图14B表示本发明的一实施方式的显示装置的像素中的LED芯片与第1电极及第2[0060]图1A及图1B表示本发明的一实施方式的LED模块100的结构。图1A表示在基板120[0061]LED芯片102是具有阴极电极106和阳极电极108的2端子元件，通过第1凸点110及第2凸点112而被倒装在基板120上。在基板120，与LED芯片102的阴极电极106及阳极电极108对应地设有第1电极116及第2电极118。对应于LED芯片102的阴极电极106而设有第1凸9由于设置在将半导体层的一部分(p型半导体层、有源层)去除后的区域，所以在阴极电极[0064]LED芯片102为了使发光区域的面积(有源层的面积)尽量大而使形成阴极电极106软的性质并在其初始形状方面下功夫，使第1凸点110如图1B所示那样以将阶差部104填埋[0068]图2A及图2B表示本实施方式的第1凸点110及第2凸点112的初始构造(安装LED芯片102之前的形状)。图2A表示在第1电极116及第2电极118上形成的第1凸点110及第2凸点融合而成的形状的初始构造的第1凸点110，能够形成跨LED芯片102的阶差部104那样的凸[0073]图3A及图3B表示以使第1凸点110包含厚度不同的区域的方式层叠了大小不同的具有使具有球状表面的第二构造体在具有球状表面的第一构造体之上突出地设置的初始[0075]图4A表示第1凸点110具有台阶状的阶差形状、第2凸点112不具有阶差形状的形度为d1的区域和厚度为d2的区域(d1＞d2)，其膜厚的差(d1－d2)具有与阶差部104的高度[0076]第1凸点110的厚度d0具有与第1凸点的厚度d2的区域相同的厚度。通过使用具有这样的初始形状的第1凸点110及第2凸点112，能够如图1B所示那样将LED芯片102向基板其体积的增加量将LED芯片102的阶差部104填埋。根据图4B所示的第1凸点110及第2凸点通过第1电极116的阶差部122而变高的量，能够得到与实质上局部地增加了膜厚时等价的[0082]参照图5A～图5C及图6A～图6C，说明制造图2A及图2B所示的第1凸点110及第2凸氮化硅膜等形成。在绝缘膜124中形成使第1电极116及第2电极118的上表面露出的开口部[0085]图5C表示形成第1凸点层132、第2凸点层134的阶段。第1凸点层132及第2凸点层[0088]图6B表示在形成了第3凸点层136后将第2抗蚀剂掩模138去除了的状态。第3凸点通过回流而形状变化而具有球状表面，形成第2凸点112。通过第1凸点层132与第3凸点层136的膜厚差，第1凸点110如参照图2A说明的那样形成为包含厚度d1的区域和厚度d2的区[0092]在将用焊料形成的凸点与LED芯片连接时，若在凸点形成孔隙则有可能发生连接施方式所示的第1凸点110那样，通过对应于LED芯片102的阶差部104预先形成厚度不同的[0095]参照图8A～图8C以及图9A～图9C，说明制造图3A及图3B所示的第1凸点110及第2点层132优选形成得比第2凸点层134厚。厚度不同的第1凸点层132和第2凸点层134能够通[0098]图8C表示在基板120上形成有第4抗蚀剂掩模140的阶段。第4抗蚀剂掩模140将回[0099]图9A表示形成第4凸点层142的阶段。第4凸点层142以将第4抗蚀剂掩模140的第4开口部141填埋的方式形成。第4凸点层142能够用与第1凸点层132相同的低熔点金属材料在第1凸点层132之上突出地设有第4凸点厚d1小的膜厚d2的区域的构造。基底金属膜126以第1凸点110及第2凸点112为掩模而被蚀通过这样的第1凸点110的形状，能够不受LED芯片102的阶差的影响地形成稳定的连接构[0104]参照图10A～图10C及图11A～图11C，说明制造图4A所示的第1凸点110及第2凸点[0106]图10B表示在基底金属膜126之上形成有第1抗蚀剂掩模128的状态。第1抗蚀剂掩模128具有使基底金属膜126与第1电极116及第2电极118重叠的区域的上表面分别露出的1凸点层132的一部分以及第2凸点层134覆盖而形成。第2抗蚀剂掩模138设有使第1凸点层2凸点112以一定的厚度d0形成。该厚度d0具有与第1凸点110的厚度d2相同的厚度(d0=以与图1所示的LED模块的安装构造相同的构造[0115]图12表示本实施方式的显示装置200的结构。显示装置200在基板120上具有以矩[0116]显示部202配设有向像素204输入扫描信号的扫描信号线206和输入影像信号的数[0118]第1电极116及第2电极118设在第3绝缘层148上。第1电极116还通过将第2绝缘层146及第2绝缘层146贯通的第1接触孔158a而与扫描信号线206电连接，第2电极118通过将第3绝缘层148贯通的第2接触孔158b而与数据信号线208电连接。在第1电极116及第2电极118的上层侧设有第4绝缘层150。第1电极116及第2电极118在设有第1凸点110及第2凸点[0120]LED芯片102配置在第1电极116及第2电极118上。LED芯片102的阴极电极106通过图6A～图6C以及图7A～图7B所示的制造方法、图8A～图8C以及图9A～图9C所示的制造方像素的发光还能够应用于由基于晶体管的像素电路控制的[0124]图14A及图14B表示像素204中的LED芯片102和第1电极116及第2电极118的配置的一例。图14A表示在像素204中配置有第一LED芯片102a、第二LED芯片102b、第三LED芯片的变更后的范围也只要不脱离本发明的主旨就属于本发明