CN114171414B 多层堆叠存储器封装方法及封装结构 （通富微电子股份有限公司）

本发明提供一种多层堆叠存储器封装方法一存储器微模组，第一假片设置有第一冷却通依次将第二存储器微模组和多个第一存储器微模组和第一存储器微模组在缓冲芯片上的正投2述第一存储器芯片设置有与所述多个第一导电通孔相对应的多个第分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述第一假将所述第二假片与所述第三假片进行阳极键合，在键合后的所述第依次将所述第二存储器微模组和所述多个第一存储器微模组混合键合堆叠在所述缓所述分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述第一假片的所述在所述第一槽体底壁和所述第一存储器芯片的第一表面之间形在所述第一假片和所述第一存储器芯片的第二表面形成第二粘合胶填充至所述第一冷却通孔以及所述第一槽体侧壁和所述第一存储器芯片之间将所述第一存储器芯片的第二表面的第二粘合胶完全去除，以露出将所述第一存储器芯片的第一表面的第一粘合胶去除，以露出在所述第三假片和所述第一存储器芯片的第二表面形成所述第二所述第二粘合胶填充至所述第二冷却通孔以及所述第二槽体侧壁和所述第一存储器芯片将所述第一存储器芯片的第二表面的第二粘合胶完全去除，以露出3将所述第一存储器芯片的第一表面的第一粘合胶去除，以露出所述依次将所述第二存储器微模组和所述多个第一存储器微模组混合键合堆叠在所将第二存储器微模组的第一钝化层与所述缓冲芯片上的第三钝化层进存储器微模组的第一金属焊盘与所述缓冲芯片上的第三金将底层第一存储器微模组的第一钝化层与所述第二存储器微模组的第二钝化层进行依次将其余各层第一存储器微模组混合键合堆叠在所述第二存储器微模组上，其中，两层第一存储器微模组中的所述第一金属焊盘与所述第二将所述第一冷却通孔以及所述第二冷却通孔中的所述8.一种多层堆叠存储器封装结构，其特征在于，包括所述第二存储器微模组混合键合堆叠设置在所述缓冲芯片上，所述多每个所述第一存储器微模组均包括和第一存储器芯片和设置有第一槽体和多个第一置有与所述多个第一导电通孔相对应且电连接的所述第二存储器微模组包括第一存储器芯片、第二假片以及夹设在所每相邻两层第一存储器微模组中的所述第一钝化层与所述第二钝化层混合键合连接；4每相邻两层第一存储器微模组中的所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘混合键合所述第二存储器微模组中的所述第二金属焊盘与底层第一存储器微模组中的所述第所述第三钝化层与所述第二存储器微模组中的所述第一钝化层三金属焊盘和所述第二存储器微模组中的所述第一金属焊5带存储器(HBM，highbandwidthMemory)应运而生。如图1所示，HBM使用硅通孔(TSV，ThroughSiliconVia)12将数个存储器芯片11进行垂直互连，通过底层的缓冲芯片10与外述第一假片设置有第一槽体和多个第一冷却通孔，所述缓冲芯片设置有多个第一导电通[0008]分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述第一[0011]依次将所述第二存储器微模组和所述多个第一存储器微模组混合键合堆叠在所6[0015]所述分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述所述第二粘合胶填充至所述第一冷却通孔以及所述第一槽体侧壁和所述第一存储器芯片[0019]将所述第一存储器芯片的第一表面的第一粘合胶去除，以露出所述第一钝化层、[0021]在所述第二槽体底壁和所述第一存储器芯片的第一表面之间形成所述第一粘合部分所述第二粘合胶填充至所述第二冷却通孔以及所述第二槽体侧壁和所述第一存储器[0026]所述依次将所述第二存储器微模组和所述多个第一存储器微模组混合键合堆叠第二存储器微模组的第一金属焊盘与所述缓冲芯片上的第[0028]将底层第一存储器微模组的第一钝化层与所述第二存储器微模组的第二钝化层邻两层第一存储器微模组中的所述第一金属焊盘与所7[0036]每个所述第一存储器微模组均包括第一存储器芯片和设置有第一槽体和多个第设置有与所述多个第一导电通孔相对应且电连接的多个第二[0040]每相邻两层第一存储器微模组中的所述第一钝化层与所述第二钝化层混合键合[0041]每相邻两层第一存储器微模组中的所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘混合[0043]所述第二存储器微模组中的所述第二金属层与底层第一存储器微模组中的所述述第三金属焊盘和所述第二存储器微模组中的所述第一金属焊盘8[0049]图3～图17为本发明另一实施例的一种多层堆叠存储器封装方法的封装工艺示意电通孔，所述第一存储器芯片设置有与所述多个第一导电通孔相对应的多个第二导电通的中心区域设置有第一槽体(图中未标出)，第一假片120的边缘区域处设置多个第一冷却一导电通孔111相对应的多个第二导电通孔151。其中，第一导电通孔111和第二导电通孔[0057]所述分别将每个所述第一存储器芯片固定在对应的所述9得部分所述第二粘合胶填充至所述第一冷却通孔以及所述第一槽体侧壁和所述第一存储胶123，并使得部分第二粘合胶填123充至第一冷却通孔121以及第一槽体侧壁和第一存储器芯片150之间的缝隙中。将部分第二粘合胶123填充在第一槽体侧壁和第一存储器芯片将第一存储器芯片150的第二表面的第二粘合胶123完全去除，以露出第二钝化层154和第第二假片130与第三假片140对应第一槽体处通过刻蚀工艺形成第二槽体142，在减薄后的[0074]其次，在所述第三假片和所述第一存储器芯片的第二表并使得部分所述第二粘合胶填充至所述第二冷却通孔以及所述第二槽体侧壁和所述第一一存储器芯片150之间的缝隙中。将部分第二粘合胶填123第二槽体142侧壁和第一存储器[0077]具体地，如图13所示，将第一存储器芯片150的第二表面进行抛光和化学清洁处留后的第二粘合胶123与第二钝化层154齐[0082]所述依次将所述第二存储器微模组和所述多个第一存储器微模组混合键合堆叠片110上的第三钝化层112进行加热及加压的混合键合，将第二存储器微模组B的第一金属模组A的第一金属焊盘153与第二存储器微模组B的第二金属焊盘155在加热和加压条件下储器微模组A中的其中一者的第一金属焊盘153与其中另一者的第二金属焊盘155在加热和储器微模组A与第二存储器微模组B混合键合，第二层第一存储器微模组A设置在第一层第模组A依次混合键和合堆叠在第二存储器微第一存储器芯片150上没有设置第二导电通[0091]第一存储器芯片150之间以及第一存储器芯片150和缓冲芯片110之间均通过混合假片120、第二假片130以及第三假片140将第一存储器芯片150的尺寸调整为与缓冲芯片组A依次混合键合堆叠在第二存储器微模组B上，并且第一存储器微模组A和第二存储器微二存储器微模组B的尺寸与缓冲芯片110的尺[0099]每个第一存储器微模组A均包括第一存储器芯片150和设置有第一槽体和多个第设置有与多个第一导电通孔111相对应且电连接的多个第二导[0101]第二存储器微模组B包括第一存储器芯片150、第二假片130以及夹设在第一假片120和第二假片130之间的第三假片140，第二假片130和第三假片140上设置有与第一槽体[0104]每相邻两层第一存储器微模组A中的第一钝化层152与第二钝化层154混合键合连[0105]示例性的，第二存储器微模组B中的第二钝化层154与底层第一存储器微模组A中钝化层112和第三金属焊盘113，第三钝化层112与第二存储器微模组中B的第一钝化层152